集成电路制造工艺实训报告
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2011年12月22日
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三、光刻Ⅰ—光刻扩硼窗口
工艺目的：
通过光刻工艺，完成掩膜板上的图形转移。（第一次形成基区图形，第二次形成发射区图形）
工艺原理：
通过光刻先把掩膜板上的图形转移到光刻胶上，再转移到硅片上。（第一次基区光刻，第二次发射区光刻）
工艺器件：
SC—IB型匀胶机、DHG—9023型电热恒温干燥箱、URE—2000/17型紫外光刻机、镊子、显影设备。
工艺步骤：
1、甩胶：把硅片放到涂胶机上用滴管吸取光刻胶涂到硅片上，打开抽真空开关
把硅片吸附到匀胶机上，再打开甩胶开关并以700r/min左右的转速开始甩胶约2分钟。等匀胶机停止工作，按下抽真空开关取下硅片。
2、前烘：把硅片放到100℃电热恒温干燥箱里前烘15分钟。
3、曝光：取出硅片冷却，再把硅片放到光刻机上进行紫外线曝光20秒钟。（本
实验室采用的是接近式曝光，在硅片和掩膜板之间有10um—25um的间隙，掩膜板有金黄色避光层的一面应该朝下，硅片上的主切角与掩膜板的X轴对准，以方便二次曝光）
原理：此次实验室采用的是负性光刻胶，其受紫外光照射的区域会交联硬化，
变得难溶于显影液溶剂中，显影时这部分光刻胶被保留，在光刻胶上形
成一种负相的掩膜板图形。
4、显影：在1号显影液里面显影4分钟，再放到2号显影液里面4分钟，用显
影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜板上的图形转移到光刻胶上。
5、定影：是光刻胶变得更加坚固。
6、坚膜：把显影后的硅片放到130℃的电热恒温干燥箱里后烘15分钟即可。冷
却后用电子显微镜观看显影后的图形。
7、腐蚀：把镜检后的硅片放到花篮里，再放到HF酸里刻蚀5分钟，然后放到去
离子水冲洗连通器2号槽里面冲洗5分钟，再放到1号槽里面冲洗5分钟。 原理：刻蚀就是将涂胶前所积淀的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分除去，
由于Si、光刻胶具有亲水性，SiO2具有疏水性，所以观察芯片背面是否
沾水就能判断刻蚀的程度。
8、去胶：把刻蚀好的硅片放入到去胶液里面15—20分钟。（去胶液：H2SO4:
H2O2:H2O(去离子水)=3:1:任意）
光刻Ⅱ—光刻扩磷窗口
发射区光刻：同操作三，但在曝光前需要依片子和光刻板上的图形对准标记对版。 光刻Ⅲ—光刻引线孔
同操作六，注意对版。
光刻Ⅳ—光刻电极图形
工艺原理：按照电路连线要求在淀积的铝层上光刻出铝条，芯片中的各个元件便
被连接成为具有某种功能的电路。
心得体会
本周实训让我更加了解集成电路,哪怕前面一个小小的失误也会影响后面的的制作,细节绝对成败,因此我们不能马虎的对待.现在只是实训.以后工作了应该更加仔细认真.实训中我们小组互相帮助,分工合作让我们明白了团队力量的强大.每次实训的不断练习,让我对操作步骤更加了解,巩固了以前的知识.
