封装调研报告（精选多篇）

发布时间：2020-04-19 01:22:56 来源：调研报告收藏本文下载本文手机版

推荐第1篇：封装材料

封装材料

在组件封装过程中，聚合物可以使电池片、背板和玻璃很好地粘合在一起，与此同时，聚合物需要确保组件高透光率、抵御恶劣潮湿寒冷气候----例如防潮----柔韧。聚合物火焰传播指数要低于100，要通过防火UL960Cla C, 认证测试。此外，还要遵守其他规则，包括登记、评估、批准还有化学物质限制条令和危险品限制条令。

用于封装材料的聚合物有EVA（乙烯醋酸乙烯酯），PVB（聚乙烯醇缩丁醛）,Polyethylene Ionomers（离聚物），Polyolefines（聚烯烃），silicones（硅）和TPD（热塑性聚氨酯）。传统的EVA制造商

EVA是乙烯醋酸乙烯酯聚合物，EVA的优点有清晰、坚韧、灵活、御低温。EVA的透光率取决于VA(乙酸乙烯酯)的含量---VA(乙酸乙烯酯)含量越高，透光率就越好。不过，需要交联来实现必要的韧性和强度，这是个不可逆现象。

EVA可以通过两种方法获取---快速固化法与标准固化法。通常制作EVA需要固化剂、紫外线吸收器、光抗氧化剂，其中固化剂的品种直接决定是采用何种固化法---快速固化或标准固化。

今年的市场调查覆盖了18款产品，14家EVA制造商，其中包括3家新公司，8款新产品。其中仅有6家公司生产标准固化EVA，这种迹象也意味着大家倾向于生产快速固化产品，因为快速固化EVA层压时间可以降低40%，可以提高生产效率。

另一家光伏组件封装材料大供应商是美国的Solutia Inc.公司，该集团旗下的Saflex Photovoltaics是一家供应PVB产品的公司。据Saflex商务总监Chiristopher Reed 称，该公司市场占有率达20%，并且对EVA, PVB和TPU封装材料可以提供一站式解决方案。他们的EVA，TPU太阳能产品是由他们公司在今年6月份在德国收购的Etimex Solar 有限责任公司生产的。Solutia 供应的快速固化产品有VISTASOLAR 486.xx和VISTASOLAR496.xx，供应的超快速固化产品有VISTASOALR 520.43。快速固化产品宽度为400mm到1650mm，超快固化产品的宽度为500mm到1650mm，他们也可以根据客户要求生产更宽的产品。Solutia生产的快速固化EVA透光率可达90%，超快固化EVA透光率达95%以上。

现在光伏行业内在讨论EVA产品时，通常说到一个词：紫外临界值。Solutia公司生产的快速固化和超快速固化EVA的紫外临界值均为360nm，厚度为460um到500um，张力强度为25N/n㎡，是本次调查中张力强度最高的。根据不同的保质期，快速固化EVA保修期是6个月，超快速固化EVA保修期为4个月。另一家美国公司是Stevens Urethane Inc.该公司供应的超快速固化与标准固化EVA，保修期为12个月。不过，据该公司市场与产品开发部副总裁James Galica说，他们的客户在将产品保存了2年后使用都没有任何问题。Stevens Urethane供应的标准和超快速固化EVA有PV-130和PV-135, 宽度最大可达2082mm以上。据Galica讲，超快速固化EVA的市场需求比标准固化EVA市场需求大。两种产品的熔点为60℃，最小张力强度为10N/n㎡，最少订单不能低于100㎡，产品一般在2到4周就可以交货，是在这次调查中从订货到交货用时最短的公司。

西班牙的Evasa也是一家新进入EVA生产领域的公司，供应三款产品，分别是SC100011E/A，FC100011E/A和UC100011E/A，FC100011E/A和UC100011E/A属于快速固化与超快速固化EVA产品。Evasa公司所有产品都很清晰，透光率为91%。超快速固化与标准固化EVA热损耗率为5%，听说快速固化EVA的热损耗率非常低，仅有1%。宽度最大可达2100mm，厚度为100um到1200um。这三款产品在下订单2周内可以生产出来，也是本次调查中交货用时最短的公司。

Toppan Printing英国有限责任公司供应的EVA产品是EF1001, 他们公司既可以生产快速固化产品，也可以生产标准固化产品。据Toppan公司销售与市场总监Mitsuharu Tsuda介绍，大多数客户倾向于买快速固化EVA，但是日本客户还在买标准固化EVA。Toppan公司供应的EVA产品宽度最大可达1100mm，厚度为300um到600um。Toppan公司的交货时间是4到6个月，他们只接大于150㎡的订单。

另一家新进入EVA生产领域的美国公司SKC Inc.在尺寸要求上与众不同，SKC公司只接大于10000㎡的单子。SKC公司供应一款标准固化EVA：ES2N和两款快速固化EVA：EF2N和EF3N。这三款产品宽度为400mm到2200mm，厚度为400um到800um。ES2N和EF2N的熔点是70℃，EF3N熔点为60℃。据SKC公司声称，这三款产品的黏结性都很好，强度大于60N/nm。保修期为6个月，交货期是4到8周。

法国Saint Gobian集团有许多子公司都活跃在太阳能行业内，从玻璃到GIGS组件再到碳化硅。其在美国的子公司Saint Gobian Performance Plastics 生产用于光伏市场的含氟聚化物前板。在2009年，这家美国公司首次推出快速固化EVA ：Solar Bond E。Solar Bond E最宽是2000mm，厚度为300到1200mm。尽管Saimt Gobian没有透露张力强度指数，但是具体指出了与玻璃的黏性大于70N/nm，这一数据是本次调查中最高的。Saint Gobian 公司生产的EVA在100℃度的环境下热损耗率在仅有1%到3%，订量不能少于100m ,交货时间为4到6周。据公司产品经理Phoebe kuan介绍，产品既可以标准包装也可以特别包装。如果使用标准包装，贮存时间可以确保6个月，如果采用另外付费的特别包装贮存时间可以确保9个月。

接下来的几家EVA供应商是在去年接受了调查，在今年的调查中他们都没有更新产品信息。日本厂家Bridge stone还在供应Evasky 产品，既包括标准固化EVA，也包括快速固化EVA。Evasky宽度在500mm到2400mm，厚度为300mm到800mm，透光率90%，也是在这次调查中最低的。Evasky清晰白净，熔点在70℃到80℃。尽管本次调查中也有其他厂家讲他们的产品在20℃的环境下超过24小时吸水率为0.1%，但是Bridgcstoue称他们的吸水率为0.01%，低了10倍，是本次调查中最好的。订量最少不低于1000m，保质期为6个月，交货时间为3到6 周。很有趣的是，STR没有提供任何标准固化EVA数据，仅提供了快速固化与超快速固化产品，分别是15435P/UF和FC290P/UF，厚度为100um到1000um之间，熔点不一样，15435P/UF的熔点为63℃, FC290P/UF熔点为70℃。两种产品的交货时间都为6周，根据标准包装与特制包装的不同保修期分别为6个月到7个月，主要要看选择哪种包装了。

日本的Mitsui chemical Fab20/ nc提供标准固化EVA ：SolAR EVA SC52B和一款快速固化EVA产品：SOLAR EVA RC02B。DuPont-Mitsui Polychemica 有限责任公司，在DuPont经验的基础上联合开发出了SOLAR EVA 的组分。两款产品宽度为800mm到2000mm,厚度为400um到800um，透光率为91%，属玻璃白色，保修期为了6个月，交货期是4到8周。

另一家日本公司是Sanvic Inc.，这家公司是通过其在德国的贸易公Mitsui&co,Deutschland 有限责任公司销售EVA的。该公司核心业务是塑料片生产，但是在与日本国家先进工业科技学院（AIST）合作于2008年开发出了第一款EVA产品。今年Sanvic提供了与去年同一款产品信息，标准固化K-系列与快速固化F系列产品。透光率为92%。清晰，可根据客户要求制作出不同颜色的产品。

西班牙公司Novogenio SL供应的快速固化EVA 产品有Novosolan FCLV NovoGenio，这家公司也为晶体硅组件供应标准固化产品Novosolar NC和快速固化产品Novosolar FC。NC和FC都很清晰，透光率为99.5%，因为公司无人答复我们的求证，所以我们猜测这是无玻璃的透光率。Novogenio公司所供应的产品宽度都是多达2200mm，厚度为200um到800um。一般标准包装贮存期为6个月，特别包装贮存期为12 个月。产品唯一的缺点是热损耗高达5%到8%，排在本次调查的首位。

比利时公司Novopolymers NV从2009年开始供应EVA产品。Novopolymers NV 与比利时化学公司Proviron Industry NV公司建立了战略合作关系。Novopolymers 供应的快速固化EVA产品Novo Vellum FC3和超快速固化EVA产品Novo Vellum UFC4宽度可达1450mm，厚度为200um到1100um。FC3和UFC4都很清晰，透光率为91%。含胶量88.5%，温度150℃的情况下，FC3EVA的层压时间需要16.5分钟。含胶量87.5%，温度150℃，UFC4层压时间需要12分钟即可。这两款产品张力强度都大于6N/n㎡，保修期6个月，交货时间大约需要4周。

杭州福斯特光伏材料有限责任公司供应三款产品，分别是F406,F806和Su-806，其中Su-806是2010年新推出的产品，F系列属快速固化产品，Su-806属于超快速固化EVA产品。据福斯特全球销售经理Grace Sun介绍，Su-806是应客户要求特别订制的，层压时间仅需10分钟，这款产品将成为公司的核心业务，不过Grace 说层压温度需要高达155℃到160℃。F406是款老产品，F806是它的升级版。在不久的将来，福斯特将停止生产F406。福斯特所有产品的宽度为250mm到2200mm，厚度为200um到800um。

台湾地区Yangyi科技有限责任公司既供应标准固化EVA产品，也供应快速固化EVA产品，产品宽度为650mm到1030mm，透光率为91%到93%。据这家公司自己称他们的产品紫外临界值只有340nm，是市场上最低的，如果成事实的话，是可以有效提高组件转换效率的。产品保修期6个月，交货时间4到6周。 PVB,TPU和Ionomers（离聚物）

光伏行业目前比较热衷于晶硅电池生产，所以使得EVA成为了唯一必要的封装材料。但是随着薄膜技术的出现，玻璃/玻璃封装技术开始崭露头角，人们开始采用安全的玻璃技术进行生产，在玻璃行业有一个非常有名的胶囊密封材料叫PVB就是这样一种技术。在本次调查中有三家生产PVB的公司。

有一家在PVB生产行业里处于领先位置的公司是Kuraray欧洲有限责任公司，这家公司供应的PVB产品品牌是TROSIFOL,投入市场已经有55年的历史了。据Kuraray技术市场部经理Bernd Koll介绍，该公司是在2004年首次为光伏行业生产供应PVB产品。尽管也有其他EVA替代产品，但是PVB是最佳选择，其次是TPU，不过太贵了，再有就是硅，刚刚进入市场。

Kuraray生产的TROSIFOL SOLAR R40可用于玻璃/玻璃基和玻璃/聚合物基组件生产，升级版TROSIFOL SOLAR 2g是专门为光伏行业量身定制的，可以有效提高组件在电阻、真空层压低压电、低静电荷载、高防腐蚀、透明导电氧化层和水扩散率方面的性能。

尽管目前薄膜技术还没有像晶硅技术那么成功，据Koll讲，这没什么可担心的，随着BIPV应用方面的需求增大，PVB将会成为EVA非常强大的竞争对手。Kuraray公司这两款产品宽度是300mm到3210mm，透光率仅有91%，黏着力强度很厉害，大于20N/mm。Kuraray公司的产品主要优点在于可以存放长达48个月，公司要求订单不能低于一卷，可在3周内交货。

另一家供应PVB产品的公司是Solutia，这家公司同时也供应EVA。他们供应的PVB产品有Saflex PA41, 高流动性，Saflex PG41，具脐状突起的，Saflex PS41，多重接面，和最近升级版Saflex PA27，亮白。

Saflex PA27是一层薄膜，正如全称所蕴含的意思一样，是白色的，专门为薄膜行业应用开发的，透光率仅有3%，是理想的反射层替代品。Solutia公司其他PVB产品的透光率均为91.2%，厚度为762um，也可根据客户需要供应其他厚度的产品，定量不低于一卷，交货时间为三周。

美国的杜邦公司也开发出了三款PVB产品，分别是PV 5212, PV 5215和PV 5217。各个产品的厚度都不一样，宽度可达3210mm，透光率为91.2%，张力强度非常棒，可达28.1%,可6周交货，交货时间比其他那两家长了一倍。除了EVA、PVB外，另一个组件封装材料聚合物便是TPU了。据Solutia公司的Reed说，TPU产品价格昂贵，只有产能足够大才可以抵消高出的那部分费用。不过，在我们的调查中，还没发现有哪家公司大规模采用这种材料呢。Solutia公司供应的VISTASOLAR 517.84透光率为91.8%，紫外临界值高于EVA，是400nm，张力强度指数大于15N/mm，宽度为400mm到990mm，厚度为300um到650um。VISTASOLAR 517.84最小定量是一托盘，保修期6个月。

Stevens Urethane公司也供应了两款TPU产品，分别是PV-251和PV-301，透光率为91%和92%，紫外临界值均比Solutia公司产品低，张力强度指数高，在45N/mm到48N/mm之间，是Solutia公司的三倍。

另外一种封装材料是Ionomers（离聚物），虽然价格昂贵，但是凭借其坚硬的特性，成为了很适合全自动层压生产线的封装材料。另外，Ionomers（离聚物）比PVB防潮能力强。杜邦公司生产的Ionomers（离聚物）有：PV5316和PV5319, 根据客户的要求，宽度可达2500mm，厚度可达3000um。标准厚度是890um和1520um。透光率非常好，可达94.3%，紫外临界值为370nm。张力强度也很棒，达34.5N/mm。根据订单大小，交货时间为3到10周。在本次调查中，另一家生产Ionomers（离聚物）材料的公司是Jura-Plast有限责任公司。据这家公司产品经理Jurgen Neumann说，他们生产的DG3 Ionomers已经被中国公司GS-Solar\'大规模使用，DG2被德国的肖特太阳能公司使用，主要是用于双层玻璃组件。DG3透光率大于90%，紫外临界值是380nm。DG3可在4周时间交货。另外，Jura-plast也供应热塑性塑料产品DG CIS，这款产品更加灵活，可以与对水蒸气敏感的CIGS电池兼容。DG CIS透光率低，紫外临界值与DG3相同，交货时间为6周。硅及其他材料在争一席之地

除了以上介绍的封装材料外，还有像Polyolefine（聚烯烃），硅和Thermoplastics（热塑性塑料）都想在市场上争一席之地。在本次调查中，供应硅封装材料的公司--有的是液体硅，有的是固体硅---有两家，分别是美国的道康宁和德国的瓦克。

瓦克公司供应的产品TECTOSIL是热塑性塑料硅合成橡胶。据这家化学巨头公司称，这款产品不包含任何催化剂或腐蚀成分能使材料产生化学反应，而且丰富的硅成分可以使产品永久性灵活，尽管在零下100℃也可保持很高的弹性。这种材料的另一个显著特点是93%到94%的透光率和370nm到1200nm的波长。宽度为600mm到1400mm，厚度是200um到700um。瓦克公司认为，硅在层压过程中是非常难控制的，所以要将其与热塑性塑料复合在一起，这样不管什么形式的层压都不会有什么问题的。

不过，道康宁的观点是不一样的，他们采用的是液体硅封装材料。据道康宁公司Donald Buchalsky讲，硅由于其化学属性和寿命长，自然可以抗紫外线，而且硅加工比EVA加工要快

四、五倍。道康宁公司与德国的Reis Robotics公司合作共同提供这方面的交钥方案。

在本次调查中，唯一供应Polyolefine（聚烯烃）的公司是Dai Nippon Printing有限责任公司（DNP）。这家日本公司供应两款产品：CVF1和Z68。两款产品宽度都可达2300mm，白色。Z68是款老产品，透光率只有86%。CVF1的透光率是92%，据这家公司自己讲，CVF1防水蒸气的能力是EVA的10倍。保修期是18个月，是EVA的3倍，在层压过程中不释放任何酸性气体。

另一种EVA替代品是由STR公司供应的，这种产品叫热塑性塑料。宽度为2100mm，厚度为100um到1000um，材料半透明，透光率为75%，用在电池的后面。这款25539产品交货期为4到6周，根据采用的包装形式，保修期为6到9月。背板确保持久而耐用

背板是光伏组件一个非常重要的组成部分，用来抵御恶劣环境对组件造成伤害，确保组件使用寿命。背板的核心成分是Polyethylene terephthalate 聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET），是用来保证绝缘与强度的。PET与含氟聚化物结合可以阻止水解和紫外线，含氟聚化物的传统性能有持久耐用、低火焰传播。背板的市场曾经一度主要被杜邦占有，因为杜邦是Tedlar制造商，Tedlar是一种聚氟乙烯（PVF）。可是当市场需求一路飙升的时候，杜邦公司却无法供应足够多的Tedlar产品，所以组件制造商不得不转向其他合适的替代产品。法国的Arkena公司就在进行这方面的研发，他们开发出一种产品叫Kynar，是一种聚偏二氟乙烯（PVDF）膜，可确保热、磨损和辐射的稳定性。

今年的调查中，有9家公司供应了49款Tedlar基产品，14家公司供应了46款非Tedlar基产品，而且大多数生产Tedlar基产品的公司也在开发非Tedlar产品。 Tedlar基产品技术有保证

杜邦公司的Tedlar主导了整个光伏背板市场，第一款进入光伏市场的产品是PVF2001，后来进入市场的是PVF2111。

美国盾膜公司将Tedlar、PET和PE（Polyethylene聚乙烯）结合起来开发出了七种背板产品。在TPT系列产品中，PET被夹在Tedlar夹层里。背板的强度取决于夹层的厚度。TPE系列产品是PET层在中间，一面是Tedlar，另一面是PE。据盾膜公司技术销售经理Lee Smith讲，TPT系列与TPE系列倾向于用在晶硅电池组件上。用于CIGS组件的TAPE系列产品是PVF、AL（铝）、PET、PE的复合体，其中铝层是用来防水蒸气的，这也是该产品的一个优点。据Smith讲，也有晶硅组件和非晶硅组件制造商找他们买TAPE产品。盾膜公司所有产品都有12个月的保修期，可在1.5个月交货。

德国公司August Krempel Soehne有限责任公司供应八款Tedlar基产品。这家公司的技术经理Karlheinz Brust 对含氟聚化物很感兴趣。据他讲，背板没有氟是不行的。该公司有四款产品，是PET和Tedlar相夹的。为了满足客户需求更加便宜的产品，August Krempel也推出了双层背板：PTL3 HR 750V，不过Brust对这款产品没有谈很多，只是说封装材料的成本只占到组件总成本的3%到4%，意思是并不建议客户选择这么便宜的产品。August Krempel公司也供应TAPL HR1000 V ww和TPCL 38-50-70，这两款产品是PVFcast/AL/PET和PVFextr/PET/AL的复合体，水蒸气吸收功能强大。

背板市场领军企业Isovolta今年正式更名为Isovoltaic有限责任公司，像Krempel公司一样，Isovoltaic公司也为薄膜组件特别设计封装材料：Icosolar 2116，PVF与PET之间夹着AL，在PET外又有一层底层涂料，是为了增加黏着力。Isovoltaic大多数产品都是PVF和PET复合体。这家公司也供应价格便宜的Icosolar T2823，是PVF\\PET\\底的层涂料复合体。Isovoltaic公司Icosolar 2482和Icosolar 0711都是PVF/PET/PVF复合体，不过，Icosolar 2482一侧表面做了处理，为了增加对EVA的黏着力。因为杜邦公司的Tedlar材料供应有限，所以Isovoltaic公司也开发了非Tedlar基材料，也很耐用。

Coveme SpA公司供应四款Tedlar基材料。这家意大利公司供应的材料颜色有白色、蓝色

和透明色，还可以根据客户需求定制其他令客户喜欢的颜色。他们供应的dyMatT是PVF2001/PET/PVF2001复合体，厚度分别是175mm、350mm和450mm，相应的张力强度是18N/mm、48N/mm和60N/mm。DyMat T和 dyMat cT都是PVF2001与PVF2111的复合体，保修期是6个月，而dyMat TE和dyMat cTE在PET 一侧是PVF2001或PVF2111,另一侧是EVA，保修期是12个月。

韩国公司SFC有限责任公司供应七款材料，中间是被隔离的PET（或PTI）。这家公司供应的大多数材料是Tedlar基的。据SFC公司销售经理Hosik Son介绍，像TPE-

35、PA301E等材料一侧是用Tedlar，另一侧是用氟化聚酯。SFC所有产品都可以抵抗1000伏系统高压。据Son讲，公司还可以根据客户要求为BIPV应用设计生产不同颜色的背板。

Toppan公司除了供应封装材料外，也供应Tedlar基背板，有四款。BS-TX和BS-ST中间是PET，两侧是Tedlar PV2400和Tedlar PV 2111。据Toppan公司销售与市场部经理Mitsuharu Tsuda介绍，他们公司的背板年产能达2000万㎡，相当于生产2.4GW组件需要的背板量。如果客户需要价格便宜点的产品，他们就提供BS-ST-VW和BS-ST-VB，属于PVF2111/PET/底层涂料复合体。

美国公司Flexcon Inc.供应TPT W12背板，是TedlarPV21

11、PET和TPE W12复合体，一侧是Tedlar，另一侧是EVA，这样安排是为了降低成本，交货时间是1个月。

美国公司Madio Inc.供应TPE HD和TPE专利产品，是PVF/PET/EVA复合体，材料颜色有蓝色、绿色、棕色和白色。TPE HD 与TPE相比，更耐用，密度和厚度更高。

日本公司MA包装有限责任公司供应三款背板：PTD75,PTD250和PTD250 SP。厚度分别是160um，335um和310um。这家公司也供应水敏感薄膜组件用的ALTD与PVF/AL/PVF复合体背板。

台湾公司Taiflex科学有限责任公司供应Solmate/BTNT和Solmate/VTP10D, 属于标准的PVF/PET/PVF和PVFcast/PET/PVF复合体。价格便宜些的产品有Solmate/BTNE和Solmate/VEP05A,一面是Tedlar，另一面是有黏着性的底层涂料。

放弃Tedlar是为了降低成本

虽然大家对Tedlar的需求渴望并没有因其供应紧缺而受下降，但是背板生产商似乎也在致力于开发新的不含Tedlar的背板材料，这样做事为了使背板价格降下来，并且也是为了降低大家对杜邦公司的依赖。德国公司Bayer材料科学集团供应一种聚碳酸酯混合物背板，称作Makrofol。据Bayer公司区域销售经理Birgit Hubertus介绍，这种产品还在市场引入阶段。他们公司选择了几家客户评估这种背板的性能，并准备好根据客户要求改善产品。据她讲，Bayer公司为小组件做了潮热测试和温度测试，并希望不久后能够得到客户的认可。Mokrofol是单层材料，要比Tedlar便宜。因为Bayer公司是聚碳酸酯制造商，所以可以迅速满足市场需求。主要缺点是不能与PVB一起用，水蒸气渗漏指数为9g/㎡d，属于本次调查中指数最高的。

美国公司BioSolar Inc.供应BB-6，是用蓖麻子制成的。据BioSolar公司CTO Stanley Levy介绍，有一部分小客户不久将采用本产品进行生产。据Levy讲，这款产品对于传统组件背板来说起到了彻底替代的作用，成本至少下降20%，不会有任何寿命问题。

Coveme公司也将dyMat系列产品进行了改造，开发出了非Tedlar基材料，这种材料是两层PET和EVA复合体，其中PET夹在一层PET和一层EVA之间，另一层PET起到了隔离作用。这类产品不仅价格便宜而且耐用。据Coveme讲dyMat PYE3000经过3000个小时的潮湿测试后完好无损。dyMat PYE供应给对水敏感的薄膜组件制造商，是属于PET/AL/PET/EVA复合体，厚度为9um，20um和50um。

Madio公司也制造出了自己的非Tedlar基专利产品，Protekt系列，里层是EVA，外层是PET。Madio也可以给CIGS组件供应和铝结合得复合体：Protekt/AL/PET/EVA。

盾膜公司供应的产品有：Dun-Solar 1050 KPE 和Dun-Solar 1100 FPE，是F/PET/PE和K/PET/PE复合体，其中F代表双层氟化聚合物，K代表Arkena公司的Kynar（PVDF）。据Smith介绍，他们的KPE和FPE产品都做过室内测试，均比Tedlar好。不过盾膜公司有一款基于PET/PE/PET开发出来的产品，Dun-Solar 1360 PPE +，通过了德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所的测试，证实是一款合格耐用的背板产品。对于这些新产品，盾膜公司可以供应任何大小的尺寸，这也使得这种产品比Tedlar更加便宜，因为Tedlar只卖固定的宽度，在切割时会给客户带来损失。Dun-Solar 1300 EPE和Dun-Solar 1000 EPE比较适合在层压时覆盖汇流条，因为他们没有FPE和KPE耐用。盾膜公司与一些薄膜组件企业联合，也可以为CIGS组件特别设计背板材料。

Isovoltaic公司供应的非Tedlar基材料有Polymides聚醯化物（PA）与PET复合体，其中以PET作为中间层。产品有：Icosolar AAA 3554,Icosolar APA 3552。另外也供应Icosolar FPA 3572和Icosolar FPA3585，用氟化聚合物增加背板的抗紫外性能。为了满足薄膜组件客户的需求，Isovoltaic公司在PA和PET之间增加了一层AL，可以完全清除水蒸气渗漏。

另一家供应PET基产品的公司是Toppan，这家公司供应的BS-SP-GV是基于PET/隔离层PET/PET,外加一层底层涂料来提高与EVA的黏着力。BS-TA-PV是由PET/AL/PET/与底层涂料组成，铝层是用来防止水蒸气渗漏的。 August Krempel公司仅有两款非Tedlar基产品：PVL2 1000 V 和PVL 1000 V，两款产品都可抵抗1000伏系统电压，是基于PVDF和PET的复合体。PVL 1000是由三层成分组成：PVDF/PET/PVDF。PVL2 1000 V 是两层：PVDF/PET。两款产品水蒸气渗漏指数均为0.9g/㎡d，交货时间为1个月。

Flexcon公司生产了一款非Tedlar基产品：KPK W 12，属于PVDF/PET/PVDF复合体，与PVL1000V厚度相仿（323um），水蒸气渗漏指数为3g/㎡d，是August Krempel公司的三倍，交货时间为3周。中国公司冠日科技供应的产品与August Krempel产品类似，分别是DDF3253B和DFB325B,是PVDF/PET/PVDF和PVDF/PET/EVA的复合体，水蒸气渗漏指数分别是1.3g/㎡d和少于2g/㎡d。

瑞典公司Skultuna Flexible AB供应五款产品，包含两款专利背板，各有三层：Polyolefine（聚烯烃）、PET和紫外切割涂层，厚度不同，SF07S是235mm，SF09S是285mm，水蒸气渗漏指数低于1.4g/㎡d和1g/㎡d，可在15天交货。

德国的3M Deutschland有限责任公司认为氟化聚合物与PET复合体持久耐用，可以防止紫外线、热河潮湿等环境。3M公司供应材料有：Scotchshield Film 17，Scotchshield Film17T和Scotchshield Film 15T。15T的厚度为360um，17T的厚度为400um。

德国公司Honeywell供应了两款产品。其中，PV325是PET层夹在两层乙烯与三氟氯乙烯共聚物(E-CTFE)之间，另一款PV270，PET层夹在乙烯与三氟氯乙烯共聚物(E-CTFE)和EVA之间。

日本公司DNP也供应非Tedlar基背板，分别是PV-BS WFPE, PV-BS WFPE-S 和PV-BS WFPE-C，属于PET与乙烯与三氟乙烯共聚物（ETFE）和Polyolefine（聚烯烃）复合体。三款产品只在厚度上不同。便宜的产品有PV-BS VPEW，组成成分是PET/PET/olefin，与其他产品一样耐用。

随着行业的发展，人们也在寻找一种合适的产品可以替代传统的聚合物，来减低组件封装材料花费的成本。不过，一些组件制造商还是比较信任EVA和Tedlar基背板，在下一年的调查里，我们相信您会看到这些新材料是否可以与传统的材料一较高下。（大美光伏采编中心斯勒夫编译）

推荐第2篇：封装名

Protel 常用元件封装 [转帖] 2008-07-21 11:10 有些时候不记得封装名时可以查查不知谁这么细心列出来了转载一下作个记号

Protel常用元件封装 1mil=0.0254mm 1mm=39.37mil

名称英文名元件库

封装

封装库电阻

RES AXIAL0.1-1.0 无极电容 CAP RAD 0.1-0.4

电解电容 ELECTRO RB 0.2/0.4-0.5/1.0 二极管 DIODE DIODE0.1-0.7 全桥 BRIDGE D-44 D-37 D-46 电位器 POT VR-1 VR-5

三极管

NPN PNP TO-18 TO-22 TO-3 (达林顿) 集成块 PID PID-8 -40 晶体振荡器 XTAL1 原理图常用库文件：

Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microproceor.ddb Intel Databooks.ddb Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb 分立元件库

部分分立元件库元件名称及中英对照 AND 与门

ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源 BELL 铃,钟

BVC 同轴电缆接插件

BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容

CAPACITOR POL 有极性电容 CAPVAR 可调电容

CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口

CRYSTAL 晶体整荡器 DB 并行插口 DIODE 二极管

DIODE SCHOTTKY 稳压二极管 DIODE VARACTOR 变容二极管 DPY_3-SEG 3段LED DPY_7-SEG 7段LED DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容 FUSE 熔断器 INDUCTOR 电感

INDUCTOR IRON 带铁芯电感 INDUCTOR3 可调电感 JFET N N沟道场效应管 JFET P P沟道场效应管 LAMP 灯泡

LAMP NEDN 起辉器 LED 发光二极管 METER 仪表

MICROPHONE 麦克风 MOSFET MOS管

MOTOR AC 交流电机 MOTOR SERVO 伺服电机 NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门

NPN NPN三极管

NPN-PHOTO 感光三极管 OPAMP 运放 OR 或门

PHOTO 感光二极管 PNP 三极管

NPN DAR NPN三极管 PNP DAR PNP三极管 POT 滑线变阻器

PELAY-DPDT 双刀双掷继电器 RES1.2 电阻

RES3.4 可变电阻 RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻 RESPACK ? 电阻 SCR 晶闸管 PLUG ? 插头

PLUG AC FEMALE 三相交流插头 SOCKET ? 插座

SOURCE CURRENT 电流源 SOURCE VOLTAGE 电压源 SPEAKER 扬声器 SW ? 开关

SW-DPDY ? 双刀双掷开关 SW-SPST ? 单刀单掷开关 SW-PB 按钮

THERMISTOR 电热调节器 TRANS1 变压器 TRANS2 可调变压器

TRIAC ? 三端双向可控硅 TRIODE ? 三极真空管 VARISTOR 变阻器 ZENER ? 齐纳二极管 DPY_7-SEG_DP 数码管 SW-PB 开关其他元件库

Protel Dos Schematic 4000 Cmos .Lib 40.系列CMOS管集成块元件库

4013 D 触发器 4027 JK 触发器

Protel Dos Schematic Analog Digital.Lib 模拟数字式集成块元件库 AD系列 DAC系列 HD系列 MC系列

Protel Dos Schematic Comparator.Lib 比较放大器元件库

Protel Dos Shcematic Intel.Lib INTEL公司生产的80系列CPU集成块元件库 Protel Dos Schematic Linear.lib 线性元件库例555 Protel Dos Schemattic Memory Devices.Lib 内存存储器元件库 Protel Dos Schematic SYnertek.Lib SY系列集成块元件库 Protes Dos Schematic Motorlla.Lib 摩托罗拉公司生产型号功能封装[部分可能与上面重复] AND与门 ANTNNA天线 BATTERY电池 BELL电铃

BNC高频线接插器 BUFFER缓冲器 BUZZER蜂鸣器

COAXPAIR带屏蔽的电缆进线器 FUSE1熔断器 FUSE2熔断丝 GND 地 LAMP 电灯 METE 表头

MICROPHONE 麦克风(话筒) NAND 与非门 NEON 氖灯 NOR 或非门 NOT 非门

OPAMP 运算放大器 OR 或门

PHONEJACKl 耳机插座 PHONEJACK2 耳机插座 PHONEPLUGl 耳机插头 PHONEPLUG2 耳机插头 PHONEPLUG3 耳机插头 PLUG 电气插头

PLUGSOCKET 电气插头 RCA 高频线接插器

RELAY-SPST 单刀单掷开关继电器 RELAY-SPDT 单刀双掷开关继电器 RELAY-DPST 双刀单双掷开关继电器 RELAY-DPDT 双刀双掷开关继电器 SOCKET 电气插座 SPEAKER 扬声器 SW-SPS 单刀单掷开关 SW-SPDT 单刀双掷开关 SW-DPST 双刀单掷开关 SW-DPDT 双刀双掷开关 SW-PB 按键开关

SW-6WAY 六路旋钮转换开关 SW—12WAY 十二路旋钮转换开关

SW-DIP4 双列直插封装四路开关 DIP8 SW-DIP8 双列直插封装八路开关 DIPl6 VOLTREG 电压变换器 TO-220 XNOR 异或非门 XOR 异或门 GND 地

VCC 电压螈 VDD 电压塬 VSS 电压源 +5 +5电压源 -5 -5电压源 +12 +12电压源 -12 -12电压源 +15 +15电压源 -15 -15电压源 +18 +18电压源 -18 -18电压源 +24 +24电压源 -24 -24电压源 +30 +30电压源 -30 -30电压源

BRIDGEl 二极管整流电桥 BRIDGE2 内封装二极管整电桥 BRIDGE DIODE 极管

JFET-N N沟道结型场效应管JFET-P LED 发光二极管

MOSFET-N1 N沟道金属氧化物半导体场效应管

MOSFET-N2 双栅型N沟道金属氧化物半导体场效应管 MOSFET-N3 增强型N沟道金属氧化物半导体效应管 MOSFET-N4 耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应管 MOSFET-PI P沟道金属氧化物半导体场效应管

MOSFET-P2 双栅型P沟道金属氧化物半导体场效应管 MOSFET-P3 增强型P沟道金属氧化物半导体场效应管 MOSFET-P4 耗尽型P沟道金属氧化物半导体场效应管 NPN NPN型晶体三极管 N-PHOTO NPN型光敏三极管

OPT01SO1 光电隔离开关(发光二极管+光敏二极管型) OPTOIS02 光电隔离开关(发光二极管+光敏三极管型) OPTOTRIAC 光电隔离开关(发光二极管+三端可控制硅型) PHOTO 光敏二极管 PNP PNP型晶体三极管

PNP-PHOTO PNP型光敏三极管 SCR 可控硅整流器

TRIAC 三端双向可控硅开关 TUNNEL 隧道二极管

UNLJUNC-N N型单结晶体管 UNLJUNC-P P型单结晶体管 ZENERI 齐纳二极管 ZENER2 齐纳二极管 ZENER3 齐纳二极管 CAP 无级性电容器 CAPVAR 无极性电容器 CRYSTAL 石英晶体

ELECTR01 有极性电容器 ELECTRO2 有极性大电容器 INDUCTORI 电感器(线圈) INDUCTOR2 带磁芯电感器(线圈) INDUCTOR3 可调电感器(线圈) INDUCIOR4 带磁芯可调电感器(线圈) POT1 可调电位器(用波浪线表示) POT2 可调电位器(用长矩形表示) RESl 电阻器(用波浪线表示) RES2 电阻器(用长矩形表示) RES3 可调电阻器(用波浪线表示) RES4 可调电阻器(用长矩形表示) RESPACKI 八单元内封装集成电阻器之一(用波浪线表示) DIPl6 RESPACK2 八单元内封装集成电阻器之一(用长矩形表示) DIPl6 RESPACK3 完整的八单元内封装集成电阻器之一(用波浪线表示)DIPl6 RESPACK4 完整的八单元内封装集成电阻器之一(用长矩形表示) DIPl6 TRANSI 带铁芯变压器 TRANS2 带铁芯可调变压器 TRANS3 不带铁芯可调变压器 TRANS4 带铁芯三插头大变压器 TRANS5 带铁芯三插头大变压器 4PIN 4脚插座 FLY4 8PIN 8脚插座 IDC8 16PIN 16脚插座 IDCl6 20PIN 20脚插座 IDC20 26PIN 26脚插座 IDC26 34PIN 34脚插座 IDC34 40PIN 40脚插座 IDC40 50PIN 50脚插座 IDC50 DB9 9芯插座 DB9 DBl5 15芯插座 DBl5 DB25 25芯插座 DB25 DB37 37芯插座 DB37

protel PCB布线精华文章[转] 2008-07-17 21:26 第一篇 PCB布线

在PCB 设计中，布线是完成产品设计的重要步骤，可以说前面的准备工作都是为它而做的，在整个PCB中，以布线的设计过程限定最高，技巧最细、工作量最大。PCB布线有单面布线、双面布线及多层布线。布线的方式也有两种：自动布线及交互式布线，在自动布线之前，可以用交互式预先对要求比较严格的线进行布线，输入端与输出端的边线应避免相邻平行，以免产生反射干扰。必要时应加地线隔离，两相邻层的布线要互相垂直，平行容易产生寄生耦合。

自动布线的布通率，依赖于良好的布局，布线规则可以预先设定，包括走线的弯曲次数、导通孔的数目、步进的数目等。一般先进行探索式布经线，快速地把短线连通，然后进行迷宫式布线，先把要布的连线进行全局的布线路径优化，它可以根据需要断开已布的线。并试着重新再布线，以改进总体效果。

对目前高密度的PCB设计已感觉到贯通孔不太适应了，它浪费了许多宝贵的布线通道，为解决这一矛盾，出现了盲孔和埋孔技术，它不仅完成了导通孔的作用，还省出许多布线通道使布线过程完成得更加方便，更加流畅，更为完善，PCB 板的设计过程是一个复杂而又简单的过程，要想很好地掌握它，还需广大电子工程设计人员去自已体会，才能得到其中的真谛。

1 电源、地线的处理

既使在整个PCB板中的布线完成得都很好，但由于电源、地线的考虑不周到而引起的干扰，会使产品的性能下降，有时甚至影响到产品的成功率。所以对电、地线的布线要认真对待，把电、地线所产生的噪音干扰降到最低限度，以保证产品的质量。

对每个从事电子产品设计的工程人员来说都明白地线与电源线之间噪音所产生的原因，现只对降低式抑制噪音作以表述：

（1）、众所周知的是在电源、地线之间加上去耦电容。

（2）、尽量加宽电源、地线宽度，最好是地线比电源线宽，它们的关系是：地线＞电源线＞信号线，通常信号线宽为：0.2～0.3mm,最经细宽度可达0.05～0.07mm,电源线为1.2～2.5 mm 对数字电路的PCB可用宽的地导线组成一个回路, 即构成一个地网来使用(模拟电路的地不能这样使用) （3）、用大面积铜层作地线用,在印制板上把没被用上的地方都与地相连接作为地线用。或是做成多层板，电源，地线各占用一层。

2 数字电路与模拟电路的共地处理

现在有许多PCB不再是单一功能电路（数字或模拟电路），而是由数字电路和模拟电路混合构成的。因此在布线时就需要考虑它们之间互相干扰问题，特别是地线上的噪音干扰。

数字电路的频率高，模拟电路的敏感度强，对信号线来说，高频的信号线尽可能远离敏感的模拟电路器件，对地线来说，整人PCB对外界只有一个结点，所以必须在PCB内部进行处理数、模共地的问题，而在板内部数字地和模拟地实际上是分开的它们之间互不相连，只是在PCB与外界连接的接口处（如插头等）。数字地与模拟地有一点短接，请注意，只有一个连接点。也有在PCB上不共地的，这由系统设计来决定。

3 信号线布在电（地）层上

在多层印制板布线时，由于在信号线层没有布完的线剩下已经不多，再多加层数就会造成浪费也会给生产增加一定的工作量，成本也相应增加了，为解决这个矛盾，可以考虑在电（地）层上进行布线。首先应考虑用电源层，其次才是地层。因为最好是保留地层的完整性。

4 大面积导体中连接腿的处理

在大面积的接地（电）中，常用元器件的腿与其连接，对连接腿的处理需要进行综合的考虑，就电气性能而言，元件腿的焊盘与铜面满接为好，但对元件的焊接装配就存在一些不良隐患如：①焊接需要大功率加热器。②容易造成虚焊点。所以兼顾电气性能与工艺需要，做成十字花焊盘，称之为热隔离（heat shield）俗称热焊盘（Thermal），这样，可使在焊接时因截面过分散热而产生虚焊点的可能性大大减少。多层板的接电（地）层腿的处理相同。

5 布线中网络系统的作用

在许多CAD系统中，布线是依据网络系统决定的。网格过密，通路虽然有所增加，但步进太小，图场的数据量过大，这必然对设备的存贮空间有更高的要求，同时也对象计算机类电子产品的运算速度有极大的影响。而有些通路是无效的，如被元件腿的焊盘占用的或被安装孔、定们孔所占用的等。网格过疏，通路太少对布通率的影响极大。所以要有一个疏密合理的网格系统来支持布线的进行。

标准元器件两腿之间的距离为0.1英寸(2.54mm),所以网格系统的基础一般就定为0.1英寸(2.54 mm)或小于0.1英寸的整倍数，如：0.05英寸、0.025英寸、0.02英寸等。

6 设计规则检查（DRC）

布线设计完成后，需认真检查布线设计是否符合设计者所制定的规则，同时也需确认所制定的规则是否符合印制板生产工艺的需求，一般检查有如下几个方面：

（1）、线与线，线与元件焊盘，线与贯通孔，元件焊盘与贯通孔，贯通孔与贯通孔之间的距离是否合理，是否满足生产要求。

（2）、电源线和地线的宽度是否合适，电源与地线之间是否紧耦合（低的波阻抗）？在PCB中是否还有能让地线加宽的地方。

（3）、对于关键的信号线是否采取了最佳措施，如长度最短，加保护线，输入线及输出线被明显地分开。

（4）、模拟电路和数字电路部分，是否有各自独立的地线。

（5）后加在PCB中的图形（如图标、注标）是否会造成信号短路。（6）对一些不理想的线形进行修改。

（7）、在PCB上是否加有工艺线？阻焊是否符合生产工艺的要求，阻焊尺寸是否合适，字符标志是否压在器件焊盘上，以免影响电装质量。

（8）、多层板中的电源地层的外框边缘是否缩小，如电源地层的铜箔露出板外容易造成短路。

下面的问题，属于网友经常提问的。现在把问题和解答整理出来。 A.常用软件的下载问题 B.Protel常见操作问题 C.Protel中常用元件的封装

D.由SCH生成PCB时提示出错(Protel) E.电容，二极管，三极管，有源晶振等器件的极性 F.不同逻辑电平的接口

G.电阻，电容值的识别

A.常用软件的下载问题：

B.Protel常见操作问题: ★如何将原理图中的电路粘贴到Word中

tools->preferences->Graphical Editing,取消Add Template to Clipboard,然后复制

★如何切换mil和mm单位

菜单View->Toggle Unit，或者按Q键

★取消备份及DDB文件减肥：

\"File\"菜单左边一个向下的灰色箭头 preference-->create backup files design utilities-->perform.compact after closing

★如何把SCH，PCB输出到PDF格式

安装Acrobat Distiller打印机，在acrobat 5.0以上版本中带的。然后在Protel里的打印选项里，

选择打印机acrobat Distiller即可。

★如何设置和更改Protel的DRC(Design Rules Check）

菜单Design->rules。只针对常用的规则进行讲解：

* Clearance Constraint:不同两个网络的间距，一般设置>12 mil，加工都不会出问题

* Routing Via Style:设置过孔参数，具体含义在属性里有图。一般hole size比导

线宽8mil以上，diameter 比hole size大10mil 以上

* Width Constraint:导线宽度设置，建议>10mil

C.Protel中常用元件的封装

以下元件在Protel DOS Schematic Libraries.ddb,Miscellaneous Devices.ddb(以上

是schlib)Advpcb.ddb,Transistors.ddb,General IC.ddb(以上是PCBlib)等库文件中，可

以使用通配符“*”进行查找。另外，希望大家把自己做的封装传到ftp上共享，这样可

以节省时间。

直插表贴

电阻，小电感 axial0.3/axial0.4 0805/0603等小电容 RAD0.1/ RAD0.2 0805/0603等电解电容 (RB.2/.4) 1210/1812/2220等小功率三极管 TO-92A/B SOT-23 大功率三极管(三端稳压) T0-220 小功率二极管 DIODE-0.4 自己做双列IC DIPxx SO-xx xx代表引脚数

有源晶振 DIP14(保留四个顶点,去掉中间10个焊盘) 四方型IC 大部分需要自己用向导画,尺寸参照datasheet 接插件 SIPxx/IDCxx,DB9/DB25(注意male/female的区别)等

电位器，开关，继电器等买好了元件，量好尺寸自己画提醒:*使用封装时最好少用水平/垂直翻转功能

*自己建好的元件库或者PCB，一定要1:1的打印出来，和实际比较，以确保无误

*有条件的话，尽量先买好器件，再定封装，可以节省很多眼泪

D.由SCH生成PCB时提示出错(Protel)

sch编辑界面中选择design-->updatepcb,在出现的对话框中按“Preview Change”按钮

，选中 Only show Errors会列出所有错误

错误类型解决办法 1.footprint not found 确保所有的器件都指定了封装

确保指定的封装名与PCB中的封装名一致

确保你的库已经打开或者被添加

2.node not found 确认没有“footprint not found” 类型的错误

编辑PCBlib,将对应引脚名改成没有找到的那个node 3.Duplicate sheet number degisn-options-organization,给每张子电路图编号

E.电容，二极管，三极管等器件的极性问题:

直插铝电解：负极附近有黑色的“-”标记，如果没有剪腿的话，长腿为正贴片钽电解：有横杠的一头为正二极管：有圈的一头为负小功率三极管 ____________________________ 贴片(SOT-23): 直插(TO-92)美国标准 | 有源晶振 | C /^^/| | (以DIP14的引脚位置作参考)| _[]_ (俯视图) |^^^||(正视图) | ___ | | | |___|| | NC 1 -|。 |-14 VCC | []--[] | | | | | | | B E | | | | GND 7 -|___|-8 OUT | E B C |____________________________|

F.不同逻辑电平的接口问题:

CMOSTTL 电源电压相同的条件下可以兼容

3.3V--->5V 一般可以直接驱动(以datasheet为准!) 5V--->3.3V 74LVT245/74LVT16245 5V3.3V 74LVC4245/74LVC16245 ECL-->TTL MC10125 TTL-->ECL MC10124

G.电阻，电容值的识别

色环电阻: 黑棕红橙黄绿蓝紫灰白

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

最后一环表示精度,离其他几环比较远(一般是棕色) 倒数第二环表示阶数(10^n) 前面的是有效数字

例: “绿棕黑黑棕”这个电阻是510欧

小电容: 通常以三位数标注,以pf为单位

前两位是有效数字,最后一位表示阶数（为0时，可以空缺): 例:“332”这个电容是3300 pf “471”这个电容是470pf “47”这个电容是47pF

一些封装

2008-07-09 17:44 2008-03-20 11:35 网上抄来的

元件封装是元件在电路板是存在的形势，Footprint那栏是元件封装栏，要自己输入，比如电阻可以用AXIAL0.3等等 protel99常用元件的电气图形符号和封装形式

1.标准电阻：RES

1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES

3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K）

4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO

18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）

以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的90

13、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！

5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。

6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR

1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR

3、INDUCTOR4（可变电感）

8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，

不如40管脚的单片机封装为DIP40。

11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。

12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1

13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4）

14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！

15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！

16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。

17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。

最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！

常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件) protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类） protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类)

你也可以新建一个PCB，然后在library下找到对应的封装名，在生成PCB之前所有元件都要封装，而且元件存号不能重复。

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protel元件封装 2008-07-05 06:14

元件封装是元件在电路板是存在的形势，Footprint那栏是元件封装栏，要自己输入，比如电阻可以用AXIAL0.3等等

protel99常用元件的电气图形符号和封装形式

1.标准电阻：RES

1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES

4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO

18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）

以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的90

13、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！

5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。

6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR

1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR

3、INDUCTOR4（可变电感）

8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，

不如40管脚的单片机封装为DIP40。

11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。

12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1

13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4）

14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！

15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！

16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。

17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。

最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！

你也可以新建一个PCB，然后在library下找到对应的封装名，在生成PCB之前所有元件都要封装，而且元件存号不能重复。百度词条中的介绍：元件封装简介 [编辑本段] 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。元件符号和封装属性 [编辑本段] 元件名称元件符号封装属性

电阻 RES1-RES4 AXIAL系列从AXIAL-0.3到AXIAL-1.0，后缀数字代表两焊盘的间距，

单位为Kmil.无极性电容 CAP RAD-0.1到RAD-0.4 有极性电容 ELECTRO RB.2/.4到RB.5/1.0 瓷片电容 RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容： RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般

用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 电位器原 POT1和POT2 VR-1到VR-5.普通二极管 DIODE DIODE0.4和DIODE 0.7 肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY DIODE0.4和DIODE 0.7 隧道二极管 DUIDE TUNNEL DIODE0.4和DIODE 0.7 变容二极管 DIODE VARCTOR DIODE0.4和DIODE 0.7 稳压二极管 ZENER1~3 DIODE0.4和DIODE 0.7 发光二极管 RB.1/.2 三极管 NPN,NPN1,PNP，PNP1 TO

18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）

N沟道结型场效应管 JFET N TO18 P沟道结型场效应管 JFET P TO18 N沟道增强型管 MOSFET N TO18

P沟道增强型管 MOSFET P TO18 整流桥 BRIDGE1和BRIDGE2 D系列，如D-44，D-37，D-46等。

单排多针插座 CON CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 .双列直插元件根据功能的不同而不同 DIP系列。

串并口类原理图 DB DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列

电源稳压块78系列 7805，7812 TO126h和TO126v 电源稳压块79系列 7905，7912 TO126h和TO126v 集成块： DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚总述

[编辑本段] 关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0无极性电容 RAD0.1-RAD0.4有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7.零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡（也可手焊）,成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。

电阻 AXIAL 无极性电容 RAD 电解电容 RB- 电位器 VR 二极管 DIODE 三极管 TO 电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V 场效应管和三极管一样整流桥 D－44 D－37 D－46 单排多针插座 CON SIP 双列直插元件 DIP 晶振 XTAL1 电阻：RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）

三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管）

电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等 79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44,D-37,D-46）

电阻： AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。

其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般470uF用RB.3/.6 二极管： DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块： DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚,８脚的就是DIP8 贴片电阻

0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 关于零件封装我们在前面说过,除了DEVICE。LIB库中的元件外,其它库的元件都已经有了

固定的元件封装,这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：

晶体管是我们常用的的元件之一,在DEVICE。LIB库中,简简单单的只有NPN与PNP之分,但

实际上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3,如果它是NPN的2N3054,则有

可能是铁壳的TO-66或TO-5,而学用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,还有TO-5,TO-46,TO-5 2等等,千变万化。

还有一个就是电阻,在DEVICE库中,它也是简单地把它们称为RES1和RES2,不管它是100Ω

还是470KΩ都一样,对电路板而言,它与欧姆数根本不相关,完全是按该电阻的功率数来决

定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻,都可以用AXIAL0.3元件封装,而功率数大一点的话

,可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 无极性电容 RAD0.1-RAD0.4 有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0 二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7 石英晶体振荡器 XTAL1 晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可变电阻（POT

1、POT2） VR1-VR5 当然,我们也可以打开C:\\Client98\\PCB98\\library\\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。

这些常用的元件封装,大家最好能把它背下来,这些元件封装,大家可以把它拆分成两部分

来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3,AXIAL翻译成中文就是轴状的,0.3则是该电阻在印

刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里,是以英制单位为主的。同样

的,对于无极性的电容,RAD0.1-RAD0.4也是一样;对有极性的电容如电解电容,其封装为R B.2/.4,RB.3/.6等,其中“.2”为焊盘间距,“.4”为电容圆筒的外径。对于晶体管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶体管,就用TO—3,中功率的晶体管

,如果是扁平的,就用TO-220,如果是金属壳的,就用TO-66,小功率的晶体管,就用TO-5 ,TO-46,TO-92A等都可以,反正它的管脚也长,弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路,有DIPxx,就是双列直插的元件封装,DIP8就是双排,每排有4个引

脚,两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻,它们的包装才是最令人头痛的,同样的包装,其管脚

可不一定一样。例如,对于TO-92B之类的包装,通常是1脚为E（发射极）,而2脚有可能是

B极（基极）,也可能是C（集电极）;同样的,3脚有可能是C,也有可能是B,具体是那个

,只有拿到了元件才能确定。因此,电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称）,同样的

,场效应管,MOS管也可以用跟晶体管一样的封装,它可以通用于三个引脚的元件。

Q1-B,在PCB里,加载这种网络表的时候,就会找不到节点（对不上）。在可变电阻上也同样会出现类似的问题;在原理图中,可变电阻的管脚分别为

1、W、及2, 所产生的网络表,就是

1、2和W,在PCB电路板中,焊盘就是1,2,3。当电路中有这两种元

件时,就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后,直接在网络表中,将晶

体管管脚改为1,2,3;将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1,2,3即可。

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PCB设计中的常见问题 2008-06-13 13:00 下面的问题，属于网友经常提问的。现在把问题和解答整理出来。 A.常用软件的下载问题 B.Protel常见操作问题 C.Protel中常用元件的封装

D.由SCH生成PCB时提示出错(Protel) E.电容，二极管，三极管，有源晶振等器件的极性 F.不同逻辑电平的接口 G.电阻，电容值的识别 A.常用软件的下载问题：

★Protel99se,Protel2004从哪里可以下载到 ......

B.Protel常见操作问题: ★如何将原理图中的电路粘贴到Word中

tools->preferences->Graphical Editing,取消Add Template to Clipboard,然后复制

★如何切换mil和mm单位

菜单View->Toggle Unit，或者按Q键

★取消备份及DDB文件减肥：

\"File\"菜单左边一个向下的灰色箭头 preference-->create backup files design utilities-->perform compact after closing

★如何把SCH，PCB输出到PDF格式

安装Acrobat Distiller打印机，在acrobat 5.0以上版本中带的。然后在Protel里的打印选项里，

选择打印机acrobat Distiller即可。

★如何设置和更改Protel的DRC(Design Rules Check）

菜单Design->rules。只针对常用的规则进行讲解：

* Clearance Constraint:不同两个网络的间距，一般设置>12 mil，加工都不会出问题

* Routing Via Style:设置过孔参数，具体含义在属性里有图。一般hole size比导

线宽8mil以上，diameter 比hole size大10mil 以上

* Width Constraint:导线宽度设置，建议>10mil

C.Protel中常用元件的封装

以下元件在Protel DOS Schematic Libraries.ddb,Miscellaneous Devices.ddb(以上

是schlib)Advpcb.ddb,Transistors.ddb,General IC.ddb(以上是PCBlib)等库文件中，可

以使用通配符“*”进行查找。另外，希望大家把自己做的封装传到ftp上共享，这样可

以节省时间。

直插表贴

有源晶振 DIP14(保留四个顶点,去掉中间10个焊盘) 四方型IC 大部分需要自己用向导画,尺寸参照datasheet 接插件 SIPxx/IDCxx,DB9/DB25(注意male/female的区别)等

电位器，开关，继电器等买好了元件，量好尺寸自己画提醒:*使用封装时最好少用水平/垂直翻转功能

*自己建好的元件库或者PCB，一定要1:1的打印出来，和实际比较，以确保无误

*有条件的话，尽量先买好器件，再定封装，可以节省很多眼泪

D.由SCH生成PCB时提示出错(Protel)

sch编辑界面中选择design-->updatepcb,在出现的对话框中按“Preview Change”按钮

，选中 Only show Errors会列出所有错误

错误类型解决办法 1.footprint not found 确保所有的器件都指定了封装

确保指定的封装名与PCB中的封装名一致

确保你的库已经打开或者被添加

2.node not found 确认没有“footprint not found” 类型的错误

编辑PCBlib,将对应引脚名改成没有找到的那个node 3.Duplicate sheet number degisn-options-organization,给每张子电路图编号

E.电容，二极管，三极管等器件的极性问题:

F.不同逻辑电平的接口问题:

CMOSTTL 电源电压相同的条件下可以兼容

3.3V--->5V 一般可以直接驱动(以datasheet为准!) 5V--->3.3V 74LVT245/74LVT16245 5V3.3V 74LVC4245/74LVC16245 ECL-->TTL MC10125 TTL-->ECL MC10124

G.电阻，电容值的识别

色环电阻: 黑棕红橙黄绿蓝紫灰白

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

最后一环表示精度,离其他几环比较远(一般是棕色) 倒数第二环表示阶数(10^n) 前面的是有效数字

例: “绿棕黑黑棕”这个电阻是510欧

小电容: 通常以三位数标注,以pf为单位

前两位是有效数字,最后一位表示阶数（为0时，可以空缺): 例:“332”这个电容是3300 pf “471”这个电容是470pf “47”这个电容是47pF

2008-03-20 11:35 元件封装是元件在电路板是存在的形势，Footprint那栏是元件封装栏，要自己输入，比如电阻可以用AXIAL0.3等等

protel99常用元件的电气图形符号和封装形式

1.标准电阻：RES

1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES

18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）

以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的90

13、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！

5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。

6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR

1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR

3、INDUCTOR4（可变电感）

8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，

不如40管脚的单片机封装为DIP40。

11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。

12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1

13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4）

14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！

15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！

16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。

17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。

最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！

PCB设计的要点和注意事项 2007-08-28 20:32 PCB设计的要点和注意事项

要成为PCB高手，就要熟练常用的快捷键按Shift点器件选择

Ctrl+c 复制 Ctrl+v 粘贴

Shift+delete或者Ctrl+delete 删除已选部分用得最快的还是Ctrl+delete 一按下就立杆见影

Shift+delete确切的讲是剪切命令按下该组合键后还要用十字光标点击所选元件才可以

剪切这相当是一种变相的删除当然也可以用Ctrl+X 小键盘区的 + - * 都可以切换layer 空格旋转

X x方向镜像 Y y方向镜像

V、U 单位切换单位切换的另外一个更快的方法就是按Q Shift+空格线的拐角方式选择原理图绘制注意点

1、预防GND和VCC短路对于放置的电源端口，双击看属性对话框中的Net中的名称是不是正确的，如果电源端口的形状是正极(一个圆圈)但是属性对话框中的Net却是GND，那可就错了

2、ERC检查非常重要

一定要ERC检查SCH的连线是否有问题，基本上可以消除漏连，重复编号等错误。

3、原理图中器件封装的加入技巧及netlist的生成 a.元器件全部加入封装名少数封装不一定要完全正确，只要原理图元件PIN的数量(Number)和PCB封装引脚

编号(Designator)对应即可，只要保证PCB NETLIST 导入完全通过，可以在LAYOUT PCB时再修改。 b.部分元器件加入封装名

在PCB NETLIST 导入前放上未加封装的器件，并事前编号 c.简单原理图不加入封装名

在PCB NETLIST 导入前放上未知器件，并事前编号。这样做的原因和好处：

在有些器件没有看到实样前，一样可以做好准备工作，并可以先连已知的部分，不必把大量时间浪费，因为在LAYOUT时同样可以修改封装，可以方便的移植其他PCB中的怪异封装，可以确保导入NETLIST导入完全通过,而不必反复修改SCH中器件的封装。 PCB Layout 注意点

打印一分准确的原理图：

布局时,按电路图将电路划成不同的功能模块,如电源部分,驱动部分,cpu部分放置,然后根据pcb的尺寸和安装整体移动各相关模块,这样就能保证相同模块内的走线最短,各个模块之间的连接最合理。所以说，要画PCB首先要搞弄SCH的原理。怎样画出一块准确PCB板

1.SCH原理图本身的准确及ERC的完全通过 2.PCB Netlist导入完全通过注意几点：

1、有些器件典型库中SCHLIB和PCBLIB 引脚编号是不同的。

NPN的封装PIN名称是1,2,3，而库是 E,B,C的话是通不过的

3、SCH 中NETLABLE的不能超过八个字符。只要元器件引脚的NUMBER和封装一样一定能 100%通过，可以采用上述SCH中加封装的方法。

怎样画出一块符合电气特性的PCB板布线规则

1、再次强调布局和走线一定要按原理图进行，走线要短。

2、地线,电源线尽量加粗,高、低速和模、数地线分开一点接线。

3、一般而言,35um厚的铜箔,1mm宽能走1A的电流。

4、7805前的滤波电容一般为1A/1000uF，每个IC的电源脚建议用104的电容进行滤波，防止长线干扰。

5、CPU的晶振走线一定要短，并用尽量用地线包住。怎样画出一块漂亮的PCB板有关铺铜：铺铜的作用：

1、当然是美观了

2、把铺铜和地线连接可以起到屏蔽作用

3、减少腐蚀液的浪费有关引脚：

1、单面板时焊盘尽量大，以增加附着力

2、补泪滴:为了加强焊盘和引线交*处的强度（避免钻孔时引线和焊盘之间出现断裂）

推荐第3篇：封装阳台承诺书

封装阳台承诺书

本人出于生活及使用的需要，欲自行联系商家对本人所属位于成都市温江区“锦秀城”

栋

单元

楼

号阳台进行窗户封闭，为确保小区整体美观和协调，本人作如下承诺：

一、严格按照物业服务中心的管理规定制作窗户，包括：外形尺寸、样式、和规格、配件、颜色及制作工艺等（五层以下住户封装窗户材料采用塑钢或彩色铝合金，五层以上住户封装窗户材料采用彩色铝合金，玻璃颜色均为无色）。

二、同意不使用大玻璃封闭阳台。

三、同意不拆除阳台与飘窗的防护栏杆。

四、本人对因阳台进行窗户封闭造成的一切事故及后果承担全部法律责任。包括但不仅限于：因封装窗户材料（整体或零件）坠落造成人员伤亡及公共设施设备损害等。

五、遵守物业服务中心规定，接受物业服务中心对封装阳台的监督，对物业服务中心提出的意见进行及时整改。

六、如因政府相关部门要求拆除，一切责任由本人承担。

特此承诺

业主（承诺人）签字：

年

月

日

推荐第4篇：先进封装技术

先进封装技术发展趋势

2009-09-27 | 编辑： | 【大中小】【打印】【关闭】

作者：Mahadevan Iyer, Texas Instruments, Dallas

随着电子产品在个人、医疗、家庭、汽车、环境和安防系统等领域得到应用，同时在日常生活中更加普及，对新型封装技术和封装材料的需求变得愈加迫切。

电子产品继续在个人、医疗、家庭、汽车、环境和安防系统等领域得到新的应用。为获得推动产业向前发展的创新型封装解决方案（图1），在封装协同设计、低成本材料和高可靠性互连技术方面的进步至关重要。

图1.封装技术的发展趋势也折射出应用和终端设备的变化。

在众多必需解决的封装挑战中，需要强大的协同设计工具的持续进步，这样可以缩短开发周期并增强性能和可靠性。节距的不断缩短，在单芯片和多芯片组件中三维封装互连的使用，以及将集成电路与传感器、能量收集和生物医学器件集成的需求，要求封装材料具有低成本并

易于加工。为支持晶圆级凸点加工，并可使用节距低于60μm凸点的低成本晶圆级芯片尺寸封装（WCSP），还需要突破一些技术挑战。最后，面对汽车、便携式手持设备、消费和医疗电子等领域中快速发展的MEMS器件带来的特殊封装挑战，我们也要有所准备。

封装设计和建模

建模设计工具已经在电子系统开发中得到长期的使用，这包括用于预测基本性能，以保证性能的电学和热学模型。借助热机械建模，可以验证是否满足制造可行性和可靠性的要求。分析的目标是获得第一次试制时就达到预期性能的设计。随着电子系统复杂性的增加以及设计周期的缩短，更多的注意力聚焦于如何将建模分析转换到设计工程开始时使用的协同设计工具之中，优化芯片的版图和架构并进行必要的拆分，以最低成本的付出获得最高的性能。

为实现全面的协同设计，需要突破现今商业化建模工具中存在的一些限制。目前的工具从CAD数据库获得输入，通常需要进行繁杂的操作来构建用于物理特性计算的网格。不同的工具使用不同IP的特定方法来划分网格，因而对于每种工具需要独立进行网格的重新划分。重复的网格划分会浪费宝贵的设计时间，也会增加建模成本。网格重新划分也限制了在这三种约束下进行多个参数折中分析的可行性。

图2.复杂的芯片叠层和互连方案需要谨慎的机械和电学建模

未来的工具必须通过访问同一个CAD数据库，在所有这三个约束下进行迭代分析，不需要用户干预就可自动进行网格划分，并通过合适参数的成本-功能最小化来优化设计。软件工具提供商要么考虑这些关键需求，要么去冒出局的风险（图2）。

电学建模的目标是精确地分析整个系统，包括从源芯片和封装体通过对应PCB板进入要接收的芯片内部。不断增加的系统性能和结构复杂性，给电学建模提出了很大挑战。在较高频率下，系统中较多的结构接近相当大比例的波长尺寸，将伴生有电磁干扰（EMI）的耦合风险。所用传输线或波导器件数目的增加，使得时序分析更加关键，也要求将诸如介质层厚度和连线宽度等制造误差包含进去。对于叠层芯片、叠层封装等三维封装以及穿透硅通孔（TSV）等互连技术，工程师必须考虑与芯片顶部和芯片底部结构的耦合。为应对这些新出现的复杂性，业界需要新型求解算法和问题分割来突破目前在求解速度和问题规模方面的限制。

工程师使用热学建模来优化芯片、封装和系统的功率承载能力，确保在使用过程中芯片不

会超过结温限制。热学问题通常是一个系统（甚至包括使用芯片的结构）问题，因为系统和结构是造成一个独立芯片热沉的原因。必须考虑空气流动、系统内部构造、外部环境、临近组件位置以及其他一些因素，以准确预测系统工作温度。三维封装将功率集中于更小体积之内，需要进行充分的测量来管理增加的功率密度，要在芯片热点分布的分辨率水平上进行分析。在这种系统复杂性水平上，进行热学建模面临很大挑战，业界正进行广泛合作来为不同等级的域开发合适的集总模型和边界条件。

热机械分析主要为了确保电子组件最优的制造可行性和可靠性，同时也指导新型TSV技术的可靠性研究和片上介质层的材料选择。系统设计则集中于冲击负荷和振动条件下如何提高可靠性。MEMS也需要协同设计，需要在各种封装应力下调节器件性能。最重要的是，工程师必须了解诸如热膨胀、模量、拉伸强度、粘性行为和疲劳行为等材料性能，来提供有效的可靠性预测。不仅要在室温条件下获取粘性和疲劳特性，还需要在焊球回流温度和温度循环极限条件下获取。

互连

传统的互连选择包括在成本敏感的高性能应用中的引线键合和焊球倒装芯片。随着电子产业更加转向消费类产品，即使对于高性能产品，成本也变得更加重要。消费类产品所需的便携性也增加了尺寸的重要性，推动了引线键合以及焊球倒装芯片互连节距的降低，也为新型互连技术的发展提供了动力。

在某些情况下节距低于150μm，传统的焊料凸点倒装芯片互连已不能提供足够的可制造性或可靠性，除了尺寸最小的芯片外。芯片与衬底的支起高度已经达到或低于凸点的半节距，影响了倒装芯片器件的可制造性和可靠性。在一些临界值下，由于邻近凸点以及芯片与衬底表面构成的通道非常小，芯片下填充物流动的阻力超过了毛细管效应提供的动力。

图3.图示铜柱拥有2.5:1的高宽比

实际应用中越来越多的采用带有焊料帽的铜柱来替代传统的焊球凸点，这种铜柱可提供与引线键合节距相同的倒装芯片方案。与焊球互连不同，基于铜柱的互连可以拥有大于1:1的高度直径比。对于给定的芯片节距，与焊球互连相比，铜柱之间以及芯片与衬底之间的间隙要大得多，从而可以获得更好的可制造性和可靠性。增加支起高度带来的不利影响是芯片与衬底间共面容差的降低，因为减小的焊料高度只能容许更小的接合高度变化。

铜柱互连技术的研究仍处于高校研发阶段。它的潜在好处包括：全铜结构（没有焊料或者金属间化合物）带来的较高的结构整体性，低于25μm的互连节距，以及因更高的高宽比（大于等于4:1）和互连强度而不需要进行底部填充。铜柱通过电镀的方式在芯片和/或衬底上制作，接合工艺使用化学镀铜的方式填充铜柱间或铜柱与焊盘间的空隙（图3）。它允许相对大的芯片和衬底间的共面容差。

材料

新材料推动不同的工艺相互作用，并改变互连、界面和可靠性等对应的物理特性。举例来说，在键合中转而使用铜线将带来新的现象，必须进行相应研究和表征。

绿色材料的引入大大影响了引线框架封装的可制造性、成本以及可靠性。其他的一些因素

包括，诸如汽车发动机腔体的高温环境，高电压（500-1000V）需求，用于高功率IC的高导电率芯片粘结材料，以及用于高电流承载的厚导体。在引线框架、模塑混合物和互连线中使用的传统材料的替代品正在出现，这包括铝引线框架、无金丝互连，以及与超薄芯片一起使用的低成本注模技术。

对于大多数倒装芯片封装来说，底部填充需使用另一种关键材料。目前的底部填充材料必须满足一些相互冲突的需求。它们必须在填充过程中表现良好，必须在不断缩小的空隙间迅速流动，必须可以保护焊球连接和有效电路免受热机械应力的影响，还必须在多次暴露于高温高湿环境之后保持性能。最新的底部填充材料使用尺寸分布较窄的亚微米填充物和多种添加剂，这些添加剂可以调节材料的粘性、模量、热膨胀系数（CTE）和玻璃转化温度（Tg），在保证使用超低k介质的有效电路叠层的低应力情况下成功增强新型硬质无铅焊料的性能。

在选择底部填充材料过程中，工程师们必须同时考虑在芯片粘结回流工艺中使用的助焊剂。无铅焊料使用的助焊剂比铅锡焊料使用的助焊剂更加有效，后者通常引起比较讨厌的回流后助焊剂残留物。这些残留物将与底部填充材料反应，形成性能不佳的混合物。一种潜在的解决方法是使用可清洁的助焊剂并在施加底部填充材料之前去除掉残留物。这一方法需要额外的设备和工艺步骤。如果使用免清洗助焊剂，将会存在一些残留物，在助焊剂残留物存在的情况下，必须对对应底部填充材料的表现进行表征（图4）。

图4.温度循环测试之后对应没有优化（上图）和最优化（下图）的助焊剂-底部填充材

料组合的剖面图。

窄节距凸点技术

部分游戏和无线领域使用或者正在考虑使用凸点节距低于60μm的倒装芯片封装，而标准的凸点节距为150μm。逐渐被采用的潜在解决方案包括缩小凸点的尺寸或者使用顶部覆盖一层焊料的较厚的钉头（stud）来提供芯片与衬底间的支撑高度。节距更密集的凸点以及提高电镀铜厚度的可能性为该领域材料和工艺的选择带来挑战和机遇。

对于通过电镀制作的凸点而言，首先面临的挑战是光刻胶材料的选择。制作这种节距范围的凸点，需要进行受控电镀，而非快速扩散的电镀，需采用较厚的光刻胶，高宽比可能超过3:1。采用正性和负性光刻胶都可以得到所需的厚度。正性光刻胶具有易控制形状和去胶方便的优势，而负性光刻胶具有易控制曝光能量和显影时间的优势。目前为止，选用的光刻胶已经可以将高宽比做到4:1，仅就图形的高宽比而言，已经得到了比预期更突出的能力。在化学浸润高的高宽比结构方面，一些材料表现出较强的能力或挑战。

高高宽比光刻胶开口给电化学带来了浸润性的挑战。而且，铜厚度的增加需要更高的电镀速度来保持产能。然而，电镀结构的均匀性趋于与电镀速度相关，需要电镀技术的进一步发展来获得令人满意的结果。

小尺寸结构还影响工具和化学组分的选择。在制作150μm或更大节距的凸点时，凸点结构为电镀工具和化学组分的选择保留了比较宽的工艺窗口。批量工具和强腐蚀的化学品会引起凸点结构较大的侧向钻蚀，如果特征尺寸由80μm减小到30μm时，这种钻蚀会严重影响质量。这些挑战可由使用单晶圆工具和反应不那么强烈的刻蚀化学品来解决。

更密集的凸点节距在大于60μm时，通过正确选择材料、工具和工艺优化可以获得重复性优异的高产能工艺。对于电镀工艺来说，优化时需要覆盖光刻工具和材料、电镀化学浸润性和

电镀速度，以及去胶和刻蚀工具与工艺等方面。

WCSP

晶圆级芯片尺寸封装（WCSP）应用范

围在不断扩展并进入新的领域，而且根据引脚数目和器件类型细分市场。无源器件、分立器件、RF和存储器件的份额不断提高，并开始进入逻辑IC和MEMS之中。随着芯片

尺寸和引脚数目的增加，板级可靠性成为一大挑战。

在过去的十年间，低引脚数目的WCSP部分已经变得非常成熟，众多厂家使用不同尺寸的晶圆不断推出高产量应用，并不断扩展面向不同市场的产品空间。随着基础设施建立的完成，并且也已经实现量产，下一个主要聚焦的方面是降低成本，这对于低引脚数目的器件来说尤为关键，同时对高数目引脚的器件来说也很重要，包括300mm晶圆。

较高引脚数目带来新的挑战，在一些因硅面积的限制导致扇入技术不能胜任的案例中，引入了扇出技术。这些技术存在制造和成本挑战，一个例子是在一个较大承载衬底上放置芯片的精度问题。扇出技术在系统级封装（SiP）中也存在应用潜力，而且可以是一个过渡性的方法，或者可以与诸如TSV叠层封装等替代性方案进行竞争。

简化现有结构可以实现成本节约，另一个节约的来源是与材料供应商合作开发下一代材料。

针对MEMS的特殊考虑

SiP技术已经开始集成MEMS器件，以及其他的一些逻辑和面向特定应用的电路。MEMS应用覆盖了惯性/物理、RF、光学和生物医学等领域，而且这些应用要求使用不同种类的封装，比如开腔封装、过模封装、晶圆级封装和一些特殊类型的密闭封装。这些微系统必须具备可以

在潮湿、盐渍、高温、有毒和其他恶劣环境中工作的能力（图5）。

图5.扇出技术使用再分布层或者其他替代物，有可能与使用TSV的叠层封装进行竞争

使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。TSV与晶圆级封装的结合可以获得更小的填充因子。潜在的应用包括光学、微流体和电学开关器件等。

医疗、安防、汽车和环境应用是电子产业中出现的具备高增长潜力的领域。大多数的这些应用需要将传感器或MEMS与IC作为系统的一部分。独立系统通过使用电池或能量提取技术以很低的功率进行工作。这类器件在个人医疗中的广泛应用将依赖于它们的效用、使用方便性以及价格。

在医疗器件方面，MEMS具有很多机会，这包括体外诊断、芯片上实验室以及药物供给等。基于MEMS的微流体技术将是支撑这些应用的一项关键技术。其他的一些机遇包括三轴加速度计、压力传感器、能量收集器以及用于听觉器件的硅微麦克风。可植入器件同样需要特别的封装，以在人体内恶劣的环境下保持可靠的性能。

降低封装成本是MEMS器件面临的最大挑战，而这推动着更多的标准化和封装在填充因子方面通用性的发展。其他的一些关键性挑战包括应力管理（特别是对于压力和惯性传感器）、避免污染杂质、组装位置偏差、压力控制以及密闭性等。

结论

先进封装在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上发挥着至关重要的作用。在芯片-封装协同设计以及为满足各种可靠性要求而使用具成本效益的材料和工艺方面，还存在很多挑战。为满足当前需求并使设备具备高产量大产能的能力，业界还需要在技术和制造方面进行众多的创新研究。在能量效率、医疗护理、公共安全和更多领域，都需要创新的封装解决方案。

推荐第5篇：元件封装小结

元件封装小结

本文来自网络

电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列

无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5

二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)

三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)

电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等

79系列有7905，7912，7920等

常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）

电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。

其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般470uF用RB.3/.6

二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4

发光二极管：RB.1/.2

集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻

0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下：

0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W

1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：

0402=1.0mmx0.5mm

0603=1.6mmx0.8mm

0805=2.0mmx1.2mm

1206=3.2mmx1.6mm

1210=3.2mmx2.5mm

1812=4.5mmx3.2mm

2225=5.6mmx6.5mm

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也

可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把 SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。

关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：

千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话

，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件

AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容

RAD0.1-RAD0.4

有极性电容

RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管

DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器

XTAL1

晶体管、FET、UJT

TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻（POT

1、POT2）

VR1-VR5

当然，我们也可以打开C:\\Client98\\PCB98\\library\\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL 翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的

，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是 100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装

，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有

拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以

通用于三个引脚的元件。Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原

理图中，可变电阻的管脚分别为

1、W、及2，所产生的网络表，就是

1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元件时，

就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。

[原创]把Protel99 se中看不见的都显示出来大家遇到过这样的问题：

在Protel99或Protel99 se中很多的对话框中的英文单词的尾部都没能显示出来，像一把刀切下去把后面的丢走了一样。其实这是protel99和protel99 se的一个小毛病：系统的字体字号选得不合适，该不会是Protel公司给广大用户搞的一个小恶作剧吧?好让我们也开动一下脑筋,呵呵! 下面我们就来解决这个问题：

1、启动Protel

2、观察一下在菜单栏的File字母左边是不是有一个向下的箭头?点击它看看

3、在弹出的菜单中选Preferences

4、点击Change System Font按钮(在Help按钮上方)

5、在字体对话框中的选择如下：

字体：MS Sans Serif 字型：常规

大小：8 (这个致关重要)

6、点击确定按钮就完成了，这回以前看不到的字母现在都可以看到了，是不是很爽?

开关电源的PCB设计规范开关电源的PCB设计规范

本文来自网络

在任何开关电源设计中，PCB板的物理设计都是最后一个环节，如果设计方法不当，PCB可能会辐射过多的电磁干扰，造成电源工作不稳定，以下针对各个步骤中所需注意的事项进行分析:

一、从原理图到PCB的设计流程建立元件参数－>输入原理网表->设计参数设置->手工布局->手工布线->验证设计－>复查->CAM输出。

二、参数设置相邻导线间距必须能满足电气安全要求，而且为了便于操作和生产，间距也应尽量宽些。最小间距至少要能适合承受的电压，在布线密度较低时，信号线的间距可适当地加大，对高、低电平悬殊的信号线应尽可能地短且加大间距，一般情况下将走线间距设为8mil。焊盘内孔边缘到印制板边的距离要大于1mm，这样可以避免加工时导致焊盘缺损。当与焊盘连接的走线较细时，要将焊盘与走线之间的连接设计成水滴状，这样的好处是焊盘不容易起皮，而是走线与焊盘不易断开。

三、元器件布局实践证明，即使电路原理图设计正确，印制电路板设计不当，也会对电子设备的可*性产生不利影响。例如，如果印制板两条细平行线*得很近，则会形成信号波形的延迟，在传输线的终端形成反射噪声；由于电源、地线的考虑不周到而引起的干扰，会使产品的性能下降，因此，在设计印制电路板的时候，应注意采用正确的方法。每一个开关电源都有四个电流回路： (1).电源开关交流回路 (2).输出整流交流回路

(3).输入信号源电流回路

(4).输出负载电流回路输入回路通过一个近似直流的电流对输入电容充电，滤波电容主要起到一个宽带储能作用；类似地，输出滤波电容也用来储存来自输出整流器的高频能量，同时消除输出负载回路的直流能量。所以，输入和输出滤波电容的接线端十分重要，输入及输出电流回路应分别只从滤波电容的接线端连接到电源；如果在输入/输出回路和电源开关/整流回路之间的连接无法与电容的接线端直接相连，交流能量将由输入或输出滤波电容并辐射到环境中去。电源开关交流回路和整流器的交流回路包含高幅梯形电流，这些电流中谐波成分很高，其频率远大于开关基频，峰值幅度可高达持续输入/输出直流电流幅度的5倍，过渡时间通常约为50ns。这两个回路最容易产生电磁干扰，因此必须在电源中其它印制线布线之前先布好这些交流回路，每个回路的三种主要的元件滤波电容、电源开关或整流器、电感或变压器应彼此相邻地进行放置，调整元件位置使它们之间的电流路径尽可能短。建立开关电源布局的最好方法与其电气设计相似，最佳设计流程如下： ? 放置变压器

? 设计电源开关电流回路 ? 设计输出整流器电流回路

? 连接到交流电源电路的控制电路

? 设计输入电流源回路和输入滤波器设计输出负载回路和输出滤波器根据电路的功能单元，对电路的全部元器件进行布局时，要符合以下原则：

(1) 首先要考虑PCB尺寸大小。PCB尺寸过大时，印制线条长，阻抗增加，抗噪声能力下降，成本也增加；过小则散热不好，且邻近线条易受干扰。电路板的最佳形状矩形，长宽比为3：2或4：3，位于电路板边缘的元器件，离电路板边缘一般不小于2mm。 (2) 放置器件时要考虑以后的焊接，不要太密集.(3) 以每个功能电路的核心元件为中心，围绕它来进行布局。元器件应均匀、整齐、紧凑地排列在PCB上，尽量减少和缩短各元器件之间的引线和连接, 去耦电容尽量*近器件的VCC (4) 在高频下工作的电路，要考虑元器件之间的分布参数。一般电路应尽可能使元器件平行排列。这样，不但美观，而且装焊容易，易于批量生产。

(5) (5) 按照电路的流程安排各个功能电路单元的位置，使布局便于信号流通，并使信号尽可能保持一致的方向。

(6) (6) 布局的首要原则是保证布线的布通率，移动器件时注意飞线的连接，把有连线关系的器件放在一起。

(7) 尽可能地减小环路面积,以抑制开关电源的辐射干扰

四、布线开关电源中包含有高频信号，PCB上任何印制线都可以起到天线的作用，印制线的长度和宽度会影响其阻抗和感抗，从而影响频率响应。即使是通过直流信号的印制线也会从邻近的印制线耦合到射频信号并造成电路问题(甚至再次辐射出干扰信号)。因此应将所有通过交流电流的印制线设计得尽可能短而宽，这意味着必须将所有连接到印制线和连接到其他电源线的元器件放置得很近。印制线的长度与其表现出的电感量和阻抗成正比，而宽度则与印制线的电感量和阻抗成反比。长度反映出印制线响应的波长，长度越长，印制线能发送和接收电磁波的频率越低，它就能辐射出更多的射频能量。根据印制线路板电流的大小，尽量加租电源线宽度，减少环路电阻。同时、使电源线、地线的走向和电流的方向一致，这样有助于增强抗噪声能力。接地是开关电源四个电流回路的底层支路，作为电路的公共参考点起着很重要的作用，它是控制干扰的重要方法。因此，在布局中应仔细考虑接地线的放置，将各种接地混合会造成电源工作不稳定。在地线设计中应注意以下几点

1.正确选择单点接地通常，滤波电容公共端应是其它的接地点耦合到大电流的交流地的唯一连接点，同一级电路的接地点应尽量*近，并且本级电路的电源滤波电容也应接在该级接地点上，主要是考虑电路各部分回流到地的电流是变化的，因实际流过的线路的阻抗会导致电路各部分地电位的变化而引入干扰。在本开关电源中，它的布线和器件间的电感影响较小，而接地电路形成的环流对干扰影响较大，因而采用一点接地，即将电源开关电流回路（中的几个器件的地线都连到接地脚上，输出整流器电流回路的几个器件的地线也同样接到相应的滤波电容的接地脚上，这样电源工作较稳定，不易自激。做不到单点时，在共地处接两二极管或一小电阻，其实接在比较集中的一块铜箔处就可以。

2.尽量加粗接地线若接地线很细，接地电位则随电流的变化而变化，致使电子设备的定时信号电平不稳，抗噪声性能变坏，因此要确保每一个大电流的接地端采用尽量短而宽的印制线，尽量加宽电源、地线宽度，最好是地线比电源线宽，它们的关系是：地线＞电源线＞信号线，如有可能，接地线的宽度应大于3mm，也可用大面积铜层作地线用,在印制板上把没被用上的地方都与地相连接作为地线用。进行全局布线的时候，还须遵循以下原则

1).布线方向：从焊接面看，元件的排列方位尽可能保持与原理图相一致，布线方向最好与电路图走线方向相一致，因生产过程中通常需要在焊接面进行各种参数的检测，故这样做便于生产中的检查，调试及检修（注：指在满足电路性能及整机安装与面板布局要求的前提下）。 (2).设计布线图时走线尽量少拐弯，印刷弧上的线宽不要突变，导线拐角应≥90度,力求线条简单明了。

(3).印刷电路中不允许有交*电路，对于可能交*的线条，可以用“钻”、“绕”两种办法解决。即让某引线从别的电阻、电容、三极管脚下的空隙处“钻”过去，或从可能交*的某条引线的一端“绕”过去，在特殊情况下如何电路很复杂，为简化设计也允许用导线跨接，解决交*电路问题。因采用单面板，直插元件位于top面，表贴器件位于bottom面，所以在布局的时候直插器件可与表贴器件交叠，但要避免焊盘重叠。

3．输入地与输出地本开关电源中为低压的DC－DC，欲将输出电压反馈回变压器的初级，两边的电路应有共同的参考地，所以在对两边的地线分别铺铜之后，还要连接在一起，形成共同的地

五、检查布线设计完成后，需认真检查布线设计是否符合设计者所制定的规则，同时也需确认所制定的规则是否符合印制板生产工艺的需求，一般检查线与线、线与元件焊盘、线与贯通孔、元件焊盘与贯通孔、贯通孔与贯通孔之间的距离是否合理，是否满足生产要求。电源线和地线的宽度是否合适，在PCB中是否还有能让地线加宽的地方。注意：有些错误可以忽略，例如有些接插件的Outline的一部分放在了板框外，检查间距时会出错；另外每次修改过走线和过孔之后，都要重新覆铜一次。

五、复查根据“PCB检查表”，内容包括设计规则，层定义、线宽、间距、焊盘、过孔设置，还要重点复查器件布局的合理性，电源、地线网络的走线，高速时钟网络的走线与屏蔽，去耦电容的摆放和连接等。

六、设计输出输出光绘文件的注意事项：

a.需要输出的层有布线层（底层）、丝印层（包括顶层丝印、底层丝印）、阻焊层（底层阻焊）、钻孔层（底层），另外还要生成钻孔文件（NC Drill）

b.设置丝印层的Layer时，不要选择Part Type，选择顶层（底层）和丝印层的Outline、Text、Linec.在设置每层的Layer时，将Board Outline选上，设置丝印层的Layer时，不要选择Part Type，选择顶层（底层）和丝印层的Outline、Text、Line。d.生成钻孔文件时，使用PowerPCB的缺省设置，不要作任何改

推荐第6篇：元件封装小结

元件封装小结

1、常用元件原理图名称与封装

电阻：RES1到RES4；封装属性为axial系列，AXIAL0.3-AXIAL1.0，一般用AXIAL0.4

无极性电容：cap；封装属性为rad0.1到rad0.4，一般用RAD0.1

电解电容：electroi；封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0，一般470uF用RB.3/.6

电位器：pot1,pot2；封装属性为vr1到vr5

二极管：DIODE0.4-DIODE0.7；封装属性为diode0.4(小功率)，diode0.7(大功率)，一般用diode0.4

三极管：NPN，PNP；常见的封装属性为to-18（小功率圆形三极管），to-92B（小功率半圆形三极管），to-3(大功率三极管)

电源集成稳压块有78和79系列；常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2；封装属性为D系列（D-37，D-44，D-46）

发光二极管：LED；RB.1/.2

集成块：双列DIP8-DIP40，单列SIP8-SIP40，其中8-40指共有多少引脚

变压器（左右各两个脚）：TRANS；封装属性为TRF-E130-1，TRF-E138-1，TRF-E142-1等石英晶体振荡器：CRYSTAL；封装属性为XTAL1

2、贴片电阻

0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下：

0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是： 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。

晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。

当然，我们也可以打开C:\\Client98\\PCB98\\library\\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为

1、W、及2，所产生的网络表，就是

1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。

推荐第7篇：LED封装工程师的个人调研总结（优秀）

LED封装工程师的个人调研总结

导读：今天开始，小编要跟大家分享一位LED封装工程师的调研个人总结，总结分为五个部分呈现：一.材料和配件；二.封装结构；三.失效模式；四.HV-AC芯片；五.COB，SIP。希望这个分享可以让你有所收获，下面请看第一部分。标签：LED封装 LED支架硅胶 LED荧光粉失效模式

一.材料和配件

封装配件：透镜，支架，键合线

封装材料：固晶胶，密封胶，荧光粉

LED支架

①PPA高温尼龙，耐温更高，吸湿更少,热稳定,光稳定,热变形温度约在300度，可过回流焊肯定没问题共晶焊制程，基本也能承受共晶焊

②LCP塑胶支架，液晶树脂，可满足温度高的共晶焊，有长期耐黄变性，但无法做到PPA能的白度，初始亮度较差而无法大量推广。

③陶瓷LED支架散热性好，价格较为昂贵，约为PPA支架的10倍

支架镀银：提高光反射率

失效模式：

银层与空气中硫化氢、氧化合物、酸、碱、盐类反应，或经紫外线照射，发黄发黑，并导致密封胶和支架剥离。

键合线

金线：电导率大、耐腐蚀、韧性好，最大优点是抗氧化，常用键合线

金银合金线：适用于LED直插和SMD产品封装焊线

镀钯铜线：适用于LED直插和集成电路封装焊线

铜线：高纯铜,适用于功率器件封装焊线，价格金线10%-30%,电导热导机械性能，焊点可靠性大于金

金线失效模式：

①虚焊脱焊，工艺不当，芯片表面氧化

②和铝的金属间化合物：“紫斑”(AuAl2)和“白斑”(Au2Al)， Au和Al两种元素的扩散速率不同，导致界面处形成柯肯德尔孔洞以及裂纹。降低了焊点力学性能和电学性能

铜线失效模式：

①铜容易被氧化，键合工艺不稳定

②硬度、屈服强度等物理参数高于金和铝，键合时需要更大的超声能量和键合压力，硅芯片造成损伤。

透镜

1.硅胶透镜：耐温高(可过回流焊)，体积较小，直径3-10mm。

2.PMMA透镜：光学级PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，即亚克力)，塑胶类材料

优点：生产效率高(注塑);透光率高(3mm时93%);

缺点：耐温差(热变形温度90度，PMMA灯罩须增加光源和灯罩的距离，或降低光源功率)。

3.PC透镜：光学级尼龙料 (PC)聚碳酸酯，塑胶类材料

优点：生产效率高(注塑);耐温高(130度以上);

缺点：透光率稍底(87%)。

4.玻璃透镜：光学玻璃材料，具有透光率高(97%)耐温高等特点

缺点：易碎、非球面精度不易实现、生产效率低、成本高等。

一次透镜：PMMA,硅胶

二次透镜：PMMA,玻璃

灌封胶，固晶胶

灌封胶作用：

1.对芯片进行机械保护，应力释放

2.一种光导结构

3.折射率介于芯片和空气之间，扩大全反射角，减少光损失

硅胶

按分子链基团的种类分：

①甲基系有机硅胶(大部分，耐侯性更好)

②苯基系有机硅胶(成本高，折射率更好)

按使用领域分：

①透镜填充硅胶

②LED固晶硅胶

按硫化条件分：

①高温硫化型LED硅胶(聚硅氧烷，分子量40～80万)

②室温硫化型LED硅胶(分子量3～6万，双组分和单组分包装)

硅胶优点：

1.耐温

Si-O键为主链结构，键能121千卡/克分子，高于C-C82.6，热稳定性高，高温或辐射化学键不断裂，也耐低温，化学，物理，机械性能，随温度的变化小。

2.耐候性

主键为Si-O，无双键，不易被紫外光和臭氧分解。自然环境下可使用几十年。

3.电气绝缘性能

介电损耗、耐电压、耐电弧、耐电晕、体积电阻系数和表面电阻系数好，电气性能受温度和频率的影响很小。良好拒水性，在湿态条件下使用具有高可靠性。

4.低表面张力和低表面能

疏水、消泡、泡沫稳定、防粘、润滑、上光等性能优异。

在LED上的应用

(1)固晶：混合银粉以提高导热效果，称为固晶银胶。

(2)混荧光粉硅胶

(3)表面填充LED硅胶：保护LED芯片，大功率LED透镜内填充、透镜模封、贴片式平面封装、COB式大面积不规格封装等。

硅胶失效模式

非法添加造成的硅胶失效：

①添加环氧树脂，对PPA的附着会提高，对固化，透光折射和MOD硬度没影响，但会造成胶层的黄变，苯基类的硅胶也会引起变黄。

②添加荧光粉，添加填充物达到要求的硬度，胶层在固化后发生黄边，为了控制颜色的发黄，所以添加荧光粉，半年时间就会失效

硅胶使用中遇到的各种问题：

①固化后表面起皱，由收缩所引起胶中添加有溶剂型的硅树脂造成。

②出现界面层。采用同类物质想近的原理，改变硅胶与其的亲合力。

③荧光粉发生沉淀，室温固化型的胶，因为在硅胶中为了保持其透光性，折射率等，所以不能添加任何的悬浮剂进去，换成升温固化的产品，可以解决这个问题。

④固化后表面不够光滑，这是因为胶遇到S、P等中毒引起，需清洗下模具等系列工具

环氧树脂

成形性、耐热性、良好的机械强度及电器绝缘性。

添加剂：

为满足各种要求，需添加硬化剂、促进剂、抗燃剂、偶合剂、脱模剂、填充料、颜料、润滑剂

失效模式：

①环氧树脂在短波照射或者长时间高温下会变黄。

②过回流焊时，环氧耐高温性能差导致环氧与衬底分离，产生光衰死灯等情况，所以应用在大功率照明上时寿命很短。

环氧树脂因为价格低廉(和硅胶完全不是一个级别)，而且储存、使用和可加工性也较硅胶优越，所以低功率LED和一些光感元器件依然使用环氧树脂封装

荧光粉

白光的几种实现形式

1.蓝色LED芯片上涂敷能被蓝光激发的黄色荧光粉

460nm波长的蓝光芯片上涂一层YAG荧光粉，利用蓝光LED激发荧光粉以产生与蓝光互补的555nm波长黄光，并将互补的黄光、蓝光混合得到白光。

2.蓝色LED芯片上涂覆绿色和红色荧光粉

芯片发出的蓝光与荧光粉发出的绿光和红光复合得到白光。

3.紫光或紫外光LED芯片上涂敷三基色或多种颜色的荧光粉

利用该芯片发射的长波紫外光(370nm-380nm)或紫光(380nm-410nm)来激发荧光粉而实现白光发射。

失效模式：

①荧光粉的材质对白光LED的衰减影响很大。有加速老化白光LED的作用

②不同厂商的荧光粉对光衰的影响程度也不相同，这与荧光粉的原材料成分关系密切。

③选用最好材质的白光荧光粉，才有利于衰减控制。

几种荧光粉的比较

1.石榴石型氧化物：

优点：亮度高，发射峰宽，成本低，应用广泛

缺点：只能做出黄粉，激发波段窄，光谱中缺乏红光的成分，显色指数不高，很难超过85

专利：日亚化学垄断

2.硅酸盐荧光粉：

优点：激发波段宽，绿粉和橙粉较好

缺点：发射峰窄，对湿度较敏感，缺乏好的红粉，不太耐高温，不适合做大功率LED，适合用在小功率LED

专利：仍为丰田合成、日亚化学、欧司朗光电半导体等公司所拥有

3.氮化物与氮氧化物荧光粉：

优点：激发波段宽，温度稳定性好，非常稳定红粉、绿粉较好，蓝色到红色的全部色域

缺点：制造成本较高，发射峰较窄

专利：荷兰Eindhoven大学、日本材料科学国家实验室(NIMS)、三菱化学公司、Ube工业与欧司朗光电半导体，北京宇极科技。

推荐第8篇：国内LED封装上市公司

国内LED封装上市公司

机构热捧国星光电（002449），雷曼光电（300162）业绩看涨

近年来，尽管LED照明市场并未启动，但是进入该行业的企业量数却呈现直线增长，关于LED的故事在各个公司中层出不穷，令人眼花缭乱。在二级市场上，由LED概念带动的股价上涨，在新年伊始便已经展开序幕。

就在今年元旦后的第一个交易日，三安光电（600703）、士兰微（600460）（600460）纷纷宣布了新的投资扩产计划，两公司受到市场追捧。而在去年年底，同样属于LED概念的国星光电（002449）、歌尔声学（002241）等多家上市公司股价出现强势拉升。

对此，业内人士表示，LED行业在2011年有望启动，行业投资时点即将到来，从具体投资分类来看，LED行业分为上游的外延片和衬底、中游的芯片和封装以及下游的照明和背光源，其中业内人士更看重中游的封装，称其为中国LED产业的咽喉。

LED的核心技术是高亮度LED的外延片和芯片制造技术，也就是LED的上游产业，该产业具有较高的技术含量和附加值，是典型的技术密集型和资本密集型产业，该领域一直是业内公司竞相攀登的行业高地。但就技术层面而言，目前国内企业依然无法与日本等国外企业相比。而处于中游的封装行业，在国际市场上却有着相对较高的市场占有率，同时被业内普遍看好。

国信证券分析师陈健分析认为，从产业结构上看，中国的封装产值仍在LED行业中占据最大比重。2009年，封装行业产值占到LED产业产值的87.6%。LED封装具有技术密集型和劳动密集型的特点，由于中国大陆具有成本优势和迅速扩大的LED应用市场，国际及中国台湾封装厂商纷纷到大陆投资建厂，以取得就近配套与终端市场优势，使得中国大陆的LED封装产业得以持续快速增长，也使得中国大陆成为全球重要的LED封装基地，这不仅扩大了中国大陆LED封装在世界LED封装领域的市场占有率，同时也提升了中国大陆厂商的LED封装技术，加速了整个产业的快速发展。数据显示，中国大陆封装产业的全球市场占有率稳步上升，2009年市场占有率为11%。

对此，兴业证券（601377）分析师刘亮也表示，LED 封装是LED 照明产业链的咽喉，将迎来一次发展机遇。在LED照明的封装环节中会出现模组化的趋势。

在具体个股方面，万联证券分析师冯福来认为，虽然中国有封装企业近2000家，但是企业规模普遍比较小，随着LED应用的大规模推广，封装领域企业有望出现强者恒强的局面，具有规模和专利技术优势的封装企业不断壮大，建议投资者关注国内领先的LED封装企业国星光电、雷曼光电（300162）、大族激光（002008）、东山精密（002384）、长盈精密（300115）等。

国星光电：

产业链效益逐步释放

在2010年7月16日上市的国星光电，在上市之初便受到市场资金热捧，从上市当天28.36元的收盘价至本周二40.55元的收盘价，该股已经累计涨幅达42.98%。

股价的持续走强主要受市场资金追捧所致，根据龙虎榜公布数据显示，国星光电上市首日有超过4000万元的机构资金买入，更有8只基金和2只保险资金在2010年三季度买入国星光电，成为该股前十大流通股股东。其中中国人寿（601628）保险传统普通保险以新增258.28万股位于该股前十大无限售股股东名单的第一名，中国人寿保险个人分红以241.6万股位于前十大无限售条件流通股股东名单的第二名，交银施罗德稳健配置（爱基,净值,资讯）混合基金以199.99万股位于前十大流通股股东名单的第三名。

机构的集体热捧，与国星光电目前所处的行业地位不无关系。据了解，国星光电是目前国内最大的LED封装企业，主要产品包括：SMD LED（表面贴片发光二极管）器件及组件和Lamp LED器件及组件（灌胶封装），产品广泛应用于消费类电子产品、家电产品、计算机、通信、平板显示屏等领域。

2010年上半年，国星光电主营业务收入来源依然为SMD LED，报告期内该类产品收入保持增长，占主营业务收入82.12%，同比增长6.50%；Lamp LED 收入占主营业务收入6.24%，同比减少4.00%。同时，公司的毛利率保持了较高的水平，2010年上半年SMD LED 器件及组件、Lamp LED 器件及组件毛利率分别为31.88%和16.36%。

此前去国星光电进行调研的陈健表示，通过调研显示，国星光电将继续立足封装，重点发展各类高附加值的SMD LED产品，保持SMD LED主营业务的持续增长，实现产业链垂直延伸，以提高公司效益。陈健预计，未来随着国星光电LED封装业务的持续增长，LED芯片、背光源、照明等业务产能的逐步释放，该公司的产业链效益将逐步显现，并将在LED行业具备极强的竞争能力，公司将在未来保持非常良好的发展轨迹和快速的业绩增长。

雷曼光电：

国内高端LED封装领先者

本周四，雷曼光电（300162）登陆创业板，开盘涨23.68%，由于受到新股上市破发潮的影响，股价逐级走低，但依然保持较高的换手率。

雷曼光电主营业务为LED封装器件和应用产品，封装器件包括直插式、贴片式和中大功率LED系列产品，应用产品包括显示屏和照明产品。

公司产品集中在显示屏用LED器件以及LED显示屏，2007-2009年，公司在国内显示屏用LED器件的市场占有率分别为1.15%、1.35%和1.58%，出口LED显示屏市场占有率分别为3.11%、2.31%和2.82%，市场占有率稳步提高。

公司LED业务定位于中高端，具有一定的品牌知名度，此外，公司坚持耕耘海外市场，生产的LED显示屏全部销往北美和欧洲发达地区，因此公司较其他LED中下游企业的毛利率要高。2007-2009年及2010年中期，公司营收分别为7160万元、7565万元、10164万元及8768万元，综合毛利率分别为40.47%、37.57%、39.35%和39.22%，对应净利润规模均小于2200万元。公司收入成长符合行业趋势；毛利率显著优于同行，这和公司产品定位中高端市场有关，总体上公司是一家小规模的优质LED封装应用企业。

公司是60周年国庆阅兵超大显示屏的唯一国产LED封装器件供应商，高毛利率也揭示出公司的定位和竞争力。公司主要竞争对手是国内中高端LED封装器件生产企业和日亚化学、美国Cree、韩国三星等跨国公司以及中国台湾亿光、光宝等公司，相对于境外公司，公司有性价比优势。

国金证券（600109）预测公司净利润三年复合增长率为76%，2011年每股收益为1.253元。预计2010-2012年公司将分别实现净利润42.72万元、83.96万元和118.61万元，同比分别增长99.47%、96.51%和41.27%。按发行后的总股本计算，对应的每股收益分别为0.638元、1.253元和1.770元。

公司未来发展的具体目标是，高端封装领域保持领先地位，高端LED显示器件市场份额达到20%。

推荐第9篇：SMT加工零件封装

SMT加工零件封装大全.txt SMT加工零件封装大全

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种SMT加工元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。

关于零件封装，LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO?3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。

还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω

还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容 RAD0.1-RAD0.4

有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器 XTAL1

晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻（POT

1、POT2） VR1-VR5

当然，我们也可以打开C:\\Client98\\PCB98\\library\\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO?3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

Q1-B，在SMT里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。

在可变电阻上也会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为

1、W、及2，所产生的网络表，就是

1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。【龙人SMT加工贴片】>>SMT加工 >>SMT贴片

演讲稿

尊敬的老师们，同学们下午好：

我是来自10级经济学（2）班的学习委，我叫张盼盼，很荣幸有这次机会和大家一起交流担任学习委员这一职务的经验。

转眼间大学生活已经过了一年多，在这一年多的时间里，我一直担任着学习委员这一职务。回望这一年多，自己走过的路，留下的或深或浅的足迹，不仅充满了欢愉，也充满了淡淡的苦涩。一年多的工作，让我学到了很多很多，下面将自己的工作经验和大家一起分享。

学习委员是班上的一个重要职位，在我当初当上它的时候，我就在想一定不要辜负老师及同学们我的信任和支持，一定要把工作做好。要认真负责，态度踏实，要有一定的组织，领导，执行能力，并且做事情要公平，公正，公开，积极落实学校学院的具体工作。作为一名合格的学习委员，要收集学生对老师的意见和老师的教学动态。在很多情况下，老师无法和那么多学生直接打交道，很多老师也无暇顾及那么多的学生，特别是大家刚进入大学，很多人一时还不适应老师的教学模式。学习委员是老师与学生之间沟通的一个桥梁，学习委员要及时地向老师提出同学们的建议和疑问，熟悉老师对学生的基本要求。再次，学习委员在学习上要做好模范带头作用，要有优异的成绩，当同学们向我提出问题时，基本上给同学一个正确的回复。

总之，在一学年的工作之中，我懂得如何落实各项工作，如何和班委有效地分工合作，如何和同学沟通交流并且提高大家的学习积极性。当然，我的工作还存在着很多不足之处。比日：有的时候得不到同学们的响应，同学们不积极主动支持我的工作；在收集同学们对自己工作意见方面做得不够，有些事情做错了，没有周围同学的提醒，自己也没有发觉等等。最严重的一次是，我没有把英语四六级报名的时间，地点通知到位，导致我们班有4名同学错过报名的时间。这次事使我懂得了做事要脚踏实地，不能马虎。

在这次的交流会中，我希望大家可以从中吸取一些好的经验，带动本班级的学习风气，同时也相信大家在大学毕业后找到好的工作。谢谢大家！

推荐第10篇：封装生产主管岗位职责

1.确保封装生产部按订单计划实施生产运作。2.评估、改善并确保生产制程的稳定。3.及时反馈上游产品质量。4.支持新产品的研发。

第11篇：太阳能电池组件封装工艺

太阳能电池组件封装工艺

太阳能电池组件的制造过程中主要有以下一些步骤:激光划片—光焊(将电池片焊接成串)—手工焊(焊接汇流条)—层叠(玻璃—EVA—电池—EVA—TPT)—中测—层压—固化—装边框、接线盒—终测。

1、激光划片:

太阳能电池每片工作电压0.4-0.5V左右(开路电压约0.6V)，将一片切成两片后，每片电压不变;太阳电池的功率与电池板的面积成正比(同样转化率下)。根据组件所需电压、功率，可以计算出所需电池片的面积及电池片片数，由于单体电池(未切割前)尺寸一定(有几种标准)，面积通常不能满足组件需要，因此，在焊接前，一般有激光划片这套工序，切割前，应设计好切割路线，画好草图，要尽量利用切割剩余的电池片，提高电池片的利用率。切片时的具体要求:

1.1、切片时，切痕深度一般要控制在电池片厚度的1/2—2/3，这主要通过调节激光划片机的工作电流来控制。如果工作电流太大，功率输出大，激光束强，可以将电池片直接划断，容易造成电池正负极短路。反之，当工作电流太小，划痕深度不够，在沿着划痕用手将电池折断时，容易将电池片弄碎。

1.2、太阳电池片价格较贵，为减少电池片在切割中的损耗，在正式切割前，应先用与待切电池片型号相同的碎电池片做试验，测试出该类电池片切割时激光划片机合适的工作电流I0，这样正常样品的切割中划片机按照电流I0工作，可以减少由于工作电流太大或太小而造成损耗。

1.3、激光划片机激光束进行路线是通过计算机设置XY坐标来确定的，设置坐标时，一个小数点和坐标轴的差错会使激光束路线完会改变，因此，在电池片切割前，先用小工作电流(使激光能被看清光斑即可)让激光束沿庙宇的路线走一遍，确认路线正确后，再调大电流进行切片。

1.4、一般来说，激光划片机只能沿XY轴方向进行切割，切方形电池片较方便。当电池片切成三角形等形状时，切割前一定要计算好角度，摆好电池方位，使需要切割的线路沿X或Y方向。

1.5、在切割不同电池片时，如果两次厚度差别较大，调整工作电流的同时，注意调整焦距。

1.6、切割电池片时，应打开真空泵，使电池片紧贴工作面板，否则，将切割不均匀。

2、焊接:

切割好的电池片需要连接起来，焊接这一工序就是用焊条(连接条)按需要的电池片串联或并联好，最后汇成一条正极和一条负极引出来。焊接时要注意几点:太阳电池串联后，总电流与电小电池片产生的电流一致，因此每片串联的太阳电池要求尺寸一样大，颜色一致(这样一方面为保证电池光电转换资效率一致，另外使组件外表更美观);手工焊接时把握好烙铁与焊点接触时间，尽量一次焊成，如一个焊点反复焊接，电池片上电极很容易脱落;焊点要均匀，若某些焊点焊锡太多，表面不平整会影响电池层压，增加碎片率。

3、层压:

电池片按要求焊好后，层压前一般先用万用表通过测电池电压方式检查焊接好的太阳电池有没有短路、断路，然后清洗玻璃，按照比玻璃面积略大的尺寸裁制EVA、TPT，将玻璃—EVA—电 1/12页

池—EVA—TPT层叠好，放入层压机层压(层压机的具体操作过程前面已经介绍)。

层压过程中有关问题及注意事项:太阳电池层压工艺中，消除EVA中的气泡是封装成败的关键，层叠时进入的空气与EVA交联反应产生的氧气是形成气泡的主要原因。当层压的组件中出现气泡，说明工作温度过主或抽气时间太短应该重新设置工作温度和抽气、层压时间。

4、固化:

从层压机取出的太阳能电池，未固化时EVA容易与TPT、玻璃脱层，进入烘箱固化。烘箱固化根据EVA种类不同分两种方式。

4.1、快速固化型EVA，设置烘箱温度135度，待升到设置温度后，将层压好的电池放入固化15min。

4.2、常规固化型EVA 设置烘箱温度145度，待升到温度后，将层压的好电池放入固化30min。

另外，也可以在层压机内直接固化。

4.3、快速固化型EVA，层压机设置100—120度，放入电池板，抽气3—5min，加压4—10min(层压的太阳电池板较小，时间可以稍短些)，同时升温到135度，恒温固化15min，层压机下充气上抽空30s，开盖取出电池冷即即可。

4.4、常规固化型EVA，层压机设置100—120度，放入电池板，抽气3—5min，加压4—10min(层压的太阳电池板较小，时间可以稍短些)，同时升温到145—150度，恒温固化30min，层压机下充气上抽空30s，开盖取出电池冷即即可。

4.5、层压机设置135—140度，放入电池板，抽气3-5min，加压4—10min，恒温到135—140度，固化15min，再取出即可。

目前，采用烘箱中快速固化EVA，这种方法好，速度快，节约层压机的使用时间。EVA凝胶含量达到65%以上，可以认为固化基本完成，达到了组件的要求。

5、检测:

太阳电池组件投入使用前需先进行各项性能测试，具体方法参考GB/T9535—1998《地面用晶体硅光伏组件设计鉴定与定型》、《海上用太阳能电池组件总规范》，其具体方法:

5.1、性能测试，在规定光源的光谱、标准光强以及一定的电池温度(25度)条件下对太阳能电池的开路电压、短路电流、最大输出功率、伏安特性曲线等进行测量。

5.2、电绝缘性能测试，以1KV的直流电通过组件底板与引出线，测量绝缘电阻，绝缘电阻要求大于2000MΩ，以确保在应用过程中组件边框无漏电现象发生。

5.3、热循环实验，将组件置于有自动温度控制、内部空气循环的气候室内，使组件在40~85度之间循环规定次数，并在极端温度下保持规定时间，监测实验过程中可能产生的短路和断路、外观缺陷、电性能衰减率、绝缘电阻等，以确定组件由于温度重复变化引起的热应变能力。2/12页

5.4、湿热—湿冷实验，将组件置于有自动温度控制、内部空气循环的气候室内，使组件在一定温度和湿度下往复循环，保持一定恢复时间，监测实验过程中可能产生的短路和断路、外观缺陷、电性能衰减率、绝缘电阻等，以确定组件承受高温高湿和低温低湿的能力。

5.5、机械载荷实验，在组件的表面逐渐加载，监测实验过程中可能产生的短路和断路、外观缺陷、电性能衰减率、绝缘电阻等，以确定组件承受风半雪等静态载荷的能力。5.

6、冰雹实验，以钢球代替冰雹从不同角度以一定的动量撞击组件，检测组件产生的外观缺陷、电性能衰减率，以确定组件承受冰雹撞击的能力。

5.7、老化实验，用于检测太阳电池组件暴露在高湿和高紫外辐射场地时具有有效抗衰减能力。将组件样品放在65度，约6.5紫外太阳下辐照，最后测电光性，看其下降损失，值得一提的是，在曝晒老化实验中，电性能下降是不规则的，且与EVA/TPT光的损失不成比例。

6、技术要求:

合格的太阳能电池组件必须达到如下要求:

6.1、光伏组件在规定工作环境下，使用奉命应大于20年(使用20年，效率大于原来效率的80%)。

6.2、组件的电池上表面颜色应均匀一致，无机械损伤，焊点无氧化斑。

6.3、组件的每片电池与互连条应排列整齐，组件的框架应整洁无腐蚀斑点。

6.4、组件的封装层中不允许气泡或脱层在某一片电池与组件边缘形成一个通路，气泡或脱层的几何尺寸和个数应符合相应的产品详细规范规定。

6.5、组件的面积比功率大于65W/m2，质量比功率大于4.5W/kg，

填充因子FF大于0.65。

6.6、组件在正常条件下绝缘电阻不能低于200MΩ。

6.7、采用EVA、玻璃等层压封装的组件，EVA的交联度应大于65%，EVA与玻璃的剥离强度大于30N/cm，EVA与组件背板材料的剥离强度大于15N/cm。

6.8、每个组件应有如下标志:

6.8.1、产品名称与型号。

6.8.2、主要参数，包括短路电流ISC，开路电压VOC，最佳工作电流Im，最佳工作电压Vm，最大输出功率Pm以及T—V曲线图。

6.8.3、制造厂名、日期及商标。

7、层压的基本过程:打开层压机，按下加热按钮，设定好工作温度;待加热板温度达到指定温度(可以从控制上看到)后，将层叠好的电池片放入层压机并合上盖，合盖后第一步:下室抽气。层叠好的太阳电池片 3/12页

放置在两层玻璃布间(属于下室部分)时，EVA在层压机内开始受热，受热后的EVA处于熔融状态，EVA与电

池片、玻璃、TPT之间有空气存在，下室抽气(抽真空)可以将这些间隙中的空气排除。如果抽气时间和层压

温度设置不当，在组件玻璃下面常会出现气泡，至使组件使用过程中，气泡受热膨胀而使EVA脱层，影响组件

的外观、效率与使用奉命。抽气的下一步是加压(层压)。在加压过程中，下室继续抽真空，上室充气，胶皮

气囊构成的上室，充气后体积膨胀(由于下室抽真空)充斥整个上下室之间，挤压放置下室的电池片、EVA等，

熔融后的EVA在挤压和下室抽空的作用下，流动充满玻璃、电池片、TPT之间的间隙，同时排出中间的气泡。

这样，玻璃、电池片、TPT就通过EVA紧紧的黏合在一起。层压好后需要开盖将电池取出，前两个过程下室处

于真空状态，大气压作用下，上盖受向下的压力。开盖时，先是下室充气，上室抽空，使放电池组件的下腔气

压与大气压平衡，再利用设置在上盖的两开盖支臂将上盖打开。将太阳电池取出后，可以进行下一块电池组件

的封装。

层压机使用过程中注意事项:

7.1、层压机合盖时压力巨大，切记下腔边框不得放异物，以防意外伤害或设备损坏。

太阳能电池组件封装工艺

1、激光划片:

1.5、在切割不同电池片时，如果两次厚度差别较大，调整工作电流的同时，注意调整焦距。

1.6、切割电池片时，应打开真空泵，使电池片紧贴工作面板，否则，将切割不均匀。

2、焊接:

3、层压:

池—EVA—TPT层叠好，放入层压机层压(层压机的具体操作过程前面已经介绍)。

4、固化:

从层压机取出的太阳能电池，未固化时EVA容易与TPT、玻璃脱层，进入烘箱固化。烘箱固化根据EVA种类不同分两种方式。

4.1、快速固化型EVA，设置烘箱温度135度，待升到设置温度后，将层压好的电池放入固化15min。

4.2、常规固化型EVA 设置烘箱温度145度，待升到温度后，将层压的好电池放入固化30min。

另外，也可以在层压机内直接固化。

4.5、层压机设置135—140度，放入电池板，抽气3-5min，加压4—10min，恒温到135—140度，固化15min，再取出即可。

目前，采用烘箱中快速固化EVA，这种方法好，速度快，节约层压机的使用时间。EVA凝胶含量达到65%以上，可以认为固化基本完成，达到了组件的要求。

5、检测:

5.2、电绝缘性能测试，以1KV的直流电通过组件底板与引出线，测量绝缘电阻，绝缘电阻要求大于2000MΩ，以确保在应用过程中组件边框无漏电现象发生。

6、冰雹实验，以钢球代替冰雹从不同角度以一定的动量撞击组件，检测组件产生的外观缺陷、电性能衰减率，以确定组件承受冰雹撞击的能力。

6、技术要求:

合格的太阳能电池组件必须达到如下要求:

6.1、光伏组件在规定工作环境下，使用奉命应大于20年(使用20年，效率大于原来效率的80%)。

6.2、组件的电池上表面颜色应均匀一致，无机械损伤，焊点无氧化斑。

6.3、组件的每片电池与互连条应排列整齐，组件的框架应整洁无腐蚀斑点。

6.4、组件的封装层中不允许气泡或脱层在某一片电池与组件边缘形成一个通路，气泡或脱层的几何尺寸和个数应符合相应的产品详细规范规定。

6.5、组件的面积比功率大于65W/m2，质量比功率大于4.5W/kg，

填充因子FF大于0.65。

6.6、组件在正常条件下绝缘电阻不能低于200MΩ。

6.7、采用EVA、玻璃等层压封装的组件，EVA的交联度应大于65%，EVA与玻璃的剥离强度大于30N/cm，EVA与组件背板材料的剥离强度大于15N/cm。

6.8、每个组件应有如下标志:

6.8.1、产品名称与型号。

6.8.2、主要参数，包括短路电流ISC，开路电压VOC，最佳工作电流Im，最佳工作电压Vm，最大输出功率Pm以及T—V曲线图。

6.8.3、制造厂名、日期及商标。

放置在两层玻璃布间(属于下室部分)时，EVA在层压机内开始受热，受热后的EVA处于熔融状态，EVA与电

池片、玻璃、TPT之间有空气存在，下室抽气(抽真空)可以将这些间隙中的空气排除。如果抽气时间和层压

温度设置不当，在组件玻璃下面常会出现气泡，至使组件使用过程中，气泡受热膨胀而使EVA脱层，影响组件

的外观、效率与使用奉命。抽气的下一步是加压(层压)。在加压过程中，下室继续抽真空，上室充气，胶皮

气囊构成的上室，充气后体积膨胀(由于下室抽真空)充斥整个上下室之间，挤压放置下室的电池片、EVA等，

熔融后的EVA在挤压和下室抽空的作用下，流动充满玻璃、电池片、TPT之间的间隙，同时排出中间的气泡。

这样，玻璃、电池片、TPT就通过EVA紧紧的黏合在一起。层压好后需要开盖将电池取出，前两个过程下室处

于真空状态，大气压作用下，上盖受向下的压力。开盖时，先是下室充气，上室抽空，使放电池组件的下腔气

压与大气压平衡，再利用设置在上盖的两开盖支臂将上盖打开。将太阳电池取出后，可以进行下一块电池组件

的封装。

层压机使用过程中注意事项:

7.1、层压机合盖时压力巨大，切记下腔边框不得放异物，以防意外伤害或设备损坏。

7.2、开盖前必须检查下室充气是否完成，否则不能开盖，以免损坏设备。

7.3、控制台上有紧急按钮，紧急情况下，整机断电;故障排除后，将紧急按钮复位。

7.4、层压机若长时间未使用，开机后应空机运转几个循环，以便将吸附在腔体内的残余气体及水蒸气抽尽，

以保证层压质量。

太阳能电池板生产工艺 [引用 2010-08-31 10:32:19] 太阳能电池板(组件)生产工艺

组件线又叫封装线，封装是太阳能电池生产中的关键步骤，没有良好的封装工艺，多好的电池也生产不出好的组件板。电池的封装不仅可以使电池的寿命得到保证，而且还增强了电池的抗击强度。产品的高质量和高寿命是赢得可客户满意的关键，所以组件板的封装质量非常重要。

流程:

1、电池检测——

2、正面焊接—检验—

3、背面串接—检验—

4、敷设(玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设)——

5、层压——

6、去毛边(去边、清洗)——

7、装边框(涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶)——

8、焊接接线盒——

9、高压测试——

10、组件测试—外观检验—

11、包装入库组件高效和高寿命如何保证:

1、高转换效率、高质量的电池片 ;

2、高质量的原材料，例如:高的交联度的EVA、高粘结强度的封装剂(中性硅酮树脂胶)、高透光率

7.2、开盖前必须检查下室充气是否完成，否则不能开盖，以免损坏设备。

7.3、控制台上有紧急按钮，紧急情况下，整机断电;故障排除后，将紧急按钮复位。

7.4、层压机若长时间未使用，开机后应空机运转几个循环，以便将吸附在腔体内的残余气体及水蒸气抽尽，

以保证层压质量。

太阳能电池板生产工艺 [引用 2010-08-31 10:32:19] 太阳能电池板(组件)生产工艺

流程:

1、电池检测——

2、正面焊接—检验—

3、背面串接—检验—

4、敷设(玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设)——

5、层压——

6、去毛边(去边、清洗)——

7、装边框(涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶)——

8、焊接接线盒——

9、高压测试——

10、组件测试—外观检验—

11、包装入库组件高效和高寿命如何保证:

1、高转换效率、高质量的电池片 ;

2、高质量的原材料，例如:高的交联度的EVA、高粘结强度的封装剂(中性硅酮树脂胶)、高透光率

第12篇：系统封装精简总结

XP系统封装说明

2013年3月5日

XP系统封装说明

一、系统安装：正常安装XP_sp3 VOL版系统（可用key:CM3HY-26VYW-6JRYC-X66GX-JVY2D）

二、必要设置：

 首次进入系统启用Administrator用户并删除自设用户；

 gpedit.msc：计算机设定：Windows设定：安全性设定：本机原则：安全性选项：“网络存取：共享和安全性模式设定”改为“传统-本机使用者”

 删除游乐场；删除无用快捷方式；清理系统桌面

 禁用自动还原；关闭驱动及系统自动更新；修改安全提示设置；停用错误报告

 扩大系统安全性记录空间及自动覆盖时间

三、重启计算器以Administrator身份登陆计算器执行以下操作：

 放置常用打印机驱动、PCI控制卡、屏幕截图软件于系统盘；安装本机驱动并重启计算器

 安装IE8浏览器；整理收藏夹内容

 安装控件：Flash Player AX；Real Player AX；Java(可选)；.net 3.5

 安装软件：7Zip；PDF Printer；Microsoft Office； Adobe Reader；Splayer；翻译软件；清理垃圾.bat；PCAnywhere；输入法；

 测试IE学院网络教学视频可否播放；测试.ppt\\.pptx等能否正常播放；清理IE及文件浏览记录  安装Office兼容包SP2；开启PCAnywhere客户端；设置隐藏PCAnywhere客户端；重启计算器

四、系统增强

 安装运行库；安装系统更新；备份系统

五、运行ES4执行前期封装准备并生成Sysprep文件（注册信息：IE Academy：Microsoft）

六、放置以下文件或者程序于Sysprep中

 WanDrivers；

 OEM图片（180*114.bmp）；封装背景图片；

 注册表优化方案、服务优化方案（技术未成熟时尽量不执行该两项优化）

七、重启进PE运行ES执行第二阶段封装后不重启备份系统为可部署系统（首次进入桌面调用USB禁用程序）

第13篇：led封装主管的个人简历

led封装主管的个人简历模板

姓

名：

王先生

性

别：

男

婚姻状况：

已婚

民

族：

汉族

户

籍：

贵州-遵义

年

龄：

现所在地：

广东-江门

身

高：

173cm

希望地区：

浙江、江苏、广东

希望岗位：

工业/工厂类-设备经理/主管电子/电器/元件类-光源与照明工程

寻求职位：

设备主管、生产主管、生产经理

待遇要求：

8000元/月

可面议

要求提供住宿

最快到岗：

1个月之内

教育经历

2003-09 ～ 2006-07 西京学院机电一体化大专

培训经历

2009-04 ～ 2009-07 学成电脑培训 Excel和Word CAD制图

工作经验至今6年5月工作经验，曾在3家公司工作

**公司（2011-06 ～至今）

公司性质：

私营企业行业类别：

电子、微电子技术、集成电路

担任职位：

led封装主管

岗位类别：

光源与照明工程

工作描述：

1：主要负责生产部、设备部及品质部的相关管理工作。 2：实现产品良率计划目标

3：负责各个生产工序品质状况跟踪及监督。负责对工艺、产品持续改进的方案， 4：当出现存在的或潜在的质量问题时提出相应的纠正预防措施，有效解决并文件化.5：LED生产设备在生产过程中标准被执行之管控。 6：LED设备的操作指引制定及各项标准文件制订管理。

7：负责新进设备安装调试及验收设备运行状况的控制、

8：监督制造设备运行的状况.指导并监督各工序是否按工艺作业。

9：改进工艺提高良率及效率．

10：led原物料质量管控，生产过程中的品质控制， 11：led成品入库和出货的品质管控，

**公司（2007-05 ～ 2011-06）

公司性质：

股份制企业行业类别：

电子、微电子技术、集成电路

担任职位：

设备课长

岗位类别：

光源与照明工程

工作描述：

1：新进设备安装和调试及验收，

2：LED封装设备人员工作安排与培训。简历表格 http://www.daodoc.com 3：负责生产管理、设备的维修及保养工作，

4：对电、气、设备进行安全监督，确保生产的顺利进行。 5：对设备重大机故检修,联络设备厂商对设检修及设备改进。

6：LED生产设备在生产过程中标准被执行之管控,LED设备的操作指引制定及各项标准文件制订管理

7：指导并监督生产部门是否正常操机台，对设备进行合理改善，以确保设备生产效率得到相应的提高

**公司（2005-12 ～ 2007-05）

公司性质：

股份制企业行业类别：

电子、微电子技术、集成电路

担任职位：

工程师

岗位类别：

光源与照明工程

工作描述：

1：LED前段技术人员工作安排，机台所需零配件申请请购，新进设备安装与调试。

2：设备维修及保养工作。

3：设备的改善、设备驾动率提升方案

项目经验

焊线机改用合金线焊接/LAMP（30/40）连体支架导入（2010-02 ～ 2011-04）

担任职位：

设备课长

项目描述：

1：焊线机用金线焊接改用合金线焊接， 2：LED封装自动固晶、焊线机和对应的支架改善，（之前LAMP支架20连体、30连体改为现在30连体、40连体。）

责任描述：

1：负责自动焊线机配套治具改装。过线系统和吹气系统改进。

2：负责自动固晶，焊线机，后段相应设备处理，LAMP支架30连体、40连体配套夹具申请及处理。

技能专长

专业职称：

设备课长/兼生产管理

计算机水平：

全国计算机等级考试一级

计算机详细技能：

能够进行计算机的基本的故障排除；基本熟悉CAD平面制图；熟练掌握办公软件；

技能专长：

1：工作优势：工作经验比较丰富，有著扎实深厚的专业基础知识，对LED行业（LAMP，SMD，食人鱼，大功率）的整个生产流程有较深刻的了解，特别是对前段固晶、焊线设备ASM公司固晶、焊线机及美国KS焊线机维修工作非常熟悉，对日本KAIJO焊线机、白光机、封胶机、分光机都有一定的了解；

2：对国产LED封装设备维修及保养工作以非常熟悉：例如：深圳大族固晶机。 3：我的专长和特殊技能：对LED封装前段固晶（AD809A-03 AD809HS-03 AD8930V AD892等)，焊线(EAGLE60 EAGLE60V IHAWK)的维修和管理工作非常熟悉，美国ks焊线机，能够排除该类机器的各种问题，对机器及其电路等方面的专业知识比较了解；

4：工作经历：2006年初至2007年从事前段设备维修保养工作；2008年至今从事封装设备部管理工作；

5：经过六年多工作锤炼，我相信自己的能力会给贵公司带来惊喜！

6：针对现在市场经济发展，市场竞争，成本降低，对焊线机的合金线导入以成了必然的趋势。针对此现状，现以对合金线及银线的调试以非常了解。焊线机做金线改为做合金线的装置以非常了解。

7：对生产计划制定和现场工作的管理非常熟悉。

语言能力

普通话：

流利

粤语：

一般

英语水平：

英语专业

口语一般

英语：

一般

求职意向

发展方向：

LED封装设备及生产工程管理

其他要求：

包食宿，试用期*** 自身情况自我评价：

本人性格开朗、稳重、有活力，待人热情真诚，对工作认真负责，积极主动，能吃苦耐劳，自信心责任心强，思想活跃，有创新精神，有较强的管理组织、实践动手能力及其团队合作精神，能迅速适应各种环境并融入其中。

第14篇：学习系统封装半年经验总结

学习系统封装半年经验总结！

正规学习封装系统是在半年前，看了无数的贴子，总结无数次经验！在论坛极少发贴，深感惭愧！

系统好封装，封装出一个稳定的好系统难，要考虑多方因素（PS:电脑公司的，用的人群种类太多）！

废话不说了。正题！

1.系统母盘的选用：用的是工行版SP2（非网上下载版，去工行去弄出来的，嘻嘻），用NLITE升级打包至SP3，多台电脑本本测试均正常使用！

（稳定的第一步）

2.选用实机封装还是虚拟机封装:这步我还是有点疑问（感觉虚拟机封出来的进系统不会找到新硬件要重启），二种方法都试过，封出来的系统

都实机测试过！最终选用实机封装！

3.系统安装（这步就不用多说了）

4.安装后忧化！（可以采用手动，或是软件忧化，关健是细节，不要漏掉）

安装后没有安装任何驱动，仅安装MAXDOS6,启动时间改为3秒！

我的电脑右键属性－硬件－驱动程序签名－忽略－默认值应用

我的电脑右键属性－硬件－WINDOWS UPDATE－从不

我的电脑右键属性－高级－性能－设置－（在窗口和按钮上使用视觉样式，在文件夹中使用常见任务，在桌面上为图标标签使用阴影）

我的电脑右键属性－高级－启动和故障恢复－写入调试信息－无

我的电脑右键属性－系统还原－在所有驱动器上关闭系统还原

我的电脑右键属性－自动更新－关闭自动更新

我的电脑右键属性－远程－全不远

开始－设置－控制面板－WINDOWS防火墙－关闭

开始－设置－控制面板－区域和语言选项－语言－删除不用的输入法

开始－设置－控制面板－区域和语言选项－高级－默认用户账户设置打勾

字体（考虑用户群未作删除）

开始－设置－控制面板－显示－删除不必要的主题

开始－设置－控制面板－显示－桌面－删除不要的壁纸（我的文档图片，C:\\WINDOWS,C:\\WINDOWS\\WEB）

开始－设置－控制面板－显示－屏幕保护程序－建议“无”，仅保留\"WINDOWS XP，图片收藏幻灯片\",其他删除（c:\\windows\\system32下）

曾经封装时用3D鱼屏保，部分低配电脑卡死！

开始－设置－控制面板－显示－屏幕保护程序－电源－均改为“从不”，不开启休眠！

右键IE-仅修改主页！（曾用忧化工具，安装360众多修复）

破解TCP/IP 并发连接数 1000

组策略未作修改（也可用论坛的组策略工具忧化）

5.系统减肥部分

使用天空论坛会员专减肥程序（封装推荐），请勿过度精简！

重启，很重要

6.重新注册DLLOCX （这步也是稳定的重要因素，内存不能READ原因）

开始－运行－CMD

for %1 in (%WinDir%\\system32\\*.dll) do regsvr32.exe /s %1回车

for %1 in (%WinDir%\\system32\\*.ocx) do regsvr32.exe /s %1回车

重启

7.常用软件部分（均未安装），因考虑软件常更新情况，做了软件安装管理器（有容乃大作品仅不到400K）软件在首次进入系统时弹出可选静默安装。

软件放在C:\\SOFT

关于常用软件的更新可用GHOSTEXP软件查看GHO镜像，下载最新版改名覆盖原文件即可，INI可改写！

8.开始封装(现在使用的都U盘启动，未考虑大小因素)，故选用

EASY5.11+EASYREP

解压EASY5.11放在C:\\DRIVERS下

EASYREP使用方法论坛上很多，随便说下，IE注册表忧化可改写，布署时调用EASY5.11，进系统时问询创建宽带连接，调用设备管理器，问询是否保留驱动安装包，调用软件安装管理器

9.重启后进入PE后使用磁盘碎片整理程序，开始做GHO镜像，至此整个过程结束！

第15篇：封装库的命名规则

PCB元件封装库命名规则简介

1、集成电路（直插）

用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2、集成电路（贴片）

用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm

3、电阻

3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装

如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号

如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装

4、电容

4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距

如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径

如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装

5、二极管整流器件

命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 6、晶体管

命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名

7、晶振

HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装

8、电感、变压器件

电感封封装采用TDK公司封装

9、光电器件

9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如：0805D表示封装为0805的发光二极管 9.2 直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示

外

径

为

5mm

的

直

插

发

光

二

极管 9.3 数码管使用器件自有名称命名

10、接插

10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm 如：SIP7-2.54表示针脚间距为2.54mm的7针脚单排插针 10.2 DIP+针脚数目+针脚间距来表示双排插针，引脚间距为两种：2mm，2.54mm 如：DIP10-2.54表示针脚间距为2.54mm的10针脚双排插针 10.3 其他接插件均按E3命名

封装库元件命名

一、多引脚集成电路芯片封装SOIC、SOP、TSOP在AD7.1元器件封装库中的命名含义。例如：SOIC库分为L、M、N三种。

L、M、N --代表芯片去除引脚后的片身宽度，即芯片两相对引脚焊盘的最小宽度。其中L宽度最大，N次之，M最小。

--这里选择名称为SOIC_127_M的一组封装为例，选择改组中名为SOIC127P600-8M的封装。

其中，127P --代表同一排相邻引脚间距为1.27mm； 600 --代表芯片两相对引脚焊盘的最大宽度为6.00mm； -8 --代表芯片共有8只引脚。

二、封装库中，名为DPDT的封装含义为（Double Pole Double Throw），同理就有了封装名称SPST、DPST、SPDT；

三、让软件中作为背景的电路板外形与实际机械1层定义的尺寸（无论方圆）等大的办法。首先，在PCB Board Wizard中按照实际尺寸初步Custom一块板子（一定要合理设置keepout间距，一般为2mm）。然后在Edit->Origin中为电路板设置坐标原点，将生成的电路板尺寸设置在机械1层，如果不喜欢板子四周的直角怕伤手，可以将四脚重新定义为弧形并标注尺寸。选定所有机械

1层上电路的尺寸约束对象，然后选择Design->Board Shape->Define from select,即可完成背景电路板外形的设置。

四、关于Design->Rules的一些设置技巧。

1、如果设计中要求敷铜层（及内电层）与焊盘（无论表贴还是通孔）的连接方式采用热缓冲方式连接，而敷铜层（及内电层）与过孔则采用直接连接方式的规则设置方法：敷铜层设置方法：

在规则中的Plane项目中找到Polygon Connect style项目，新建子项名为：

PolygonConnect_Pads，设置where the first object matches为：(InPADCla(\'All Pads\'))，where the second object matches为：All；并选择连接类型为45度4瓣连接。

又新建子项名为：PolygonConnect_Vias，设置where the first object matches为：All，where the second object matches为：All；并选择连接类型为直接连接方式。

在侧边栏中选中其中任何一个子项，点击坐下方Priorities按钮，将PolygonConnect_Pads子项的优先级设置为最高级别然后关闭。内电层设置方法：

同样，在Power Plane Connect Style项目中，新建子项名为：PlaneConnect_Pads，设置where the first object matches为：(InPadCla(\'All Pads\'))；连接类型为4瓣连接。又新建子项名为：PlaneConnect_Vias，设置where the first object matches为：All；连接类型为直接连接方式。

在侧边栏中选中其中任何一个子项，点击坐下方Priorities按钮，将PolygonConnect_Pads子项的优先级设置为最高级别然后关闭。

2、敷铜层（敷铜层为铜皮）与走线过孔以及焊盘的间距设置方法：

在Electrical项目中新建子项名为：Clearance_Polygon，设置where the first object matches为：(IsRegion)，where the second object matches为：All；并设置间距一般为20mil以上，30mil合适。

3、敷铜层（敷铜层为网格敷铜方式）与走线过孔以及焊盘的间距设置方法：需要将走线间距由原来的

9、10mil设置为需要敷铜的间距30mil，然后敷网格铜。待敷铜结束后，将走线间距改回为原来的间距，系统就不会报错了。

五、带有敷铜层和内电层的四层以上板，为了显示电路板层数，需要加入层标，在每一层上用数字标识，将层标处对准明亮处可以看到每一层的标识。

由于层标处需要透光，所以该区域不能有任何敷铜以及内电层通过。所以，首先在keepout层画出一个矩形框，阻隔上下两个敷铜层通过；然后用Place->Polygon Pour Cutout命令分别在每一个内电层上切除一个矩形框区域，这些区域要完全重叠，用于透光；最后在每一层上放置相应的层标字符。

六、在发热量较大的芯片下敷网格铜，而其他区域敷铜皮方法：

还是利用keepout线在发热芯片对应区域的禁止布线层（keepout层）圈出芯片的外形来；然后开始整板敷铜皮，看到的结果是，所有发热芯片位置的敷铜没有了。

注意：还要将芯片底部的所有接地过孔设置为NoNet，不让它接地！（以免敷铜皮时，芯片内部没有靠近keepout线的区域也被敷上了铜皮。）接下来是删除先前在keepout层的画线；

下面就好办了，同样还是敷铜，这回是在发热芯片区域敷网格铜，不必担心，可以圈出一个较大的敷铜区域以免芯片区域敷铜不完整，即便是占用了被敷了铜皮的位置，敷铜结果还是铜皮。 PCB封装焊盘大小与引脚关系

在PCB中画元器件封装时，经常遇到焊盘的大小尺寸不好把握的问题，因为我们查阅的资料给出的是元器件本身的大小，如引脚宽度，间距等，但是在PCB板上相应的焊盘大小应该比引脚的尺寸要稍大，否则焊接的可靠性将不能保证。下面将主要讲述焊盘尺寸的规范问题。

为了确保贴片元件（SMT)焊接质量，在设计SMT印制板时，除印制板应留出3mm-8mm的工艺边外，应按有关规范设计好各种元器件的焊盘图形和尺寸，布排好元器件的位向和相邻元器件之间的间距等以外，我们认为还应特别注意以下几点: （1）印制板上，凡位于阻焊膜下面的导电图形（如互连线、接地线、互导孔盘等）和所需留用的铜箔之处，均应为裸铜箔。即绝不允许涂镀熔点低于焊接温度的金属涂层，如锡铅合金等，以避免引发位于涂镀层处的阻焊膜破裂或起皱，以保证PCB板的焊接以及外观质量。（2）查选或调用焊盘图形尺寸资料时，应与自己所选用的元器件的封装外形、焊端、引脚等与焊接有关的尺寸相匹配。必须克服不加分析或对照就随意抄用或调用所见到的资料J 或软件库中焊盘图形尺寸的不良习惯。设计、查选或调用焊盘图形尺寸时，还应分清自己所选的元器件，其代码（如片状电阻、电容）和与焊接有关的尺寸(如SOIC,QFP等）。（3）表面贴装元器件的焊接可靠性，主要取决于焊盘的长度而不是宽度。

（a）如图1所示，焊盘的长度B等于焊端（或引脚）的长度T，加上焊端（或引脚）内侧（焊盘）的延伸长度b1，再加上焊端（或引脚）外侧（焊盘）的延伸长度b2，即B=T b1 b2。其中b1的长度（约为0.05mm—0.6mm），不仅应有利于焊料熔融时能形成良好的弯月形轮廓的焊点，还得避免焊料产生桥接现象及兼顾元器件的贴装偏差为宜；b2的长度（约为0.25mm—1.5mm），主要以保证能形成最佳的弯月形轮廓的焊点为宜（对于SOIC、QFP等器件还应兼顾其焊盘抗剥离的能力）。

（b）焊盘的宽度应等于或稍大（或稍小）于焊端（或引脚）的宽度。常见贴装元器件焊盘设计图解，如图2所示。焊盘长度 B=T b1 b2 焊盘内侧间距 G=L-2T-2b1 焊盘宽度 A=W K 焊盘外侧间距 D=G 2B。

式中：L–元件长度（或器件引脚外侧之间的距离）； W–元件宽度（或器件引脚宽度）； H–元件厚度（或器件引脚厚度）；

b1–焊端（或引脚）内侧（焊盘）延伸长度； b2–焊端（或引脚）外侧（焊盘）延伸长度； K–焊盘宽度修正量。

常用元器件焊盘延伸长度的典型值：对于矩形片状电阻、电容：

b1=0.05mm,0.10mm,0.15mm,0.20mm,0.30mm其中之一，元件长度越短者，所取的值应越小。

b2=0.25mm,0.35mm,0.5mm,0.60mm,0.90mm,1.00mm，元件厚度越薄者，所取值应越小。 K=0mm, -0.10mm,0.20mm其中之一，元件宽度越窄者，所取的值应越小。对于翼型引脚的SOIC、QFP器件：

b1=0.30mm,0.40mm,0.50mm,0.60mm其中之一，器件外形小者，或相邻引脚中心距小者，所取的值应小些。

b2=0.30mm,0.40mm,0.80mm,1.00mm,1.50mm其中之一，器件外形大者，所取值应大些。 K=0mm,0.03mm,0.30mm,0.10mm,0.20mm，相邻引脚间距中心距小者，所取的值应小些。 B=1.50mm～3mm,一般取2mm左右。若外侧空间允许可尽量长些。

（4）焊盘内及其边缘处，不允许有通孔（通孔与焊盘两者边缘之间的距离应大于0.6mm），如通孔盘与焊盘互连，可用小于焊盘宽度1/2的连线，如0.3mm～0.4mm加以互连，以避免因焊料流失或热隔差而引发的各种焊接缺陷。（5）凡用于焊接和测试的焊盘内，不允许印有字符与图形等标志符号；标志符号离开焊盘边缘的距

离应大于0.5mm。以避免因印料浸染焊盘，引发各种焊接缺陷以及影响检测的正确性。（ 6）焊盘之间、焊盘与通孔盘之间以及焊盘与大于焊盘宽度的互连线或大面积接地或屏蔽的铜箔之间的连接，应有一段热隔离引线，其线宽度应等于或小于焊盘宽度的二分之一（以其中较小的焊盘为准，一般宽度为0.2mm～0.4mm,而长度应大于0.6mm）；若用阻焊膜加以遮隔，其宽度可以等于焊盘宽度（如与大面积接地或屏蔽铜箔之间的连线）。

（7）对于同一个元器件，凡是对称使用的焊盘（如片状电阻、电容、SOIC、QFP 等），设计时应严格保持其全面的对称性，即焊盘图形的形状与尺寸完全一致（使焊料熔融时，所形成的焊接面积相等）以及图形的形状所处的位置应完全对称（包括从焊盘引出的互连线的位置；若用阻焊膜遮隔，则互连线可以随意）。以保证焊料熔融时，作用于元器件上所有焊点的表面张力能保持平衡（即其合力为零），以利于形成理想的优质焊点。

（8）凡焊接无外引脚的元器件的焊盘（如片状电阻、电容、可调电位器、可调电容等）其焊盘之间不允许有通孔（即元件体下面不得有通孔；若用阻焊膜堵死者可以除外），以保证清洗质量。

（9）凡多引脚的元器件（如SOIC、QFP等），引脚焊盘之间的短接处不允许直通，应由焊盘加引出互连线之后再短接（若用阻焊膜加以遮隔可以除外）以免产生位移或焊接后被误认为发生了桥接。另外，还应尽量避免在其焊盘之间穿越互连线（特别是细间隔的引脚器件）；凡穿越相邻焊盘之间的互连线，必须用阻焊膜对其加以遮隔。

（10）对于多引脚的元器件，特别是间距为0.65mm及其以下者，应在其焊盘图形上或其附近增设裸铜基准标志（如在焊盘图形的对角线上，增设两个对称的裸铜的光学定位标志）以供精确贴片时，作为光学校准用。（11）当采用波峰焊接工艺时，插引脚的焊盘上的通孔，一般应比其引脚线径大0.05～ 0.3mm为宜，其焊盘的直径应不大于孔径的3倍。另外，对于IC、QFP器件的焊盘图形，必须时可增设能对融熔焊料起拉拖作用的工艺性辅助焊盘，以避免或减少桥接现象的发生。（12）凡用于焊接表面贴装元器件的焊盘（即焊接点处），绝不允许兼作检测点；为了避免损坏元器件必须另外设计专用的测试焊盘。以保证焊装检测和生产调试的正常进行。（13）凡用于测试的焊盘只要有可能都应尽量安排位于PCB 的同一侧面上。这样不仅便于检测，更重要的是极大地降低了检测所花的费用（自动化检测更是如此）。另外，测试焊盘，不仅应涂镀锡铅合金，而且它的大小、间距及其布局还应与所采用的测试设备有关要求相匹配。

（14）若元器件所给出的尺寸是最大值与最小值时，可按其尺寸的平均值作为焊盘设计的基准。

（15）用计算机进行设计，为了保证所设计的图形能达到所要求的精度，所选用的网格单位的尺寸必须与其相匹配；为了作图方便，应尽可能使各图形均落在网格点上。对于多引脚和细间距的元器件（如QFP），在绘制其焊盘的中心间距时，不仅其网格单位尺寸必须选用0.0254mm（即1mil），而且其绘制的坐标原点应始终设定在其第一个引脚处。总之，对于多引脚细间距的元器件，在焊盘设计时应保证其总体累计误差必须控制在 -0.0127mm（0.5mil）之内。

第16篇：电子封装的现状及发展趋势

电子封装的现状及发展趋势

现代电子信息技术飞速发展,电子产品向小型化、便携化、多功能化方向发展.电子封装材料和技术使电子器件最终成为有功能的产品.现已研发出多种新型封装材料、技术和工艺.电子封装正在与电子设计和制造一起,共同推动着信息化社会的发展

一．电子封装材料现状

近年来,封装材料的发展一直呈现快速增长的态势.电子封装材料用于承载电子元器件及其连接线路,并具有良好的电绝缘性.封装对芯片具有机械支撑和环境保护作用,对器件和电路的热性能和可靠性起着重要作用.理想的电子封装材料必须满足以下基本要求: 1)高热导率,低介电常数、低介电损耗,有较好的高频、高功率性能; 2)热膨胀系数(CTE)与Si或GaAs芯片匹配,避免芯片的热应力损坏;3)有足够的强度、刚度,对芯片起到支撑和保护的作用;4)成本尽可能低,满足大规模商业化应用的要求;5)密度尽可能小(主要指航空航天和移动通信设备),并具有电磁屏蔽和射频屏蔽的特性。电子封装材料主要包括基板、布线、框架、层间介质和密封材料.1.1基板

高电阻率、高热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的最基本要求,同时还应与硅片具有良好的热匹配、易成型、高表面平整度、易金属化、易加工、低成本并具有一定的机械性能电子封装基片材料的种类很多,包括:陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料等.1.1.1陶瓷

陶瓷是电子封装中常用的一种基片材料,具有较高的绝缘性能和优异的高频特性,同时线膨胀系数与电子元器件非常相近,化学性能非常稳定且热导率高随着美国、日本等发达国家相继研究并推出叠片多层陶瓷基片,陶瓷基片成为当今世界上广泛应用的几种高技术陶瓷之一目前已投人使用的高导热陶瓷基片材料有A12q,AIN,SIC和B或)等.1.1.2环氧玻璃

环氧玻璃是进行引脚和塑料封装成本最低的一种,常用于单层、双层或多层印刷板,是一种由环氧树脂和玻璃纤维(基础材料)组成的复合材料.此种材料的力学性能良好,但导热性较差,电性能和线膨胀系数匹配一般.由于其价格低廉,因而在表面安装(SMT)中得到了广泛应用.1.1.3金刚石

天然金刚石具有作为半导体器件封装所必需的优良的性能,如高热导率(200W八m·K),25oC)、低介电常数(5.5)、高电阻率(1016n·em)和击穿场强(1000kV/mm).从20世纪60年代起,在微电子界利用金刚石作为半导体器件封装基片,并将金刚石作为散热材料,应用于微波雪崩二极管、GeIMPATT(碰撞雪崩及渡越时间二极管)和激光器,提高了它们的输出功率.但是,受天然金刚石或高温高压下合成金刚石昂贵的价格和尺寸的限制,这种技术无法大规模推广.1.1.4金属基复合材料为了解决单一金属作为电子封装基片材料的缺点,人们研究和开发了低膨胀、高导热金属基复合材料.它与其他电子封装材料相比,可以通过改变增强体的种类、体积分数、排列方式,基体的合金成分或热处理工艺实现材料的热物理性能设计;也可以直接成型,节省材料,降低成本.用于封装基片的金属基复合材料主要为Cu基和Al基复合材料

1.2布线材料

导体布线由金属化过程完成.基板金属化是为了把芯片安装在基板上和使芯片与其他元器件相连接.为此,要求布线金属具有低的电阻率和好的可焊性,而且与基板接合牢固.金属化的方法有薄膜法和厚膜法,前者由真空蒸镀、溅射、电镀等方法获得,后者由丝网印刷、涂布等方法获得.薄膜导体材料应满足以下要求:电阻率低;与薄膜元件接触电阻小,不产生化学反应和相互扩散;易于成膜和光刻、线条精细;抗电迁移能力强;与基板附着强度高,与基板热膨胀系数匹配好;可焊性好,具有良好的稳定性和耐蚀性;成本低,易成膜及加工.Al是半导体集成电路中最常用的薄膜导体材料,其缺点是抗电子迁移能力差.Cu导体是近年来多层布线中广泛应用的材料.Au,Ag,NICrAu,Ti-Au,Ti-Pt-Au等是主要的薄膜导体.为降低成本,近年来采用Cr-Cu-Au,Cr-Cu-Cr,Cu-Fe-Cu,Ti-Cu-Ni-Au等做导体薄膜.1.3层间介质

介质材料在电子封装中起着重要的作用,如保护电路、隔离绝缘和防止信号失真等.它分为有机和无机2种,前者主要为聚合物,后者为SiO2:,Si3N4和玻璃.多层布线的导体间必须绝缘,因此,要求介质有高的绝缘电阻,低的介电常数,膜层致密.1.3.1厚膜多层介质

厚膜多层介质要求膜层与导体相容性好,烧结时不与导体发生化学反应和严重扩散,多次烧结不变形,介质层与基板、导体附着牢固,热膨胀系数与基板、导体相匹配,适合丝网印刷.薄膜介质分以下3种: (1) 玻璃一陶瓷介质既消除了陶瓷的多孔结构,又克服了玻璃的过流现象,每次烧结陶瓷都能逐渐溶于玻璃中,提高了玻璃的软化温度,适合多次烧结.(2) 微晶玻璃.(3) 聚合物.1.3.2薄膜多层介质

薄膜多层介质可以通过CVD法、溅射和真空蒸镀等薄膜工艺实现,也可以由Si的热氧化形成5102介质膜.有机介质膜主要是聚酞亚胺(PI)类,它通过施转法进行涂布,利用液态流动形成平坦化结构,加热固化成膜,刻蚀成各种图形.此方法简单、安全性强.由于Pl的介电常数低、热稳定性好、耐侵蚀、平坦化好,且原料价廉,内应力小,易于实现多层化,便于元件微细化,成品率高,适合多层布线技术,目前国外对聚合物在封装中的应用进行了大量研究 1.4密封材料

电子器件和集成电路的密封材料主要是陶瓷和塑料.最早用于封装的材料是陶瓷和金属,随着电路密度和功能的不断提高,对封装技术提出了更多更高的要求,同时也促进了封装材料的发展.即从过去的金属和陶瓷封装为主转向塑料封装.至今,环氧树脂系密封材料占整个电路基板密封材料的90%左右.二．电子封装技术的现状

20世纪80年代以前,所有的电子封装都是面向器件的,到20世纪90年代出现了MCM,可以说是面向部件的,封装的概念也在变化.它不再是一个有源元件,而是一个有功能的部件.因此,现代电子封装应该是面向系统或整机的.发展电子封装,即要使系统小型化,高性能、高可靠和低成本.电子封装已经发展到了新阶段,同时赋予了许多新的技术内容.以下是现代电子封装所涉及的几种主要的先进封装技术

2.1球栅阵列封装

该技术采用多层布线衬底,引线采用焊料球结构,与平面阵列(PGA)(见图1)和四边引线扁平封装(QFP)(见图2)相比,其优点为互连密度高,电、热性能优良,并且可采用表面安装技术,引脚节距为1.27mm或更小.由于多层布线衬底的不同,可有不同类型的球栅阵列封装

2,2芯片级封装

这是为提高封装密度而发展起来的封装.其芯片面积与封装面积之比大于80%.封装形式主要有芯片上引线(LOC),BGA(microBGA)和面阵列(I一GA)等,是提高封装效率的有效途径.目前,主要用于静态存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、管脚数不多的专用集成电路(ASIC)和处理器.它的优点主要是测试、装架、组装、修理和标准化等.2.3直接键接芯片技术

这是一种把芯片直接键接到多层衬底或印制电路板上的先进技术,一般有3种方法:引线键合法、载带自动键合法和倒装焊料接合法.第1种方法和目前的芯片工艺相容,是广泛采用的方法,而后者起源于IBM,是最有吸引力和成本最低的方法.2.4倒装法

这是一种把芯片电极与衬底连接起来的方法,将芯片的有源面电极做成凸点,使芯片倒装,再将凸点和衬底的电极连接.过去凸点制作采用半导体工艺.目前,最著名的是焊料凸点(Solderbump)制作技术,该技术是把倒装芯片和互连衬底靠可控的焊料塌陷连接在一起,可以减少整体尺寸30%~50%,电性能改善10%~30%,并具有高的性能和可靠性.三．行业前景展望

(l)在金属陶瓷方面,应进一步提高材料的热物理性能,研究显微结构对热导率的影响;同时应大力从军用向民用推广,实现规模化生产,降低成本,提高行业在国际上的竞争力.(2)在塑料封装方面,应加大对环氧树脂的研究力度,特别是电子封装专用树脂;同时大力开发与之相配套的固化剂及无机填料.(3)随着封装成本在半导体销售值中所占的比重越来越大,应把电子封装作为一个单独的行业来发展.

第17篇：元件名称元件符号封装属性

元件名称元件符号封装属性

电阻 RES1-RES4 AXIAL系列从AXIAL-0.3到AXIAL-1.0，后缀数字代表两焊盘的间距，

单位为Kmil.

无极性电容 CAP RAD-0.1到RAD-0.4

有极性电容 ELECTRO RB.2/.4到RB.5/1.0

瓷片电容 RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

电解电容： RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般

用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6

电位器原 POT1和POT2 VR-1到VR-5.

普通二极管 DIODE DIODE0.4和DIODE 0.7

肖特基二极管 DIODE SCHOTTKY DIODE0.4和DIODE 0.7

隧道二极管 DUIDE TUNNEL DIODE0.4和DIODE 0.7

变容二极管 DIODE VARCTOR DIODE0.4和DIODE 0.7

稳压二极管 ZENER1~3 DIODE0.4和DIODE 0.7

发光二极管 RB.1/.2

三极管 NPN,NPN1,PNP，PNP1 TO

18、TO-92A（普通三极管）TO-220（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）

N沟道结型场效应管 JFET N TO18

P沟道结型场效应管 JFET P TO18

N沟道增强型管 MOSFET N TO18

P沟道增强型管 MOSFET P TO18

整流桥 BRIDGE1和BRIDGE2 D系列，如D-44，D-37，D-46等。

单排多针插座 CON CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

.双列直插元件根据功能的不同而不同 DIP系列。

串并口类原理图 DB DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列

电源稳压块78系列 7805，7812 TO-126和TO-126

电源稳压块79系列 7905，7912 TO-126和TO-126

集成块： DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚

第18篇：LED封装材料基础知识(精)

LED 封装材料基础知识

LED 封装材料主要有环氧树脂，聚碳酸脂，聚甲基丙烯酸甲脂，玻璃，有机硅材料等高透明材料。其中聚碳酸脂，聚甲基丙烯酸甲脂，玻璃等用作外层透镜材料；环氧树脂，改性环氧树脂，有机硅材料等，主要作为封装材料，亦可作为透镜材料。而高性能有机硅材料将成为高端LED 封装材料的封装方向之一。下面将主要介绍有机硅封装材料。

提高LED 封装材料折射率可有效减少折射率物理屏障带来的光子损失，提高光量子效率，封装材料的折射率是一个重要指标，越高越好。提高折射率可采用向封装材料中引入硫元素，引入形式多为硫醚键、硫脂键等，以环硫形式将硫元素引入聚合物单体，并以环硫基团为反应基团进行聚合则是一种较新的方法。最新的研发动态，也有将纳米无机材料与聚合物体系复合制备封装材料，还有将金属络合物引入到封装材料，折射率可以达到1.6-1.8，甚至2.0，这样不仅可以提高折射率和耐紫外辐射性，还可提高封装材料的综合性能。

一、胶水基础特性

1.1有机硅化合物--聚硅氧烷简介

有机硅封装材料主要成分是有机硅化合物。有机硅化合物是指含有Si-O 键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物，习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。其中，以硅氧键（-Si-0-Si-）为骨架组成的聚硅氧烷，是有机硅化合物中为数最多，研究最深、应用最广的一类，约占总用量的90%以上。

1.1.1结构

其结构是一类以重复的Si-O 键为主链，硅原子上直接连接有机基团的聚合物，其通式为R ’---（Si R R ’ ---O）n --- R ”，其中，R、R ’、R ”代表基团，如甲基，苯基，羟基，H ，乙烯基等；n

为重复的Si-O 键个数（n 不小于2）。有机硅材料结构的独特性：

（1） Si原子上充足的基团将高能量的聚硅氧烷主链屏蔽起来；（2） C-H无极性，使分子间相互作用力十分微弱；（3） Si-O键长较长，Si-O-Si 键键角大。

（4） Si-O键是具有50％离子键特征的共价键（共价键具有方向性，离子键无方向性）。

1.1.2性能

由于有机硅独特的结构，兼备了无机材料与有机材料的性能，具有表面张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质，并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性。

耐温特性：有机硅产品是以硅－氧（Si －O ）键为主链结构的，C －C 键的键能为347kJ/mol，Si －O 键的键能在有机硅中为462kJ/mol，所以有机硅产品的热稳定性高，高温下（或辐射照射）分子的化学键不断裂、不分解。有机硅不但可耐高温，而且也耐低温，可在一个很宽的温度范围内使用。无论是化学性能还是物理机械性能，随温度的变化都很小。

耐候性：有机硅产品的主链为－Si －O －，无双键存在，因此不易被紫外光和臭氧所分解。有机硅具有比其他高分子材料更好的热稳定性以及耐辐照和耐候能力。有机硅中自然环境下的使用寿命可达几十年。

电气绝缘性能：有机硅产品都具有良好的电绝缘性能，其介电损耗、耐电压、耐电弧、耐电晕、体积电阻系数和表面电阻系数等均在绝缘材料中名列前茅，而且

它们的电气性能受温度和频率的影响很小。因此，它们是一种稳定的电绝缘材料，被广泛应用于电子、电气工业上。有机硅除了具有优良的

耐热性外，还具有优异的拒水性，这是电气设备在湿态条件下使用具有高可靠性的保障。

生理惰性：聚硅氧烷类化合物是已知的最无活性的化合物中的一种。它们十分耐生物老化，与动物体无排异反应，并具有较好的抗凝血性能。

低表面张力和低表面能：有机硅的主链十分柔顺，其分子间的作用力比碳氢化合物要弱得多，因此，比同分子量的碳氢化合物粘度低，表面张力弱，表面能小，成膜能力强。这种低表面张力和低表面能是它获得多方面应用的主要原因：疏水、消泡、泡沫稳定、防粘、润滑、上光等各项优异性能。

1.1.3有机硅化合物的用途

由于有机硅具有上述这些优异的性能，因此它的应用范围非常广泛。它不仅作为航空、尖端技术、军事技术部门的特种材料使用，而且也用于国民经济各行业，其应用范围已扩到：建筑、电子电气、半导体、纺织、汽车、机械、皮革造纸、化工轻工、金属和油漆、医药医疗等行业。

其中有机硅主要起到密封、粘合、润滑、绝缘、脱模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等功能。随着有机硅数量和品种的持续增长，应用领域不断拓宽，形成化工新材料界独树一帜的重要产品体系，许多品种是其他化学品无法替代而又必不可少的。

1.2 LED封装用有机硅材料特性简介

LED 封装用有机硅材料的要求：光学应用材料具有透光率高，热稳定性好，应力小，吸湿性低等特殊要求，一般甲基类型的硅树脂25℃时折射率为1.41左右，而苯基类型的硅树脂折射率要高，可以做到1.54以上，450 nm 波长的透光率

要求大于95％。在固化前有适当的流动性，成形好；固化后透明、硬度、强度高，在高湿环境下加热后能保持透明性。

主要技术指标有：折射率、粘度、透光率、无机离子含量、固化后硬度、线性膨胀系数等等。

1.2.1 材料光学透过率特性

石英玻璃、硅树脂和环氧树脂的透过率如图1 所示。硅树脂和环氧树脂先注入模具, 高温固化后脱模, 形成厚度均匀为5 mm 的样品。可以看到, 环氧树脂在可见光范围具有很高的透过率, 某些波长的透过率甚至超过了95% , 但环氧树脂在紫外光范围的吸收损耗较大, 波长小于380 nm 时, 透过率迅速下降。硅树脂在可见光范围透过率接近92%, 在紫外光范围内要稍低一些, 但在320 nm时仍然高于88%, 表现出很好的紫外光透射性质; 石英玻璃在可见光和紫外

光范围的透过率都接近95%, 是所有材料里面紫外光透过率最高的。对于紫外LED 封装, 石英玻璃具有最高的透过率, 有机硅树脂次之, 环氧树脂较差。然而尽管石英玻璃紫外光透过率高, 但是其热加工温度高, 并不适用于LED 芯区的密封, 因此在LED 封装工艺中石英玻璃一般仅作为透镜材料使用。由于石英玻璃的耐紫外光辐射和耐热性能已经有很多报道 , 仅对常用于密封LED 芯区的环氧树脂和有机硅树脂的耐紫外光辐射和耐热性能进行研究。

1.2.2耐紫外光特性

研究了环氧树脂A 和B 以及有机硅树脂A 和B 在封装波长为395 nm和375 nm 的LED 芯片时的老化情况, 如图2所示。实验中, 每个LED 的树脂涂层厚度均为2 mm 。可以看到, 环氧树脂材料耐紫外光辐射性能都较差, 连续工作时, 紫外LED 输出光功率迅速衰减, 100 h 后输出光功率均下降到初始的50% 以下; 200 h 后, LED 的输出光功率已经非常微弱。对于脂环族的环氧树脂B, 在375 nm 的紫外光照射下衰减比395 nm时要快, 说明对紫外光波长较为敏感, 由于375 nm的紫外光光子能量较大, 破坏也更为严重。双酚类的环氧树脂A 在375 nm 和395 nm 的紫外光

照射下都迅速衰减, 衰减速度基本一致。尽管双酚类的环氧树脂A 在375 nm 和395 nm 时的光透过率要略高于脂环族类的环氧树脂B, 但是由于环氧树脂A 含有苯环结构, 因此在紫外光持续照射时, 衰减要比环氧树脂B 要快。

尽管双酚类的环氧树脂A 在375 nm和395 nm时的光透过率要略高于脂环族类的环氧树脂B, 但

是由于环氧树脂A 含有苯环结构, 因此在紫外光持续照射时, 衰减要比环氧树脂B 要快。测量老化前后LED 芯片的光功率, 发现老化后LED 的光功率基本上没有衰减。这说明, 光功率的衰减主要是由紫外光对环氧树脂的破坏引起的。环氧树脂是高分子材料, 在紫外线的照射下, 高分子吸收紫外光子, 紫外光子光子能量较大, 能够打开高分子间的键链。因此, 在持续的紫外光照射下, 环氧树脂的主链慢慢被破坏, 导致主链降解, 发生了光降解反应, 性质发生了变化。实验表明, 环氧树脂不适合用于波长小于380 nm的紫外LED 芯片的封装。相对环氧树脂, 硅树脂表现出了良好的耐紫外光特性。经过近1 500 h 老化后, LED 输出光功率虽然有不同程度的衰减, 但是仍维持在85%以上, 衰减低于15%。这可能与硅树脂和环氧树脂间的结构差异有关。硅树脂的主要结构包括Si 和O, 主链Si-O-Si 是无机的, 而且具有较高的键能; 而环氧树脂的主链主要是C-C 或C-O, 键能低于Si-O 。由于键能较高, 硅树脂的性能相对要稳定。因此, 硅树脂具有良好的耐紫外光特性。

1.2.3 耐热性

LED 封装对材料的耐热性提出了更高的要求。从图3可以看出, 环氧树脂和硅树脂具有较好的承受紫外光辐照的能力。因此, 对其热稳定性进行了研究。图3 表示这两种材料在高温老化后mm- 1厚度时透过率随时间的变化情况。可以看到, 环氧树脂的耐热性较差, 经过连续6天的高温老化后, 各个波长的透过率都发生了较大的衰减, 紫外光范围的衰减尤其严重, 环氧树脂样品颜色从最初的清澈透明变成了黄褐色。

硅树脂表现出了优异的耐热性能。在150 e 的高温环境下, 经过14 days 的老化后, 可见光范围的样品mm- 1厚度时透过率只有稍微的衰减, 在紫外光范围也仅有

少量的衰减, 颜色仍然保持着最初的清澈透明。与环氧树脂不同, 硅树脂以Si-O-Si 键为主链, 由于Si-O 键具有较高的键能和离子化倾向, 因此具有优良的耐热性。

1.2.4光衰特性

传统封装的超高亮度白光L ED ,配粉胶一般采用环氧树脂或有机硅材料。如图4所示, 分别用环氧树

脂和有机硅材料配粉进行光衰实验的结果。可以看出, 用有机硅材料配粉的白光L ED 的寿命明显比环氧树脂的长很多。原因之一是用有机硅材料和环氧树脂配粉的封装工艺不一样, 有机硅材料烘烤温度较低, 时间较短, 对芯片的损伤也小; 另外, 有机硅材料比环氧树脂更具有弹性, 更能对芯片起到保护作用。

1.2.5 苯基含量的影响

提高LED 封装材料折射率可有效减少折射率物理屏障带来的光子损失，提高光量子效率，封装材料的折射率是一个重要指标，越高越好。硅树脂中苯基含量越大，就越硬，折射率越高（合成的几乎全苯基的硅树脂折射率可达1.57），但因热塑性太大，无实际使用价值，苯基含量一般以20%~50%（质量分数）为宜。实验发现苯基含量为40%时（质量分数）硅树脂的折射率约1.51，苯基含量为50%时硅树脂的折射率大于1.54，如图5所示。所合成的都是高苯基硅树脂，苯基含量都在45%以上，其折射率都在1.53以上，其中一些可以达到1.54以上。

1.3有机硅封装材料应用原理及分析

有机硅封装材料一般是双组分无色透明的液体状物质，使用时按A ：B=1：1的比例称量准确，使用专用设备行星式重力搅拌机搅拌，混合均匀，脱除气泡即可用于点胶封装，然后将封装后的部件按产品要求加热固化即可。

有机硅封装材料的固化原理一般是以含乙烯基的硅树脂做基础聚合物，含SiH 基硅烷低聚物作交联剂，铂配合物作催化剂配成封装料，利用有机硅聚合物的Si —CH ＝CH 2与Si —H 在催化剂的作用下，发生硅氢化加成反应而交联固化。我

们可以用仪器设备来分析表征一些技术指标有如折射率、粘度、透光率、无机离子含量、固化后硬度、线性膨胀系数等等。

1.3.1 红外光谱分析

有机硅聚合物的Si —CH ＝CH 2与Si —H 在催化剂的作用下，发生硅氢化加成反应而交联。随着反

应的进行，乙烯基含量和硅氢基的浓度会逐渐减少，直到稳定于一定的量，甚至消失。

可采用红外光谱仪测量其固化前后不同阶段的乙烯基和硅氢基的红外光谱吸收变化情况[2]。我们只列举合成的高苯基乙烯基氢基硅树脂固化前和固化后的红外光谱为例：如图6所示，固化前：3071，3050 cm －1是苯环和CH 2=CH-不饱和氢的伸缩振动，2960 cm－1是－CH 3的C-H 伸缩振动，2130 cm－1是Si —H 的吸收峰，1590 cm －1是—CH ＝CH2不饱和碳的吸收峰， 1488 cm －1是苯环的骨架振动，1430，1120 cm －1 是Si －Ph 的吸收峰，1250 cm －1是Si －CH 3的吸收峰，1060 cm －1是Si-O-Si 的吸收峰；固化后：2130 cm －1处的Si —H 的吸收峰和1590 cm－1处的—CH ＝CH2不饱和碳的吸收峰均消失。

1.3.2 热失重分析

有机硅主链si-0-si 属于“无机结构”，si-0键的键能为462kJ/mol，远远高于C-C 键的键能347kJ/mol，单纯的热运动很难使si-0键均裂，因而有机硅聚合物具有良好的热稳定性，同时对所连烃基起到了屏蔽作用，提高了氧化稳定性。有机硅聚合物在燃烧时会生成不燃的二氧化硅灰烬而自熄。为了分析封装材料的耐热性，及硅树脂对体系耐热性的影响，我们进行了热失重分析，如图7图8所示，样品起始分

解温度大约在400℃，800℃的残留量在65％以上。封装材料在400℃范围内不降解耐热性好，非常适用于大功率LED 器件的封装。

1.3.3 DSC分析

我们采用DSC （差示热量扫描法）分析了硅树脂固化后的玻璃化转变温度Tg 。一般，Tg 的大小取决于分子链的柔性及化学结构中的自由体积，即交联密度，Tg 随交联密度的增加而升高，可以提供一个表征固化程度的参数。我们采用DSC 分析了所制备的凝胶体、弹性体、树脂体的Tg ，如表1所示，显然随着凝胶体、弹性体、树脂体的交联密度的增加，玻璃化转变温度Tg 升高。同样也列举合成的高苯基乙烯基氢基硅树脂固化后的差示热量扫描分析图谱，如图9所示，玻璃化转变温度Tg 约72℃。封装应用应根据封装实际的需求，选用不同的形态。

表1 有机硅树脂的玻璃化转变温度Tg

图9 高苯基乙烯基氢基硅树脂DSC 分析图谱 1.4有机硅封装材料的分类及与国外同类产品的对比

为了提高LED 产品封装的取光效率，必须提高封装材料的折射率，以提高产品的临界角，从而提高产品的封装取光效率。根据实验结果，比起荧光胶和外封胶折射率都为1.4时，当荧光胶的折射率比外封胶高时，能显著提高LED 产品的出光效率，提升LED 产品光通量。目前业内的混荧光粉胶折射率一般为1.5左右，外封胶的折射率一般为1.4左右，故大功率白光LED 灌封胶应选取透光率高（可见光透光率大于99%）、折射率高（1.4-1.5）、耐热性较好（能耐受200℃的高温）的双组分有机硅封装材料

LED 有机硅封装材料，固化后按弹性模量划分，可分为凝胶体，弹性体及树脂等三大类；按折射率划分，可分为标准折射率型与高折射率两大类，见表2：

表2 LED有机硅封装材料的分类

与国外同类产品进行了对比，其参数如表3表4所示，可知各项性能参数较接近，经部分客户试用反映良好。

表3自制低折色率产品与国外同类产品的比较

表4自制高折色率产品与国外同类产品的比较

针对LED 封装行业的不同部位的具体要求开发五个应用系列的有机硅材料，不同的封装要求，在封装材料的粘度，固化条件，固化后的硬度（或弹性），外观，折光率等方面有差异。具体分类介绍如下：

1.4.1混荧光粉有机硅系列

传统封装的超高亮度白光L ED ,配粉胶一般采用环氧树脂或有机硅材料。如图9所示, 分别用环氧树脂和有机硅材料配粉进行光衰实验的结果。可以看出, 用有机硅材料配粉的白光L ED 的寿命明显比环氧树脂的长很多。原因之一是用有机硅材料和环氧树脂配粉的封装工艺不一样, 有机硅材料烘烤温度较低, 时间较短, 对芯片的损伤也小; 另外, 有机硅材料比环氧树脂更具有弹性, 更能对芯片起到保护作用。

1.4.2 MODING封装材料有机硅系列

1.4.3TOP 贴片封装材料有机硅系列

1.4.4透镜填充有机硅系列

1.4.5集成大功率LED 有机硅系列

二、胶水与其它材料之间的关联性（含固晶胶）

有机硅材料对其他材料没有腐蚀性，但某些材料会影响封装材料的固化。固晶胶一般为环氧树脂材料，它的固化剂种类很多，如果其中含有N ，P ，S 等元素，会导致封装材料与固晶胶接触部分不固化。如果对某一种基材或材料是否会抑制固化存在疑问，建议先做一个相容性实验来测试某一种特定应用的合适性。如果在有疑问的基材和固化了的弹性体材料界面之间存在未固化的封装料，说明不相容，会抑制固化。

这些最值得注意的物质包括：

1、有机锡和其它有机金属化合物

2、硫、聚硫化物、聚砜类物或其它含硫物品

3、胺、聚氨酯橡胶或者含氨的物品

4、亚磷或者含亚磷的物品

5、某些助焊剂残留物

有机硅封装材料有很好的耐湿气，耐水性及耐油性，但对浓硫酸，浓硝酸等强酸，氨水，氢氧化钠等强碱，以及甲苯等芳香烃溶剂的抵抗能力差。下表定性的列出有机硅封装材料耐化学品性。

有机硅封装材料耐化学品性表

三、胶水的应用与风险防范 3.1使用：

A、B 两组分1：1称量，用行星式重力搅拌机（自公转搅拌脱泡机）搅拌均匀即可点胶。或者在一定温度下，于10mmHg 的真空度下脱除气泡即可使用。建议在干燥无尘环境中操作生产。

3.2注意事项

A、有机硅封装材料在称量，混合，转移，点胶，封装，固化过程中使用专用设备，避免与其他物质混杂带来不确定的影响。

B、某些材料、化学制剂、固化剂和增塑剂可以抑制弹性体材料的固化。这些最值得注意的物质包括： B-

1、有机锡和其它有机金属化合物

B-

2、硫、聚硫化物、聚砜类物或其它含硫物品 B-

3、胺、聚氨酯橡胶或者含氨的物品 B-

4、亚磷或者含亚磷的物品 B-

5、某些助焊剂残留物

如果对某一种基材或材料是否会抑制固化存在疑问，建议先做一个相容性实验来测试某一种特定应用的合适性。如果在有疑问的基材和固化了的弹性体材料界面之间存在未固化的封装料，说明不相容，会抑制固化。

C、在使用封装材料时避免进入口眼等部位；接触封装材料后进食前需要清洗手；封装材料不会腐蚀皮肤，因个人的生理特征有差异，如果感觉不适应暂停相关工作或就医。

D、在LED 生产中很可能会产生的问题是芯片封装时，杯内汽泡占有很大的不良比重，但是产品在制作过程中如果汽泡问题没有得到很好的解决或防治，就会造成产品衰减加快的一个因素。影响气泡产生的因素比较多, 但是多做一些工程评估，即可逐步解决。一般情况下，工艺成熟后，气泡的不良比重不会太高。以下是相关因素：

（1）环境的温度和湿度对气泡产生有较大的影响。（2）模条的温度也是产生气泡的一个因素。（3）气泡的产生与工艺的调整有很大关系。

例如，有些工厂没有抽真空也没有气泡，而有些即使抽了真空也有气泡，从这一点看不是抽不抽真空的问题，而是操作速度的快慢、熟练程度的问题。同时与环境温度也是分不开的。环境温度变化了，可以采取相应的措施加以控制。若常温是15℃，如让胶水的温度达到60℃，这样做杯内气泡就不会出现。同时要注意很多细节问题，如在滚筒预沾胶时产生微小气泡，肉眼和细微镜下看不到，但一进入烤箱体内，热胀气泡扩涨。如果此时温度太高，气体还没有跃出就固化所以产生气泡现象。LED 表面有气泡但没破，此为打胶时产生气泡。LED 表面有气泡已破，原因是温度太高。手工预灌胶前，支架必须预热。预热预灌的AB 组分进行2小时调换一次。只要你保持AB 料、支架都是热的，气泡问题不难解。因为AB 组分冷时流动性差, 遇到冷支架容易把气泡带入。操作时要注意以下问题：

（1）操作人员的操作技巧不熟练（整条里面有一边出现气泡）；（2）点胶机的快慢和胶量没有控制好（很容易出现气泡的地方）；（3）机器是否清洁（此点不一定会引起气泡，但很容易产生类似冰块一样的东西，尤其是环已酮）；

（4）往支架点胶时，速度不能快，太快带入的空气将难以排出；

（5）胶要常换、胶筒清洗干净，一次混胶量不能太多，A ，B 组分混合就会开始反应，时间越长胶越稠，气泡越难排出；

E、大多数封装客户都发现做好的产品在初期做点亮测试老化之后都有不错的表现，但是随着时间的推移，明明在抽检都不错的产品，到了应用客户开始应用的时候或者不久之后，就发现有胶层和PPA 支架剥离、LED 变色（镀银层变黄发黑）的情况发生。那这到底是什么原因引起的？是在制程的过程中工艺把握不好导

致封装胶固化不好吗？当然有可能，但是随着客户工艺的不断成熟，这种情况发生的机率会越来越少。有以下因素供大家参考；

（1）PPA 与支架剥离的原因是：PPA 中所添加的二氧化钛因晶片所发出的蓝光造成其引起的光触媒作用、PPA 本身慢慢老化所造成的，硅胶本身没老化的情况下，由于PPA 老化也会导致剥离想象的发生；二氧化钛吸收太阳光或照明光中的紫外线，产生光触媒作用，会产生分解力与亲水性的能力。特別具有分解有机物的能力。

（2 以LED 变色问题为例、现阶段大致分三类：？硫磺造成镀银层生硫化银而变色？卤素造成镀银层生卤化银而变色？镀银层附近存在无机碳。

• 有机硅封装材料、固晶材料并不含有S 化合物、卤素化合物, 硫化及卤化物的发生取决于使用的环境。

• 无机碳的存在为环氧树脂等的有机物因热及光的分解后的残渣。在镀银层以环氧等固晶胶作为蓝光晶片接合的场合频繁发生。

•有机硅封装材料即使被热及光分解也不会变成黑色的碳。

• 若是沒有使用环氧等的有几物的场合有发现无机碳存在的话有可能是由外部所带入。

• 上述的3种变色现象是因蓝光、镀银、氧气及湿气使其加速催化所造成综上所述，我们发现，以上的主要原因是由于有氧气，湿气侵入到LED 内部以及有无机碳的存在

而带来的一系列的问题，那么我们应该如何解决呢。

（1）在封装过程中避免使用环氧类的有机物，比如固晶胶；

（2 选择低透气性的封装材料，尽量避免使用橡胶系的硅材料，尽量选用树脂型的硅材料；

（3 在制程的过程中尽量采用清洗支架，尽可能的增加烘烤流程。如何解决隔层问题？出现隔层，一般是胶水沾接性能不好，先膨胀后收缩所致。也有粉胶与外封胶膨胀系数差异太大产生较大内应力，在金线部位撕裂。故升温太快有裂层或固化不好，而分段固化，反应没那么剧烈，消除一些内应力。

3.3贮存及运输：

1、阴凉干燥处贮存，贮存期为6个月（25℃）。3-

2、此类产品属于非危险品，可按一般化学品运输。

3、胶体的A、B 组分均须密封保存，在运输，贮存过程中防止泄漏。 3.4封装工艺 A.LED 的封装的任务

是将外引线连接到LED 芯片的电极上，同时保护好LED 芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。

B.LED 封装形式

LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED 按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED 等。

C.LED 封装工艺流程 1.芯片检验

镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill ）；芯片尺寸及电极大小是否符合工艺

要求；电极图案是否完整。 2.扩片

由于LED 芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm ），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED 芯片的间距拉伸到约0.6mm 。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。

3.点胶

在LED 支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC 导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED 芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。

4.备胶

和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED 背面电极上，然后把背部带银胶的LED 安装在LED 支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。

5.手工刺片

将扩张后LED 芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED 支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED 芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。

6.自动装架

自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED 支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED 芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED 芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。

7.烧结

烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在 150℃，烧结时间 2 小时。根据实际情况可以调整到 170℃，1 小时。绝缘胶一般 150℃，1 小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔 2 小时（或 1 小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。 8.压焊压焊的目的将电极引到 LED 芯片上，完成产品内外引线的连接工作。 LED 的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。 9.点胶封装 LED 的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的胶水和支架。（一般的 LED 无法通过气密性试验）TOP-LED 和 Side-LED 适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光 LED），主要难点是对点胶量的控制，因为胶水在使用过程中会变稠。白光 LED 的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。 10.灌胶封装 Lamp-LED 的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在 LED 成型模腔内注入胶水，然后插入压焊好的 LED 支架，放入烘箱让胶水固化后，将 LED 从模腔中脱出即成型。 11.模压封装将压焊好的 LED 支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个 LED 成型槽中并固化。 12.固化与后固化固化是指封装胶水的固化。 13.后固化后固化是为了让胶水充分固化，同时对 LED 进行热老化。后固化对于提高胶水与支架（PCB）的粘接强度非常重要。 14.切筋和划片

由于 LED 在生产中是连在一起的（不是单个） Lamp 封装 LED 采用切筋切断 LED 支架的连筋。， SMD-LED 则是在一片 PCB 板上，需要划片机来完成分离工作。 15.测试测试 LED 的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对 LED 产品进行分选。 16.包装将成品进行计数包装。超高亮 LED 需要防静电包装。

第19篇：封装材料行业基本概况

封装材料行业研究报告

研究员：高鸿飞

一、行业定义

根据国民经济行业分类《国民经济行业分类GB/T 4754-2011》），引线框架和LED支架制造业属于为计算机、通信和其他电子设备制造业（行业代码：C39）；根据中国证监会行业分类（《上市公司行业分类指引》），引线框架和LED支架制造业属于计算机、通信和其他电子设备制造业C396。

二、行业的监管体制

引线框架和LED支架制造业所属的行业主管部门是国家发展改革委员会、中国环境保护部及中国工业和信息化部。国家发改委主要负责本行业发展政策的制定；中国环境保护部负责环境污染防治的监督管理，制定环境污染防治管理制度、标准和技术规范并组织实施；中国工业和信息化部负责制定我国电子元器件行业的产业规划和产业政策，对行业的发展方向进行宏观调控。

引线框架和LED支架制造业的行业自律性组织是中国电子材料行业协会（以下简称“行业协会”），该协会是由从事电子材料生产、研制、开发、经营、应用、教学的单位及其他相关企、事业单位自愿结合组成的全国性的行业社会团体，为政府对电子材料行业实施行业管理提供帮助，同时也是政府部门和企业单位之间的桥梁纽带。行业协会主要在电子材料行业自律、技术培训、信息交流、国内外交流与合作等方面广泛开展工作，为行业的进步和发展起到了促进作用。行业协会下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会和半导体支撑业分会等5个分会。

三、封装材料行业基本概况

（1）引线框架概念及应用领域

引线框架是一种用来作为芯片载体的专用材料，借助于键合丝使芯片内部电路引出端（键合点）通过内引线实现与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。在半导体中，引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用，需要在强度、弯曲、导电性、导热性、耐热性、热匹配、耐腐蚀、步进性、共面形、应力释放等方面达到较高的标准。

（2）LED支架概念及应用领域

LED是“Light Emitting Diode”的缩写，中文译为“发光二极管”，是一种可以将电能转化为光能的半导体器件，不同材料的芯片可以发出红、橙、黄、绿、蓝、紫色等不同颜色的光。LED的核心是由p型半导体和n型半导体组成的芯片，而LED支架就是芯片的承载物，担负着机械保护，提高可靠性；加强散热，降低芯片结温、提高LED性能；光学控制，提高出光效率，优化光束分布；供电管理，包括交流/直流转变、电源控制等作用。

（3）半导体封装材料产业链结构 ①引线框架产业链结构

引线框架的上游行业主要是铜合金带加工企业和生产氰化银钾的化工企业，由于铜基材料具有导电、导热性能好，价格低以及和环氧模塑料密着性能好等优势，当前已成为主要的引线框架材料，其用量占引线框架材料的80%以上。

公司引线框架产业的下游行业是集成电路和分立器件封装测试行业。一般的封装工艺流程为：划片→装片→键合→塑封→去飞边→电镀→打印→切筋和成型→外观检查→成品测试→包装出货。引线框架主要是在装片步骤中，作为切割好晶片的基板，是封装过程中所需的重要基础材料。

公司引线框架产业处于产业链中游，随着电子信息技术的高速发展，对集成电路的性能要求越来越多样化，对集成电路封装测试行业的要求也越来越高。公司将会充分发挥创新优势，致力于研发多样化和高性能的引线框架。

②LED支架产业链结构

LED支架的主要原材料为铜合金带、氰化银钾和PPA，铜合金带属于金属加工产品，氰化银钾属于化工产品，而PPA则是塑料制品，因此，公司的上游产业主要是金属加工企业、化工企业和塑料制品企业。

LED支架主要应用在电子和照明领域，主要产品有汽车信号灯、照明灯、家用电器、户外大型显示屏、仪器仪表等光电产品。LED支架主要是作为LED灯珠的基板，在LED封装过程中起着重要作用，因而公司的LED支架主要是供给LED封装企业，为LED封装提供必要材料。

公司LED支架产业处于产业链中游，LED支架是LED封装过程所必需的专用电子材料，但随着光电技术的高速发展，对LED产品的性能要求越来越多样化，对LED封装技术和封装材料的要求越来越高。公司将会充分发挥创新优势，致力于研发多样化和高性能的LED支架。

公司主要原材料介绍如下：

铜合金带，是以纯铜为基体加入一种或多种其他元素所构成的合金。常用的铜合金主要分为黄铜、青铜和白铜三大类。因具有优良的导电性、导热性、延展性和耐蚀性，多用于制作发电机、母线、电缆、开关装置、等电器材料和热交换器、管道、太阳能加热装置的平板集热器等导热器材。

氰化银钾，是一种化学产品，呈白色晶体状，有剧毒，对光敏感，遇酸可稀出氰化银，因而电镀银时，使用其作为电解液。

聚邻苯二酰胺树脂，简称PPA塑料，是一种半结晶性材料，其玻璃化温度在255华氏度，熔点在590华氏度，由于PPA塑料拥有优良的阻燃性、电性能、很高的热变形温度、很高的高温弯曲模量等优良性能、能以最小的溢料加工成长的薄壁部件等性能，因此PPA塑料被用作电气元件注塑的原材料。

（4）上下游对本行业的影响

公司引线框架和LED支架的主要原材料为铜合金带、氰化银钾和PPA，铜带价格和氰化银钾受金属铜和金属银的价格影响，波动较大，而PPA作为化工产品，价格平稳，因而金属铜和金属银的价格波动直接影响了公司的生产成本。

封装材料行业下游市场的需求变化直接决定了本行业未来的发展状况。公司面对的下游行业主要有半导体封装测试行业和LED封装测试行业。封装测试行业与封装材料行业关系紧密，封装测试行业的发展将直接带动本行业的发展，行业波动性趋于一致。但随着电子信息技术的迅速发展，封装技术的提高，对于封装材料性能和可靠性的要求越来越高，从而促使行业内企业不断改进技术，开发新产品，以保持在市场中的竞争地位，因而针对自主研发能力强的生产厂商技术优势明显，市场份额将逐步扩大。

（二）行业市场规模

1、引线框架行业

半导体行业的发展直接拉动了半导体封装材料行业的需求，从而也间接推动了引线框架等封装材料的发展，因而引线框架的发展与半导体行业息息相关。

（1）全球半导体行业

半导体可划分为集成电路和分立器件，集成电路产业链如下图所示：

分立器件产品由于其功能单

一、产品结构稳定、更新换代较慢，其产业链主要由芯片制造和芯片封装测试两个环节构成。

所有半导体行业内的企业按照商业模式可划分为两类，一类是IDM（Integrated Device Manufacture，整合组件制造）模式，另一类是垂直分工模式。IDM厂商的经营范围涵盖了IC设计、芯片制造、芯片封装测试等各环节，甚至延伸到下游电子终端。而在垂直分工商业模式下，各厂商分别专注于整个半导体产业链的某个环节，形成了专业的IC设计、芯片制造、芯片封装测试厂商。

由于半导体制造业具有规模经济性特征，适合大规模生产。企业扩大生产规模会降低单位产品的成本，提高企业竞争力。但半导体产业所需的投资十分巨大，沉没成本高。这意味着除了少数实力强大的IDM厂商有能力扩张外，其他的厂商根本无力扩张，垂直分工商业模式正式在这种产业背景下产生的。晶圆代工（Foundry）的出现降低了IC设计业的进入门槛，众多的中小型IC设计厂商纷纷成立，绝大部分是无生产线的IC设计公司（Fable）。Fable与Foundry的快速发展，促成垂直分工模式的繁荣。

Fable与IDM厂商都要直接面对客户，处于同一个竞争层面，二者之间存在激烈的竞争。相对而言，IDM的品牌优势更为明显，有些IDM拥有强大的电子终端品牌，如三星、松下、索尼等，众多Fable厂商只能通过捕捉市场热点并迅速推出产品制胜，也有少数技术实力强大的Fable可以立足研发，推出自己的差异化产品，成为细分子行业的龙头。芯片制造厂商、封装测试厂商与IDM之间的合作会更紧密。由于IC制造前期投入资金量较大，固定成本较高，如果一条生产线建立后不能进行大量生产则无法收回成本。由于加工工艺和设备的成本直线上升，许多IDM 厂商无法通过投资生产线实现收益，而芯片制造厂商、封装测试厂商可以通过为多家客户代工同类型产品而获益，在这种情况下，许多IDM厂商将制造环节外包给芯片制造厂商、封装测试厂商。两者的合作不但可以分担研发先进工艺所需的费用及所面临的风险，而且一旦一个新工艺投入量产，IDM和芯片制造厂商、封装测试厂商都能从中获益。随着技术进一步发展，建设IC制造生产线的固定成本将更高，IDM厂商将有更多的业务外包给芯片制造厂商、封装测试厂商，双方的共同研发也会越来越深入，二者之间的合作将更加密切。

随着电子信息技术的进步，智能手机、超高清电视、平板电脑等智能化电子产品的消费需求不断上升，2014年全球半导体销售额达到3,358亿美元。在区域方面，中国地区仍是是全球半导体产业增长的一个重要区域和增长动力。近年来，全球半导体市场规模如下图所示：

数据来源：美国半导体业协会（SIA）

（2）中国半导体行业

2000年6月，国务院发布《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》后，我国半导体产业开始进入高速发展阶段，经过近几年的快速发展，我国半导体行业正逐渐成为世界半导体行业一个重要的组成部分，但在技术水平与其他起步较早国家仍有较大差距。我国半导体行业起步较晚，在全球半导体产业出现垂直分工商业模式后逐步出现了IC设计企业、芯片制造企业和芯片封装测试企业。

IC设计行业是一个高度技术密集的产业，欧美、日本企业经过几十年的技术积累，现在已经基本把芯片设计的核心技术掌握在手中，并且建立了垄断的态势。芯片制造行业是一个资本和技术密集产业，但以资本密集为主。晶圆厂的关键设备——光刻机的价格在千万美元到亿美金级别，一个晶圆工厂的投资现在是以十亿美金的规模来计划。相对于IC设计、芯片制造而言，芯片封装行业是一个技术和劳动力密集产业，在半导体产业链中是劳动力最密集的。结合各半导体产业链技术、资金特点，半导体封装行业是半导体产业链三层结构中技术要求最低，同时也是劳动力最密集的一个领域，最适合中国企业借助于相对较低的劳动力优势去切入的半导体产业的。半导体芯片封装测试产业也是全球半导体企业最早向中国转移的产业。

根据中国半导体行业协会《中国半导体产业发展状况报告（2013版）》，2012年我国半导体集成电路产业结构如下图所示：

数据来源：中国半导体行业协会（CSIA）

尽管我国半导体产业发展落后于其他国家，但我国半导体消费市场、特别是集成电路消费市场增长速度大大超过世界平均增长速度。2006年至2014年我国集成电路行业市场规模及增长率如下图所示：

数据来源：中国半导体行业协会（CSIA）

1）我国整机生产大国，半导体需求量巨大

我国是整机产品的生产大国，彩电、冰箱、洗衣机、空调、汽车、手机、PC、数字影碟机等的产量在世界均名列前茅，对各种电接插元件需求呈持续旺盛的态势。整机业的快速发展给我国半导体行业带来了较好的市场机遇。

我国是世界上第一大半导体消费市场，近几年我国半导体消费市场占全球半导体消费市场比例如下图所示：

数据来源：中国半导体行业协会（CSIA）

2）国内半导体供给不足，供需缺口巨大

尽管近年来我国半导体行业通过快速发展，规模得到了迅速提升，国内半导体需求的自给率逐步提高，但是截至目前供需缺口仍然较大。根据中国半导体行业协会的统计，2012年我国半导体产业销售额3,538.5亿元，同期我国半导体总需求为9,826.2亿元，我国半导体产业的总供给仅能满足国内需求的36.01%。

在巨大需求的拉动下，一方面国内企业由于产能和技术水平的提高，生产规模将逐步变大，另一方面国外企业将生产基地逐步向国内转移，我国的半导体行业面临较为长期的发展机遇。根据中国半导体行业协会的预测，我国半导体产业在未来5年内仍将保持高速发展。伴随着我国半导体产业的快速发展，引线框架等上游基础产业也将面临重大的发展机遇。

数据来源：中国半导体行业协会（CSIA）

（3）引线框架的市场需求

引线框架是半导体封装的主要材料之一，随着集成电路向大规模、超大规模以及线路高集成化、高密度化方向的迅速发展，引线框架也向短、小、轻、薄方向发展，这就要求引线框架材料具有高强度、高导电导热性以及良好的焊接性、耐蚀性、加工成型性、塑封性能、光刻性、抗氧化性等一系列综合性能。

全球引线框架市场总体上呈较快增长态势，受世界金融危机影响，2008年下半年至2009年上半年，世界引线框架市场伴随着全球经济萎靡，受到严重冲击，出现下滑，但紧跟着2009年下半年开始世界经济复苏，半导体封装市场得到快速回温，引线框架需求量也快速增长，到2010年，世界引线框架市场基本恢复到了金融危机前的增长水平，2011年后，由于受欧债危机等因素影响，世界经济增长放缓，引线框架的市场需求也受到影响，增长速度放缓。2004年至2013年，全球引线框架市场规模情况如下表：

数据来源：SEMI 随着电子信息技术的高速发展，对集成电路及分立器件的性能要求越来越多样化，对产品可靠性的要求也越来越苛刻，同时成本还要越来越低，如此不断推动引线框架朝着高密度、高可靠性、低成本迈进。

目前，集成电路的主要发展趋势是高密度、高脚位、薄型化、小型化，封装方式从最初的DIP封装方式逐步向SOP、QEP、BGA、CSP等封装方式发展。随着数字电视、信息家电和3G手机等消费和通信领域技术的迅猛发展，市场对高端集成电路产品的需求不断增加，新型高密度引线框架开发速度明显加快，而传统的引线框架也往多排方向发展。2006年至2013年，国内引线框架的市场规模情况如下图所示：

数据来源：SEMI

2、LED行业（1）LED应用

随着技术的不断发展和完善，LED应用市场也在不断扩大。截至目前，LED已广泛应用于指示灯、景观照明、显示屏、背光源、手机键盘及相机闪光灯、室内装饰、汽车应用、交通指示灯等多个领域。

按照产品用途不同，LED应用产品可划分为LED显示屏、LED照明、LED背光源、LED指示等。

1）LED显示屏

LED显示屏，是由LED器件阵列组成的显示屏幕，通常包括控制系统、显示模组、电源和结构件等。其工作原理是：电源将输入的电流转换成LED显示屏所需的额定电压和电流，作为显示屏工作的能源支撑，然后控制系统通过控制LED显示模组的每一个发光二极管的亮度、颜色等来显示文字、图片、Flash、视频等各种信息。LED显示屏可广泛用于广告媒体屏、体育场馆屏、演艺展会租赁屏、交通诱导屏、大型活动展示屏等。

按照不同的分类方法可将 LED 显示屏划分为不同的种类。 A、按颜色基色划分

单色LED显示屏：由一种颜色LED器件组成的LED显示屏。多色LED显示屏：由任意两种颜色LED器件组成的LED显示屏。全彩LED显示屏：由红、绿、蓝三基色LED器件组成的LED显示屏。 B、按使用环境划分

室内显示屏：亮度适中、高密度、观看距离短，在非阳光直射或室内灯光环境下使用。

室外显示屏：高亮度、像素点较大、设计时需考虑防水、防潮等因素，可以在阳光直射下使用。

C、按像素中心距划分

常用的像素中心距有（单位：毫米）：3.0、4.0、4.7、

5、

6、7.6

2、

8、

10、

12、

14、

16、

18、20、

22、

25、

28、31.

25、40。

D、按LED 显示屏用封装器件划分

直插LED显示屏：以直插封装器件为发光单元的LED显示屏，具有亮度高、防护性好等特点，适合室外显示屏使用。点阵LED显示屏：以点阵封装器件为发光单元的LED显示屏，具有环境适应性好、可视角度大等特点，适合室内和室外显示屏使用。

表贴LED显示屏：以表贴封装器件为发光单元的LED显示屏，具有一致性好等特点，通常用于室内。

2）LED照明

LED照明是以LED作为光源制造出来的照明器具。相比于白炽灯、荧光灯等传统照明光源，LED 照明产品具有节能环保、结构坚固、轻便灵活等优势。按照应用领域，LED 照明可以分为汽车应用、LED 室内装饰、景观照明、LED路灯、特种照明等。

3）LED背光源

LED背光源是指为LCD提供背部发光组件的光源，其能够实现背光的平面化。与冷阴极荧光管背光源（CCFL）相比，LED背光源具有节能环保、色域广、亮度均匀性好等优势。从应用领域来看，随着LED背光源散热、电流控制等技术方面的改进，LED背光源应用领域已从MP

3、MP

4、数码相机、摄像机拓展到中大尺寸的笔记本电脑、液晶电视等。

4）LED指示

LED 指示是基于LED光源用于信息传递的灯具，其在道路交通、汽车、施工等场所得到广泛应用，具体产品为汽车信号灯、交通信号灯等。

（2）LED封装简介

LED封装是指发光芯片的封装，是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。因此，LED封装既有电参数，又有光参数的设计及技术要求。作为LED产业链的中游环节，LED器件的封装在LED产业的发展中起着承上启下的作用，也是我国在全球LED产业链分工中具有规模优势和成本优势的产业环节之一。LED封装结构可根据应用产品的需求而改变，根据不同的应用需要，LED的芯片可通过多种封装方式做成不同结构和外观的封装器件，按LED显示屏用器件的封装形式主要分为直插封装、点阵封装和表贴封装；按LED照明用器件的封装形式主要分为表贴封装、大功率封装、COB封装（板上芯片封装）等。

中国是LED封装大国，据估计全世界80%数量的LED器件封装集中在中国，分布在各类美资、台资、港资、内资封装企业。在过去的五年里，外资LED封装企业不断内迁大陆，内资封装企业不断成长发展，技术不断成熟和创新。在中低端LED器件封装领域，中国LED封装企业的市场占有率较高，在高端LED器件封装领域，部分中国企业有较大突破。随着工艺技术的不断成熟和品牌信誉的积累，中国LED封装企业必将在中国这个LED应用大国里扮演重要和主导的角色。据估算，中国的封装产能（含外资在大陆的工厂）占全世界封装产能的60%，并且随着LED产业的聚集度在中国的增加，此比例还在上升。大陆LED封装企业的封装产能扩充较快，随着更多资本进入大陆封装产业，LED封装产能将会快速扩张。

随着LED封装行业的快速发展，LED封装材料行业也随之迅速发展，LED封装材料主要有支架、胶水、模条、金线、透镜等。目前中国的封装材料供应链已较完善，大部分材料已能在大陆生产供应。高性能的环氧树脂和硅胶以进口居多，这两类材料主要要求耐高温、耐紫外线、优异折射率及良好的膨胀系数等。随着全球一体化的进程，中国LED封装企业已能最快速拥有世界上最新和最好的封装材料。据统计，LED封装产业的年化增长率可达20%以上。近年来，国内LED封装产业市场规模情况如下所示：

数据来源：国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

（三）所处行业风险特征

1、行业竞争加剧的风险

我国是世界上第一大半导体消费市场，根据中国半导体协会的统计，2014年我国半导体总需求为8,477亿元，在巨大需求的拉动下，一方面国内企业不断投入资金，提高产能和技术水平，生产规模逐步扩大；另一方面国外企业将生产基地逐步向国内转移。根据中国半导体行业协会的预测，我国半导体产业在未来5年内仍将保持高速发展。伴随着我国半导体产业的快速发展，半导体封装材料等上游基础产业也将面临重大的发展机遇。虽然公司作为较早进入者，已经取得了业内领先的竞争地位，在产品、技术、市场、人才、管理等众多方面均具有一定的先发竞争优势。但随着电子信息技术的发展，半导体需求的扩大，更多规模较大、实力较强的企业将加入到行业的竞争中来，有实力的竞争对手也将增加对技术研发和市场开拓的投入，如果公司未来不能进一步提升技术研发实力、制造服务能力和经营管理水平，则有可能面临行业竞争加剧所导致的市场地位下降的风险。

2、主要原材料价格波动风险

公司主要从事引线框架和LED支架的研发、生产和销售，上述产品的主要原材料是铜带，产品成本受铜价的波动影响较大。报告期内铜价大幅波动，给公司的成本控制带来一定的压力，未来不排除国内铜价波动导致公司铜带采购价格大幅变动的可能。如果未来本公司不能及时调整产品价格以抵消成本波动的影响，公司的经营业绩可能会受到影响。

3、行业政策变化引起的风险

2006年2月，国务院颁布《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006－2020 年）》，该纲要在重点领域中确定一批优先主题的同时，围绕国家目标，进一步突出重点，筛选出若干重大战略产品、关键共性技术或重大工程作为重大专项，《规划纲要》将“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”确定为16个重大专项之一，同时将半导体照明产品列为“重点领域及其优先主题”。

2014年3月，国家发展和改革委员会颁布的《产业结构调整指导目录（2014年本）》明确了我国产业结构调整的方向和重点，其中将“半导体、光电子器件、新型电子元器件等电子产品用材料”列入鼓励类投资项目。

2014年2月，国家工业和信息化部颁布的《电子信息制造业“十二五”发展规划》中提出，在关键电子元器件和材料方面，积极发展用于支撑、装联和封装等使用的金属材料、非金属材料和高分子材料；在放光二极管（LED）方面，加大对封装结构设计、新封装材料、新工艺、荧光粉性能、散热机理的研究与开发。

未来，若国家相关法律法规和产业政策发生不利变化或调整，将对产业用纺织品行业产生负面影响。

4、半导体行业周期波动的风险

本公司主要生产半导体封装材料引线框架及LED支架，属于半导体封装测试行业中的半导体封装材料支撑行业，公司产品所处行业的发展与半导体行业的发展正相关。从全球半导体产业发展的历史来看，半导体产业的发展呈现一定的周期性。由于受到市场格局变动、产品技术升级等影响，大约每隔四五年全球半导体产业经历一次景气循环。半导体产业具有技术、市场呈周期性波动的特点，从而导致半导体封装材料行业也呈现相同的趋势。

半导体行业（包含半导体封装材料行业）的周期性波动系行业固有的特点，如公司未来不能及时采取措施适应国内半导体封装行业市场和技术的快速发展，行业的周期性波动会对公司的盈利水平带来一定影响。

（四）、行业壁垒（1）品牌壁垒

客户对产品质量、可靠性要求较高，往往对名牌产品具有较高忠诚度，所以拥有市场认可的品牌是参与行业竞争的核心优势之一。而品牌的建立非一日一时之功，需要长期的开拓和维护，因此缺乏为客户所接受的品牌是新企业进入本行业的重要壁垒。

（2）技术壁垒

随着电子信息技术的进步、行业标准的细化以及下游产业间对产品性能和可靠性要求的提升，需要生产企业有较高技术实力，以推动产品质量和生产工艺流程的改善，以获取竞争优势和利润空间。技术实力的提升不仅要求企业不断的投入大量的资金，还取决于人才的积累、研发的积淀和企业创新文化的培育，这些均需要较长的时间过程。资金不够充裕、技术研发实力弱小的企业将随着中低端产品的需求量的下降而被市场淘汰。因此，半导体封装材料行业更新换代对企业技术实力有较高要求，在淘汰缺乏经营优势的中小型企业的同时，也为新进入者设置了较高的技术壁垒。

（3）营销网络或渠道壁垒

根据半导体行业的特性，产品在向下游企业供货前，必须先经过下游企业严格的合格供应商认证，认证标准通常远远高于国家或行业制定的标准，而且认证周期较长，一般在半年以上，严格的合格供应商认证制度使新企业进入行业难度增大。

（4）人才壁垒

封装材料生产行业需要大批电子、模具等领域的高素质、高技能、具有丰富经验的专业人才；同时还需要熟悉了解行业特点、精通管理的人才，组成一支高效管理团队，带领企业做好生产、质量控制、采购、营销、财务等各方面工作，使企业获得持续的竞争优势。

第20篇：系统封装常见问题大总结

[经验分享] 系统封装常见问题大总结（非官方）

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本帖最后由玩看于 2013-7-17 07:41 编辑

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哈哈，好久没来天空了，没办法，忙着应付高考，现在有空了，上来论坛瞧瞧，唬唬，原先的 XP系统封装视频教程大放送居然因为7天内无回复而被锁帖，哎，都怪115网盘，都怪这破电信，上传速度那么慢，不然的话我就重传了。废话不多说，旧的不去新的不来，现在发布一篇新帖，当初因为看到经常有朋友问些低级问题，而这些问题天空又没有一篇较为完善的总结，为此咬咬牙，从论坛上搜集好几百篇帖子汇聚了平常经常问的问题，其中不乏网友的原话，其中有些疏忽我也进行了订正，希望能到大家的支持，大家有好的经验也不妨写下来，以便帮助更多的人。

【1】问~在老的机子上装虚拟机~~封装出来的系统能装新机上吗？

还有我的老机子是单核的 ~在这种机子上装虚拟机封装出来的系统能用在双核或者4核的机子上吗？ skyfree:

1、虚拟机硬件和你本机硬件无关联，至多是CPU与你本机的相同

2、理论上将，在任何机器上封装的系统均可部署到任何机器，但为了减少驱动残留、SRS驱动冲突等问题，也是为了方便，绝大多数时候使用的是最小化硬件的虚拟机

3、虚拟机建议使用完整版的VMware

【2】关于封装前安装驱动问题：

我们大家都知道封装系统前必须卸载驱动，我的问题是比喻显卡、声卡、网卡等，在使用安装版时不一定安装上了驱动（即显卡、声卡、网卡等驱动不上，在设备管理器里出现问号），这时直接进行封装。不为他们安装驱动是否可以（也就是说需要特意把驱动给安装上吗）？

答：

可以。。封装不需要安装。。

目的是卸载，并不是安装，所以没有装上的就不要装了。一个人有病才去就医，如果没有病就没有必要特意去感染一些病来医吧。

不用安装，就算安装了，使用ES封装时也会自动卸载他们（因为封装系统不止是在一台机器上使用，如果不卸载所有驱动而直接封装出来，那么这个系统部署到其他电脑上只有蓝屏），等部署系统时候会自动安装好驱动的。【3】关于内存不能为read

用YlmF 系统 DIY Y1.6 给XP系统减肥

（1）这个建议不要使用，以前使用过了也出现内存不能为read 现在没使用了一次也没出现过了

（2）用了YMLF1.6的精简工具，后来封装的系统小了，但是用一段后会出现内存不能为READ的现象。

（3）截止目前为止，这个问题算是暂时解决了，最后一次封装的版本，已经测试了10天左右，在7-8台不同配置，不同环境的机器中测试，还没有发现问题。总结如下，ylmf的那个精简工具不能用，迅雷某个版本的不能用，就基本顺利了。（4）YlmF 系统 DIY Y1.6 给系统减肥会替换system32下的一个DLL 以前我也是这样老出现内存不能为read，不用这个工具就没事最好不要用

【4】关于DX9C安装问题：

1、问：比喻 Office、WinRAR等都是先安装好再封装系统，为什么DX9C一般是在系统恢复才安装，它与显卡有关吗？

答：完全没有关系，就是为了节约空间。如果你不在乎封装系统的大小，完全可以在封装前把所有软件全部安装好，也就省去在部署过程中安装一些程序了。

小结：可以封装前安装，部署时安装一般都是为了节省体积

2、问：DX9安装会不会根据不同的显卡进行安装？

答：DX是微软提供的多媒体编程接口，和显卡型号没有关系。

3、问：WIN7自带了了directX11，还用另安装directX9吗？这两天正在学封装WIN7，突然发现个问题，就是看到系统自带了directX11，那还用在部署的时候安装directX9么？看网上有的说11包含9了，有的说各是各的，知道的来说说吧

答：需要安装directX9，D9是D9 ，D11是D11，D11不包含D9，说D11包含D9的是不懂装懂。现在很多大型游戏都要装这个directX9（大部分游戏还是D9的），如果你玩游戏的话那DX9是必须的，所以必须装。

4、DirectX9.0C和VBVC静默版的调用时间

问：DirectX9.0C和VBVC静默版是要封装前安装，部署时调用，还是部署完进系统后调用？如果是部署时调用，那应该是部署前，部署中，还是部署后呢？答：

一般是在部署时调用，目的是为了控制体积

需要控制体积的话，部署时装；不需要控制体积的话，封装前装。部署中部署后都可以，我一般是在部署中注册组件时调用。【5】Adobe Flash Player

Adobe Flash Player 静默安装参数是 -install 例子：FlashPlayer.exe -install

【6】关于封装工具默认参数设置~~

问：一直没用过这个功能，就是一个软件调用静默安装，比如ABC.exe 默认参数是/q 那在参数里写/q还是 ABC.EXE /q ？

Skyfree回复: /q

【7】java VM虚拟机

1、问：封装时需要安装JAVA虚拟机吗？母盘没有集成，请问各位封装时JAVA虚拟机这个东西还需要装吗？怎么感觉装和不装没啥区别。

答：我认为应该装，因为现在很多网页有JAVA内容，需要这个虚拟机打开。

2、问：MS-JAVA和SUN-JAVA有什么区别？封装应该装哪个？封装的时候应该装哪个软件啊？还是都的装啊？

答：MSjava N年没更新过了..Sunjava比MSJAVA强.使用SUN-JAVA即可。

3、推荐使用sun java vm 而不用ms java vm 的原因：

(1)用原版XPSP3安装，安装微软Java虚拟机(Microsoft Java Virtual Machine) ，在IE8中经常会出现内存错误。 (2)我的也是，装了微软的Java后 IE8老是出错，后来装了SUN的Java就没有问题

(3)MS java VM 那个东西不好啊，和ie8.0冲突，当弹出要安装activex时就崩溃，不信原版安装完后更新ie8，去微软网站更新就会出错了

(4)ms java vm 已经很久没更新了! sun java vm 倒是比较常用&常更新!!

(5)MS java VM与IE8明显不兼容，为什么大家还要集成呢？

前天用实体机封装时发现的，但急于封装，就用了IE7。

封完了不满意，不过也不急了，用虚拟机准备重封时测试了下，目前看，MS java VM严重与IE8不兼容，同时安装这2个，然后打开MSN官网或在线更新网站都报错，3个全是微软自家的。很是奇怪论坛居然没有醒目提示，反反复复测试了几小时，目前看sun java和IE8暂时不存在问题，不过在HP最著名的灌水D版发贴几十分钟内收到的回复来看，貌似没必要集成java，还是比较少的。我现在偏向不集成java，或再测试sun java的兼容性。

4、请问如果不安装java vm对电脑的使用有什么影响。看了许多教程，封装系统的时候都把这个加里面了最佳答案

1，什么是Java虚拟机

Java虚拟机（JVM）是Java Virtual Machine的缩写，它是一个虚构出来的计算机,是通过在实际的计算机上仿真模拟各种计算机功能模拟来实现的。Java虚拟机有自己完善的硬件架构,如处理器、堆栈、寄存器等,还具有相应的指令系统。 2，为什么使用Java虚拟机？

Java语言最重要的特点就是可以在任何操作系统中运行。使用Java虚拟机就是为了支持与操作系统无关，在任何系统中都可以运行。 3，Java虚拟机的基本原理

Java虚拟机屏蔽了与具体操作系统平台相关的信息,使得Java语言编译程序只需生成在Java虚拟机上运行的目标代码(字节码),就可以在多种平台上不加修改地运行。Java虚拟机在执行字节码时,实际上最终还是把字节码解释成具体平台上的机器指令执行。

我们上网时，有些网页是用java语言写的，以及一些java程序脚本等等都需要系统中有Java虚拟机时才能打开察看。不过，有些恶意网页有带病毒的java脚本程序，使电脑中毒。但毕竟是少数。如果不装的话可能中的毒就少一些，但这个虚拟机还是很实用的，很多地方都要用到，建议安装。

【8】保存输入法

XP的话：控制面板-区域与语言-高级-将所有设置应用与当前用户帐户和默认用户配置文件-将其打勾-应用-确定。

win7的话：控制面板—区域和语言—管理—复制设置，然后勾选“欢迎屏幕和系统帐号”和“新建用户帐户”，最后单击“确定”保存设置退出。

（注：由于使用sysprep重新封装系统后，在恢复安装时系统将把输入法的相关设置还原到系统默认状态，封装前新安装的输入法将不在语言栏的列表里显示，需手动再次添加）意思是说，或者比如说：在你装了系统后，我是说的原版的，里面是没有五笔字型输入法的，需要你自己动手去安装；如果你不做这一步的话，系统被你重新封装后再还原，你之前装的“五笔字型输入法”就找不到了。

【9】请问如何彻底删除示例图片？

问：在封装前我是清空了我的文档和共享文档类图片收藏夹里的图片的，为什么封装完后进如系统那些原来的示例图片又出现了？求解答答：封装完成后，需要到PE下删除公用文件夹下面的示例图片。如果你是在封装前删除的话。那么封装后会自动又生成。封装完成后再删除就没了。【10】在系统部署安装网络组件时出现 svchost.exe$LVS_AUTOARRANGE );取消自动排列

If $iRefresh Then DllCall(\"shell32.dll\", \"none\", \"SHChangeNotify\", \"long\", 0x8000000, \"int\", 0, \"ptr\", 0, \"ptr\", 0);刷新图标

_SaveAndLoadIconPos($inifile, 1) ;Run(\"RunDll32.exe USER32.DLL,UpdatePerUserSystemParameters\");刷新桌面(通过复制文件的方式替换壁纸文件适用) Else _SaveAndLoadIconPos($inifile) EndIf

Func _SaveAndLoadIconPos($iFile, $iLoad = 0) Local $iCount, $iIndex, $sName, $xy If Not IsHWnd($hWndManager) Then $hWndManager = WinGetHandle(\"Program Manager\") If Not IsHWnd($hWndDesktop) Then $hWndDesktop = ControlGetHandle(\"Program Manager\",\"\",1) $iCount = ControlListView($hWndManager, \"\", $hWndDesktop, \"GetItemCount\") If @error Then SetError(1) Return 0 EndIf If Not $iLoad And FileExists($iFile) Then IniDelete($iFile, \"图标位置\") For $iIndex = 0 to $iCount - 1 $sName = ControlListView($hWndManager, \"\", $hWndDesktop,\"GetText\", $iIndex) If $iLoad Then $xy = StringSplit (IniRead ($iFile, \"图标位置\", $sName, \"\"), \",\") If $xy[0] = 2 Then _ _SendMeage($hWndDesktop, $LVM_SETITEMPOSITION, $iIndex, BitOR(BitShift($xy[2], -16), BitAND($xy[1], 0xffff) ) ) Else;保存图标信息 $xy = _GUICtrlListView_GetItemPosition($hWndDesktop, $iIndex) IniWrite($iFile, \"图标位置\", $sName, $xy[0] & \",\" & $xy[1] ) EndIf Next Return 1 EndFunc

1、第一次运行，会自动按图标生成配置文件“icoSpace.ini\",第二次运行，如果检测到有”icoSpace.ini\"文件存在，则自动还原桌面图标位置

2、运行程序加参数：xxx.exe /load=icoSpace.ini 会自动读取icoSpace.ini还原桌面图标位置,如果ini文件不存在，则自动创建icoSpace.ini 运行程序加参数：xxx.exe /save=icoSpace.ini 生成图标位置配置文件icoSpace.ini

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一些常见的优化误区

前言：

常常能看到一些 “绝招”在网络上多次转载。然而，一些错误的“绝招”也同样在多个地方多次出现，不但许多初学者照着做，许多老鸟也用这些招数来教别人，甚至一些系统“优化”软件也采用了这些错误的“绝招”。究其原因，归根结底是由于学习这些“招数”的人并没有搞清这些招数的内在原理就照葫芦画瓢，只学动作，不学内功，才导致以讹传讹，一错再错。

以下列举几条常见的、多次重复刊登的错误“绝招”，简要介绍它的原理并指出其错误之处，然后给出正确的设置方法。通过这几个例子，希望能引起大家的重视，遇到别人给出的“绝招”时能自己再动动脑筋思考思考，知其然更要知其所以然，避免“走火入魔”。

（1）自动释放不用的 Dll （即不加载多余的DLL文件）

[HKEY_LOCAL_MACHINE\\SOFTWARE\\Microsoft\\Windows\\CurrentVersion\\Explorer] \"AlwaysUnloadDLL\"=dword:00000001

很多优化软件都有关于该项功能的优化，即在注册表HKEY_LOCAL_MACHINE\\SOFTWARE\\Microsoft\\Windows\\CurrentVersion\\Explorer下增加“AlwaysUnloadDLL”为\'1\'的键值。

这是一个经常用的优化技巧，但经过查证和测试，证明该选项对于Windows 2000以后的操作系统无效。

首先，Microsoft仅在一处官方文档有以下说明：“For operating systems Prior To Windows 2000, you can shorten the inactive period by adding the following information to the registry.HKEY_LOCAL_MACHINE\\SOFTWARE\\Microsoft\\Windows\\CurrentVersion\\Explorer AlwaysUnloadDLL”。从Microsoft的官方文档我们可以得知该选项仅对Windows2000以前的系统有效。其次，通过分析Windows2000/XP/2003以后操作系统的内存管理模式验证了该选项无效，简述如下：Windows2000/XP/2003采用了一种较以前Windows 9x更为复杂而有效的手段来管理内存，从而实现了动态链接库加载与卸载的智能化管理。

例如：当用户关闭了需调用动态链接库B的应用程序A时，Windows并不会立即释放动态链接库B，因此当用户再次启动应用程序A时将获得较第一次更快的启动速度。那么Windows何时释放该动态链接库呢？答案是当其它应用程序向Windows申请内存空间时，若Windows无法在现有空闲空间分配足够的内存给该请求，就会自动释放这类已未被引用的动态链接库(Dll)了。

而且对于日常办公的朋友来说，经常打开一些 OFFICE 程序、看图程序等，如果每次退出程序都清理 DLL 文件的话，重新运行该程序则会比不优化多花上太多的时间。

综上，Windows2000/XP/2003/Vista后内存管理已经非常有效了，我们不应该再主动去设置是否强制卸载暂时尚未使用的动态链接库，即便该选项是有效的，也只会降低系统的整体性能。

（2）加快显示速度

◆加快窗口显示速度

打开注册表编辑器，找到HKEY_CURRENT_USER\\Control Panel\\Desktop\\WindowMetrics，右边窗口找到MinAniMate键值，把它改为0。

◆加快开始菜单的显示

打开注册表编辑器，找\"HKEY_CURRENT_USER\\Control Panel\\Desktop\\MenuShowDelay\"主键，适当调小该键值，最低可设为“0”。如果此方法无效，请从“控制面板”－“显示属性”－“显示效果”－“高级”，将\"show menu shadow\"项的选择取消，便可加快开始菜单的显示。

这两点优化，呵呵，其实算不上是优化，因为它并没有给系统带来任何的性能上的提升，所改变的只是菜单的显示延时没了，换句话说，只是改变了显示效果而已。看个人习惯的，我喜欢看到菜单慢慢出来再慢慢消失的过程，一般设置为 100。

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哎帖子太长了，被限制字数了，都怪当初没有占楼编辑。

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