程序篇：
1.使用外部变量时，头文件使用extern前缀表示外部变量声明，定义用.c文件里的变量声明不需再加extern前缀(不加extern等于定义)，否则会出现警告（unresolved external symbol）
规则：1.头文件对接口进行声明，包含所有外部变量和函数，在头文件中以extern前缀声明
2.只在一个.c内的使用的函数和变量加static前缀声明（此时，当存在extern前缀的同名变量或函数，不调用extern前缀，只执行static前缀）
3.头文件中只能作声明，不能作定义
4.在头文件中包含外部变量或函数声明后，可在其他.c中包含该头文件后直接使用外部变量或函数。
**************程序优化****************** 1.在循环中，使用递减计数可以优化程序大小
2.编写程序时少用全局变量可优化程序大小
3.适当选用内联函数（汇编）定义函数功能，可以有效减小程序大小
4.当某函数只在当前file使用时，可以考虑把该函数声明为static，可以减少程序大小
5.对于8位单片机而言，尽量使用8bit(byte)数据可以提高程序处理速度。
6.当在循环计数中，使用前自减（--i）的形式可以提高程序处理速度。
7.把循环内容展开编写可以提高程序处理速度，但是同时也带来占用程序空间增多。
8.利用do{}while(0)结构进行宏定义，有利于提高程序的健壮性。 例：#define YY do{\*define statement*\}while(0)，
*************AVR单片机***************** 1.需要先配置熔丝位才能正确烧写，通常配置如下：
2.在编写程序时先对IO口进行配置（PORTX、DDRX），当IO被配置为输入时，使用PINX来读取IO口电平。
3.AVR单片机没有特定位定义（即51的sbit）
4.Atmega64a中，串口具备三种独立的中断方式发送完全中断（TXC）、发送数据寄存器空中断（DRE）、接收完全中断（RXC）
具体看iv_USART0_XXX声明（handler后面为用户自定义中断处理函数名） 当处在TXC中断模式中时，只要UDR0为空并在再次进入中断后不再赋值，不会再触发中断。
5. 在AVR中，使用#pragma data:data表示数据存储空间转移到RAM中，后面紧接定义变量被存放在RAM中；若#pragma data:eeprom则表示数据存储空间转移至EEPROM中，后面紧接定义变量被存放在EEPROM中。
内部EEPROM读写接口：EEPROMwrite(int addre,data);
EEPROMread(int addre); 注：需包含头文件eeprom.h
硬件篇：
1.
1T单片机（STC12）的定时1T模式，每1机器周期（1/12us）计数器+1，12T模式为12机器周期（1us）计数器+1。（晶振为12M）即计算定时器初值时，1T模式为12T模式的12倍。
9.硬件调试时，使用示波器根据信号输入输出流向进行定点测量。同时，根据特定使能端口电平变化确定故障原因。
10.0欧电阻作用：预留位置，匹配阻抗 当不能走线时当跳线使用 用于单点接地
11.电源电路中，使用整流桥加大容值电容滤波后电压为输入交流电有效值的1~1.3倍
12.半波整流后是输入交流电的0.45倍，全波为0.9倍，整流后滤波约为1.41倍。
13.运放作放大器（双电源）时，输出端接下拉电阻，保证可靠低电平，可提高抗干扰能力。
14.电路阻抗计算：
容性阻抗：ZC1
2fC感性阻抗：ZL2fL
V） 15.交流220V（有效值）的峰峰值为Vpp22220V（正负周期各2220
9.基极输入，集电极和发射机同时输出，作为最简单的差分电路。在理想情况下，Ic=Ie，即VoutcicRc，VouteieRe，即输出反相，幅度相等。当考虑到基极电流ib的存在时，Voute（ieib）Re，即要使得输出幅度相等需要调整两电阻阻值。
10.安规电容选型：
安规电容与普通电容区别：(1)安规电容在外部电源断开后不会有电荷保留，普通电容则会有 (2)考虑电磁兼容和安全，一般接在电源的入口。
类型：(1)X电容接于火线和零线之间，一般采用聚脂薄膜类电容。(2)Y电容分别接于火线与地线、零线与地线之间，通常成对出现。
注：通常交流电源入口用两个Y+一个X组成滤波电路，抑制EMI传导干扰。
容量选择：Y电容不大于0.1uF；一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二级用0.1uF；单级则用0.47uF。（电容容量的大小 和电源的功率无直接关系）
11.电容降压原理：
利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电容的电流有70mA，但在电容器上并不产生功耗，应为如果电容是一个理想电容，则流过电容的电流为虚部电流，它所作的功为无功功率。根据这个特点，我们如果在一个1uF的电容器上再串联一个阻性元件，则阻性元件两端所得到的电压和它所产生的功耗完全取决于这个阻性元件的特性。例如，我们将一个110V/8W的灯泡与一个1uF的电容串联，在接到220V/50Hz的交流电压上，灯泡被点亮，发出正常的亮度而不会被烧毁。因为110V/8W的灯泡所需的电流为8W/110V=72mA，它与1uF电容所产生的限流特性相吻合。同理，我们也可以将5W/65V的灯泡与1uF电容串联接到220V/50Hz的交流电上，灯泡同样会被点亮，而不会被烧毁。因为5W/65V的灯泡的工作电流也约为70mA。因 此，电容降压实际上是利用容抗限流。而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。
12.阻容串联并接二极管
这是一个峰值吸收电路，抑制反向峰值电压（浪涌电压），保护二极管耐压不足而损坏。多用于开关电源的开关管两端并联使用，避免开关管因为开关时产生的电压峰值击穿而损坏。通常二极管的方向与开关管正向导通方向一致。也就是说，开关管上的正向尖峰由二极管直接通过到输出端，反向尖峰通过RC耦合时在R上变成热量消耗掉。例如在PWM降压电路（即BUCK电路）的IGBT（或MOS）管两端就常并联这样的电路。
13.MOS管栅极加驱动电阻和反接二极管
驱动电阻用于使得MOS管导通稍微变慢，避免过驱动，可以解决电磁兼容中的辐射问题；反接的二极管用于加速MOS管关断，降低MOS管关断损耗。
14.开关电源输出滤波电容容值计算：
粗略计算公式：按RC时间常数近似等于3~5倍电源半周期估算。例如：
负载：直流1A，12V。其等效负载电阻12为（U/I）欧姆。桥式整流（半波整流（单二极管）时，时间常数加倍）：
RC=3*（T/2），T为输入电源周期，50HZ时，T=0.02S。
C=3*(T/2)/R=3*(0.02/2)/12=2500uF，工程上可取2200uF。若希望纹波小些，可以按5倍电源半周期计算。
15.三端稳压器输入输出端接二极管
用来防止输入端短路时,输出端存储的电荷通过稳压器,而损坏器件。（阴极接输入）
16.光耦输出侧（光敏三极管）并联小容值电容，用于滤波，消除输出信号抖动。
17.把信号进行差分输出，经过变压器需要考虑输入端的能否驱动变压器。（驱动能力）
18.ESD常规处理（屏蔽、接地、滤波（并联电容/串联磁珠））：（ESD接触放电（金属）6KV，非接触放电（塑料）8KV）
（1）增大外壳绝缘层厚度，减少静电穿透
（2）在USB、以太网口、RJ45等外部连接端口应用ESD管导地，加速泄放静电 （3）在需要处理的IO口与地并联小容值电容 （4）对输出端口采用上拉输出方式稳定输出电平
注意：IC的地线要尽量粗，太细会影响ESD的性能，容易使信号（特别是时钟信号）受影响。
19.BOOST电路参数计算（DC-DC）
DIKVoutVinVD；ILout；Lin；IpekIL(1)
1D2VoutILf其中，D为占空比，IL为电感流过电流，f为PWM调制频率，K为纹波系数（一般取0.4）
20.进行电路调试时，要针对主要IC的关键脚入手（如开关电源IC就是变压器输出端、电流保护脚、反馈端、参考端），要留意芯片手册提供的相关阈值。当使用光耦电路连接时，要考虑光耦是否完全导通。
21.开关电源电流反馈端输入可接入一阶RC滤波（f=1/(2*pi*RC)），有利于提高电路带载能力，防止反馈端受高频尖峰干扰。在PCB布局上考虑要根据芯片手册参考接地，且总回路要符合单点接地需求。
22.对于纯阻负载、容性负载和感性负载而言，上电瞬时变化会根据自身特性不同。纯阻负载会发生电压、电流的突变，造成瞬间功率急剧上升；容性负载因为电压滞后电流，则电压变化会缓慢；感性负载因为电流滞后电压，因此电流不会发生突变。
23.PWM信号还原正弦信号：（D类功放）
通过输出单个PWM信号的占空比控制对输出电容的充放电时间，使得在电容两端（即输出端）形成正弦波信号（多个充放电谐波累积成一个完整正弦周期），输出电感起到平滑该充放电曲线的作用。（http://sanwen8.cn/）
24.正弦信号转成PWM信号：（D类功放）
通过芯片内部三角波电路（固定频率）与输入模拟信号进行比较，单一周期内所交面积（积分）等于后端输出PWM的面积（占空比）。（http://www.daodoc.com/）
PCB绘制篇：（SMD）
1.高大器件间最好不摆放小型器件，方便焊接和检修
2.尽量同一层走线方向一致（全横或全竖），相邻层（toplayer/buttomlayer）走线垂直
3.小型元件间不走线
4.贴片焊盘不加泪滴
5.铺铜十字尽量加粗
6.铺铜距离最小25mil（约0.6mm）
7.丝印摆放方向尽量同向
8.贴片器件内不铺铜
9.铺铜：实铜用于大面积散热（电源等大功率电路），网格用于屏蔽干扰（高频电路）
10.电源芯片输入地（模拟地）和输出地（数字地）用0欧电阻连接（单点接地）
11.铺铜时，连接层与层间的过孔直接铺满（direct connect）（plane——polygon connect style）
12.过孔尺寸匹配表：（mil）
内径
外径 12
25 16
30 20
35 24 32
40 50
11.电源设计部分（DC-DC），振荡回路与反馈回路隔开，振荡回路元器件（IC）电源脚滤波电容尽量靠近IC（PS：所有IC的电源滤波电容尽量靠近电源脚）
12.当进行拼板时，要使用特殊粘贴，防止丝印错误。（Edit-Past Special）
13.进行敷铜时，选择“Pour Over All Same Net Objects”项，还要去死铜（Remove Dead Copper）
14.PCB设计关于ESD的优化：
(1)PCB板边（包括通孔Via边界）与其它布线之间的距离应大于0.3mm；
(2)PCB的板边最好全部用GND走线包围；
(3)GND与其它布线之间的距离保持在0.2mm～0.3mm；
(4)Vbat与其它布线之间的距离保持在0.2mm～0.3mm; (5)重要的线如Reset、Clock等与其它布线之间的距离应大于0.3mm; (6)大功率的线与其它布线之间的距离保持在0.2mm～0.3mm；
(7)不同层的GND之间应有尽可能多的通孔（VIa）相连；
(8)在最后的铺地时应尽量避免尖角，有尖角应尽量使其平滑。
15.进行原理图绘制时，可先把元器件编号设置为“？”号，然后使用Tool-Annotate Schematics进行自动编号
16.画封装的时候，对于等间距阵列引脚，可以采用阵列粘贴功能。（Edit-paste special-paste Array）
