马佐平院士个人简历
姓名马佐平性别男
出生年月1946年
毕业学校台湾大学电机系学士
耶鲁大学电机系硕士、博士
联系方式：
电话：1 (203) 432-4211
传真：1 (203) 432-7769
邮件：t.ma@yale.edu
工作和职务：美国国家工程院院士
耶鲁大学电机系讲座教授
耶鲁大学电机系系主任
耶鲁大学微电子研究中心共同主任
北京大学－耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任
在中国的兼职情况：
中国科学院名誉教授
清华大学，天津大学，山东大学，福州大学名誉教授北京大学客座教授
信产部十五，十一五规划顾问。
目前研究项目：
> Advanced Gate Dielectrics
> Flash Memory Devices
> MIS Devices Based on SiC, GaN, GaP, SiGe, and InAs
> Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy (IETS)
> Ferroelectric Thin Films for Memory Technology
近期主要成就：
2003年当选美国国家工程院院士， 为当年获选的77人中唯一的华裔院士。 2005年获世界电子与电机工程学会“安德鲁。葛洛夫大奖”，此奖每年只颁发给一名给对计算机科技有卓越贡献的世界级研究者。
2006年获美国半导体协会“大学研究大奖”
其它获奖情况：
a Harding Bli Prize from Yale University
GE Whitney Lectureship from General Electric
Yankee Ingenuity Award from the State of Connecticut
BF Goodrich Collegiate Inventor’s Winner’s Advisor Award (twice)
the Paul Rappaport Award from the IEEE Electron Device Society
在美国及国际主要学术刊物上发表近200篇学术论文：（以下是代表作）
\"Mobility Measurement and Degradation Mechanisms of MOSFETs Made with Ultra-Thin High-k Dielectrics,\" IEEE Trans.Electron Devices, VED-51(1), 98-105 (2004).
\"Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy Study of Ultra-thin HfO2 and HfAlO,\" Appl.Phys.Lett., 83(13), 2605 (2003).
\"High Temperature (450 C) Reliable NMISFETs on P-type 6H-SiC,\" X.Wang, T.P.Ma, et al., paper 8.7, Technical Digest of International Electron Device Meeting, Washington DC., Dec.5-8 (1999).
\"Making Silicon Nitride Film a Viable Gate Dielectric,\" T.P.Ma, IEEE Trans.Electron Dev., 45, 680 (1998).马佐平院士也是IBM, Intel, HP, 日立, 东芝, 台积电,旺宏电子等国际大公司的高级科技顾问.
附件：一些对马教授的报道：
中央电视台著名主持人王利芬对马教授的专访：耶鲁马佐平语重心长谈中国电子工业发展瓶颈
马佐平获世界电子与电机工程学会葛洛夫奖
2005年8月22日
华声报讯：据美国《世界日报》报道，“世界电子与电机工程学会”(IEEE)日前宣布，将把
今年度的安德鲁·葛洛夫奖颁发给现任耶鲁大学电机系及微电子中心华裔主任马佐平教授，以表彰他在研发“互补性氧化金属半导体”闸介极科技方面的卓越贡献。
马佐平8月17日对于获得该奖表示相当兴奋，但他也不忘将这份荣耀与共事研究的耶大电机系研究生分享。马佐平指出，他的研究团队共有10位学生，其中除了一名为白人学生外，其它皆为来自大陆或台湾的留学生，他表示这个奖是该团队共同努力的成果。
马佐平从1993年开始研究互补性氧化金属半导体，这个安装在计算机内存内的半导体，主要有三项功能――省电、快速处理和节省成本。他举例说，一般计算机内的半导体，若希望能加快其处理速度，则需要消耗较多的电能，但他的研究成果则让未来类似的半导体在高速运算的情形下使用较少的电能，这项科技还可运用在一般生活中，如手机、收音机等家电上，他指出，未来的手机或许可以更精密且耗电量更少。
具有悠久历史的世界电子与电机工程学会是目前全世界最大的职业科技机构，现有会员约36万人，来自全世界170个国家，包含了航天、计算机科技、生化等各方面人才，葛洛夫奖是特为纪念英特尔公司创办人兼董事长葛洛夫而设立，每年只颁发一名给对计算机科技有卓越贡献的研究者。
现年60岁的马佐平生于甘肃省兰州，在台湾求学，1969年自台湾大学电机系毕业后，便前往耶鲁大学攻读硕士与博士学位，他在2003年获选为美国国家工程学院院士，当时获选的77人中，马佐平是唯一的华裔院士。
厦门大学南强讲座
报告题目：半导体技术的过去现状和未来 报告人：马佐平博士
美国国家工程院院士
耶鲁大学电机系讲座教授
耶鲁大学电机系系主任
耶鲁大学微电子研究中心共同主任
报告时间：2008-6-19下午3：00报告地点：海韵教学楼504报告厅
