NAND FLASH 编程总结

发布时间：2020-03-02 15:52:48 来源：范文大全收藏本文下载本文手机版

NAND FLASH操作总结

目前NAND FLASH主要是SAMSUNG、TOSHIBA两家公司生产。本文我们主要讨论这两家的产品型号。另外我们还会讨论Hitachi的AND Flash，

为了内容条理起见，我们将分别讨论SAMSUNG、TOSHIBA的Binary Flash，详细说明：

1、各个厂家各个型号Flash的操作时序、以及这些操作在“USB－闪存盘控制器”中的影响；

2、同一厂家不同型号间的区别、不同厂家之间的区别；

然后讨论TOSHIBA的MLC Flash；

最后我们要考虑一下AND Flash的情况，并给出一个初步的结论：我们是否需要支持AND Flash。

通过这些比较，给出一个较明确的结论：我们的“USB－闪存盘控制器”需要支持的Flash操作有那些，时序图如何！

SAMSUNG：

SAMSUNG推出的NAND Flash主要有以下容量：

32Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit、512Mbit、1Gbit、2Gbit、4Gbit通常，我们把其中的1Gbit、2Gbit、4Gbit叫做“大容量”，其余的则不加强调。

32Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit、512Mbit的Flash 的特性基本相似： Organization

- Data Register : (512 + 16) Byte Automatic Program and EraseBlock Erase : (8K + 256)Byte/(16K + 512)Byte 528-Byte Page Read OperationSerial Page Acce : 50ns(Min.) Fast Write Cycle TimeBlock Erase time : 2ms(typ.) Flash操作包括基本的七种操作：

Read

1、Read

2、Read ID、Reset、Page Program、Block Erase、Read Status 512Mbit的Flash引入了“Plane”和“Copy-Back”的概念，并为此增加了四种新的操作，但却放弃了128Mbit、256Mbit中“Sequential Data Input”操作，这四种操作是：针对“Plane”的Page Program(Dummy)、Multi_Plane Block Erase、Read Multi_Plane Status、针对“Copy-Back”的Copy_Back Program 1Gbit、2Gbit、4Gbit（大容量）的操作基本相同，但他们比一般Flash多了Copy-Back、Cache Program的功能：

Organization

- Data Register : (2K + 64) BytePage Program : (2K + 64)ByteRandom Acce : 25s(Max.)Program time : 300~400s(typ.)Page Program : (512 + 16)ByteRandom Acce : 25s(Max.)Program time : 200s(typ.) - Block Erase time : 2ms(typ.) Flash操作包括基本的八种操作：

Read

1、Read

2、Read

3、Read ID、Reset、Page Program、Block Erase、Read Status 这里的Read

1、Read

2、Read3命令与SAMSUNG的Read

1、Read2命令功能是相同的。但她的随机读周期要稍微长一些：25s(Max.)，其他时间则基本相同。下面我们就每一个操作做详细的介绍！

时序示意图：

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Latch Timing Diagram for Command/Addre/Data（example.64Mbit）

Command Input Cycle Timing Diagram（example.64Mbit）

Addre Input Cycle Timing Diagram（example.64Mbit）

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Data Input Cycle Timing Diagram（example.64Mbit）

Serial Read Cycle Timing Diagram（example.64Mbit）

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Status Read Cycle Timing Diagram（example.64Mbit）

上面我们给出了各个操作的时序示意图，下面就各个参数进行说明！

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AC CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

(Ta _ 0° to 70°C, VCC _ 2.7 V to 3.6 V)

下面就各个操作的具体时序进行讨论：

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Read Cycle (1) Timing Diagram

Read Cycle (1) Timing Diagram: When Interrupted by CE

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Read Cycle (2) Timing Diagram

Read Cycle (3) Timing Diagram

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Sequential Read (1) Timing Diagram

Sequential Read (2) Timing Diagram

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Sequential Read (3) Timing Diagram

Auto-Program Operation Timing Diagram

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Auto Block Erase Timing Diagram

ID Read Operation Timing Diagram 同样，TOSHIBA的512Mbit Flash也是“大容量”的一种过渡类型。她也有她自身的一些特殊操作：“Multi Block Programming”、“ Multi Block Erase”。这些类似于SAMSUNG的“Multi Plane”的操作。其操作时序如下：

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Multi Block Programming Timing(to be continued)

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(continuation 1) Multi Block Programming Timing

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(continuation 2) Multi Block Programming Timing

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(continuation 3) Multi Block Programming Timing