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毕业论文中期答辩读书笔记

发布时间:2020-03-02 20:42:15 来源:范文大全 收藏本文 下载本文 手机版

J I A N G S U U N I V E R S ITY

记 专 业: 电子信息工程 班 级: 2 姓 名: xx 指导教师姓名: xx 指导教师职称: 讲 师 2012年 6 月

《精通开关电源设计》

书目名称:

三种基础拓扑(buck boost buck-boost)的电路基础: dI=,推出I LVL1, 电感的电压公式ΔI=V×ΔT/L Tdt2, sw闭合时,电感通电电压V,闭合时间t sw关断时,电感电压V,关断时间ONONOFFt OFF3, 功率变换器稳定工作的条件:ΔI=ΔI即,电感在导通和关断时,其电流变化相等。ONOFF那么由1,2的公式可知,V =L×ΔI/Δt ,V =L×ΔI/Δt ,则稳定ONONONOFFOFFOFF条件为伏秒定律:V×t=V×t ONONOFFOFF4, 周期T,频率f,T=1/f,占空比D=t/T=t/(t+t)→t=D/f =TD ONONONOFFON→t=(1-D)/f OFF电流纹波率r P51 52 r=ΔI/ I=2I/I 对应最大负载电流值和最恶劣输入电压值 LACDCΔI=E/LμE=V×ΔT(时间为微秒)为伏微秒数,Lμ为微亨电感,单位便于计算 tH

tHr=E/( I ×Lμ)→I ×Lμ=E/r→Lμ=E/(r* I)都是由电感的电压公式推导出来 tLHLHtHtLr选值一般0.4比较合适 电流纹波率r=ΔI/ I=2I/I 在临界导通模式下,I=I,此时r=2 见P51 LACDCACDCr=ΔI/ I=V×D/Lf I=V×(1-D)/Lf I→L=V×D/rf ILONLOLONL FF电感量公式:L=V×(1-D)/rf I=V×D/rf IOLONL FF设置r应注意几个方面: A,I=(1+r/2)×I≤开关管的最小电流,此时r的值小于0.4,造成电感体积很大。 PKL B,保证负载电流下降时,工作在P24-26, 最大负载电流时r’=ΔI/ I,当r=2时进入临界导通模式,此时r=ΔI/ I=2→

LMAXx负载电流I=(r’ /2)I时,进入临界导通模式,例如:最大负载电流3A,r’=0.4,则负xLMAX载电流为(0.4/2)×3=0.6A时,进入临界导通模式 避免进入临界导通模式的方法有1,减小负载电流2,减小电感(会减小ΔI,则减小r)3,增加输入电压 P63 2电感的能量处理能力1/2×L×I 2电感的能量处理能力用峰连续导通方式值电流计算1/2×L×I,避免磁饱和。 PK 确定几个值

:r要考虑最小负载时的r值 负载电流I I 输入电压范围V 输 L PKIN出电压V O最终确认L的值 基本磁学原理:P71――以后花时间慢慢看《电磁场与电磁波》用于EMC和变压器 H场:也称磁场强度,场强,磁化力,叠加场等。单位A/m 2B场:磁通密度或磁感应。单位是特斯拉(T)或韦伯每平方米Wb/m 2恒定电流I的

RdB

为磁通密度,dl为电流方向的导线线元,导线,每一线元dl在点p所产生的磁通密度为dB=k×I×dl×a/R a为由dl指向点p的单位矢量,距离矢量

R

R,R

为从电流元

dl

到点

p的距离,k为比例常数。

-7在SI单位制中k=μ/4,μ=4×10H/m为真空的磁导率。 00

IdlR0 3  则代入k后,dB=μ×I×dl×R/4R对其积分可得B=0

43CR

,如果B是常数,则B

ds磁通量:通过一个表面上B的总量 Φ=Φ=BA,A是表S面积

-7H=B/μ→B=μH,μ是材料的磁导率。空气磁导率μ=4×10H/m 0法拉第定律(楞次定律):电感电压V与线圈匝数N成正比与磁通量变化率 V=N×dΦ/dt=NA×dB/dt 线圈的电感量:通过线圈的磁通量相对于通过它的电流的比值L=H*NΦ/I 磁通量Φ与匝数N成正比,所以电感量L与匝数N的平方成正比。这个比例常数叫电感常数,222-9用A表示,它的单位是nH/匝数(有时也用nH/1000匝数)L=A*N*10H LL所以增加线圈匝数会急剧增加电感量

Hdl=IA,安培环路定律 若H是一闭合回路,可得该闭合回路包围的电流总量

dI可得到 结合楞次定律和电感等式V L dtV==L×dI/dt N×dΦ/dt=NA×dB/dt可得功率变换器2个关键方程: ΔB=LΔI/NA非独立电压方程 →B=LI/NA

ΔB=VΔt/NA独立电压方程

→B=ΔB/2=V×D/2NAf 见P72-73ONACN表示线圈匝数,A表示磁心实际几何面积(通常指中心柱或磁心资料给出的有效面积Ae) B=LI/NA不能超过磁心的饱和磁通密度 PKPK由公式知道,大的电感量,需要大的体积,否则只增加匝数不增加体积会让磁心饱和 磁场纹波率对应电流纹波率r r=2I/I=2B/BACDCACDC B=(1+r/2)B→B=2B /(r+2) PKDCDCPKB=(1+2/r)B→B=r B /(r+2)→ΔB=2 B=2r B /(r+2) PKACACPKACPK磁心损耗,决定于磁通密度摆幅ΔB,开关频率和温度 磁心损耗=单位体积损耗×体积,具体见P75-76 Buck电路 电容的输入输出平均电流为0,在整个周期内电感平均电流=负载平均电流,所以有:5,I=ILo 6, 二极管只在sw关断时流过电流,所以I=I×(1-D) DL7, 则平均开关电流I=I×D swL

8, 由基尔霍夫电压定律知: Sw导通时:V =V+V+V→ V=V-V-VINONOSW ONINOSW ≈V-V假设V相比足够小 INOSWV=V-V-VOINONSW ≈V-V INONSw关断时:V =V+V→ V=V-VOFFOD OOFFD ≈V假设V相比足够小 OFF D9, 由

3、4可得D=t/(t+t) ONONOFF=V/(V +V) OFFOFFON由8可得:D=V/{(V-V)+V}OINOO D=V/ V OIN10,直流电流I=电感平均电流I,即I≡I=I 见5 DCLDCLo11,纹波电流I=ΔI/2=V(1-D)D/ 2Lf=V(1-D)/2Lf

ACINO由

1,

3、

4、9得, ΔI=V×t/L ONON

=(V-V)×D/Lf=(V-DV)×D/Lf=V(1-D)D/ Lf INOINININΔI/ t=V/L=(V-V)/L ONONINOΔI=V×t/L OFFOFF =VT(1-D)/L O=V(1-D)/Lf OΔI/ t=V/L=V/L OFFOFFO12,电流纹波率r=ΔI/ I=2I/I 在临界导通模式下,I=I,此时r=2 见P51

LACDCACDCr=ΔI/

I=V×D/Lf I=(V-V)×D/Lf I LONLINOL=V×(1-D)/Lf I=V×(1-D)/Lf I OLOLFF13,峰峰电流I=ΔI=2I=r×I=r×I PPACDCL14,峰值电流I=I+I=(1+r/2)×I=(1+r/2)×I=(1+r/2)×I

PKDCACDCLO

最恶劣输入电压的确定:

V、I不变,V对I的影响: OoINPKD=V/ V V增加↑→D↓→ΔI↑, I=I,不变,所以I↑ OININDCOPK要在V最大输入电压时设计buck电路 p49-51 IN 例题:变压器的电压输入范围是15-20v,输出电压为5v,最大输出电流是5A。如果开关频率是200KHZ,那么电感的推荐值是多大? 解:也可以用伏微秒数快速求解,见P69 (1) buck电路在V=20V时设计电感 INMAX(2) 由9得到D=V/ V=5/20=0.25

OIN3(3)

L=V×(1-D)/ rf I=5*(1-I=(1+r/2)×I=0.25)/(0.4*200*10*5)=9.375μH OL(4)

(1+0.4/2)*5=6A PKO(5) 需要9.375μH 6A附近的电感 例题:buck变换器,电压输入范围是18-24v,输出电压为12v,最大负载电流是1A。期望电流纹波率为0.3(最大负载电流处),假设V=1.5V,VD=0.5V,并且f=150KHz。那

SW

么选择一个产品电感并验证这些应用。 解:buck电路在最大输入电压V=24V时设计 IN

15,二极管只在sw关断时流过电流=负载电流,所以I=I×(1-D)=I DLO16,则平均开关电流I=I×D swL17,由基尔霍夫电压定律知: Sw导通时: V =V+V→ V=V-VINONSW ONINSW V≈V 假设V相比足够小 ONINSWSw关断时: V +V=V+V→ V=V+V-VOFFINOD OOFFIND V≈V+V假设V相比足够小

OOFFIN

DV=V+V-VOFFODIN V≈V-V OFFOIN18,由

3、4可得D=t/(t+t) ONONOFF=V/(V +V) OFFOFFON

由17可得:D=(V-V)/{(V-V)+V }OINOININ =(V-V)/ V OINO→V=V×(1-D) INO19,直流电流I=电感平均电流I,即I=I/(1-D) DCLDCO20,纹波电流I=ΔI/2=V×D/2Lf=V(1-D)D/2Lf ACINO由1,

3、

4、17,18得, ΔI=V×t/L=V×TD/L ONONIN =V×D/Lf INΔI/ t=V/L=V/L ONONINΔI=V×t/L OFFOFF =(V-V)T(1-D)/L OIN=V(1-D)D/Lf OΔI/ t=V/L=(V-V)/L OFFOFFOIN21,电流纹波率r=ΔI/ I=2I/I 在临界导通模式下,I=I,此时r=2 见P51 LACDCACDCr=ΔI/ I=V×D/Lf I=V×(1-D)/Lf I→L=V×D/rf ILONLOLONL FFr=V×D/Lf I=V×D/Lf I ONLINL=V×(1-D)/Lf I=(V-V)×(1-D)/Lf I OLOINLFF电感量公式:L=V×(1-D)/rf I=V×D/rf IOLONL FFr的最佳值为0.4,见P52 22,峰峰电流I=ΔI=2I=r×I=r×I PPACDCL

23,峰值电流I=I+I=(1+r/2)×I=(1+r/2)×I=(1+r/2)×I/(1-D) PKDCACDCLO最恶劣输入电压的确定:要在V最小输入电压时设计boost电路 p49-51 IN例题:输入电压范围12-15V,输出电压24V,最大负载电流2A,开关管频率分别为100KHz、200KHz、1MHz,那么每种情况下最合适的电感量分别是多少?峰值电流分别是多大?能量处理要求是什么? 解:只考虑最低输入电压时,即V=12V时,D=(V-V)/ V=(24-12)/24=0.5 INOINOI=I/(1-D)=2/(1-0.5)=4A LO

若r=0.4,则I=

L=V×D/rIf=

L=(1+r/2)×I=(1+0.5/2)×4=4.8A PKL6-电感量12*0.5/0.4*4*100*1000=37.5μH=37.5*10H ONLf=200KHz 18.75μH,f=1MHz L=3.75μH 24,二极管只在sw关断时流过电流=负载电流,所以I=I×(1-D)=I

DLO25,则平均开关电流I=I×D swL26,由基尔霍夫电压定律知: Sw导通时: V =V+V→ V=V-VINONSW ONINSW ≈V 假设V相比足够小 INSWSw关断时: V =V+V→ V=V-VOFFOD OOFFD ≈V假设V相比足够小 OFF DV≈VOFFO 27,由OFFOFFON

3、4可得D=t/(t+t) ONONOFF=V/(V +V)

由26可得:D=V/(V+V )OOIN →V=V×(1-D)/D

I=电感平均电流I,即I≡I=I /(1-D) I=ΔI/2=V×D/2Lf=V(1-D)/2Lf ACINO由1,INO28,直流电流DCLDCLO29,纹波电流

3、

4、26,27得, ΔI=V×t/L=V×TD/L ONONIN =V×D/Lf INΔI/ t=V/L= V/L ONONINΔI=V×t/L OFFOFF =VT(1-D)/L O=V(1-D)/Lf OΔI/ t=V/L=V/L OFFOFFO

30,电流纹波率r=ΔI/ I=2I/I 在临界导通模式下,I=I,此时r=2 见P51 LACDCACDCr=ΔI/

I=V×D/Lf I=V×(1-D)/Lf I→L=V×D/rf ILONLOLONL FFr=V×D/Lf I=V×D/Lf I r=V×(1-D)/Lf I= V×(1-D)/Lf I ONLINLOLOLFF

31,峰峰电流I=ΔI=2I=r×I=r×I PPACDCL32,峰值电流I=I+I=(1+r/2)×I=(1+r/2)×I=(1

PKDCACDCLO+r/2)×I /(1-D) 最恶劣输入电压的确定:要在V最小输入电压时设计buck-boost电路 p49-51 IN

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