剖面图：
1、初始氧化
为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。阱区掩蔽氧化介质层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。
2.阱区光刻。
是该款n阱硅栅CMOS集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻。若采用典型的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜，腐蚀。
3.n阱注入。
是该n阱硅栅COMS集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂。P阱注入工艺环节的工艺要求是形成n阱区。
4.剥离阱区氧化层。
5.热生长二氧化硅缓冲层：
消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化。
6.LPCVD制备Si3N4介质。
7.有源区光刻：即第二次光刻
8.局部氧化：
第三次氧化，生长场区氧化层。
9.剥离Si3N4层及SiO2缓冲层。
10.热氧化生长栅氧化层：
第四次氧化。
11.生长多晶硅
12.刻蚀多晶硅栅：
形成N沟MOS管和P沟MOS管的多晶硅栅欧姆接触层及电路中所需要的多晶硅电阻区。
13.涂覆光刻胶，刻蚀n沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS管的源区和漏区
14.涂覆光刻胶，刻蚀p沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS管的源区和漏区
15.去光刻胶
16.生长磷硅玻璃PSG。
17.刻蚀引线口
18.真空蒸铝，铝电极反刻
《CMOS芯片N阱剖面图.doc》
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