集成电路典型工艺流程
（1）晶圆
晶圆（Wafer）的生产由二氧化硅开始，经电弧炉提炼还原成冶炼级的硅，再经盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，通过慢速分解过程，制成棒状或粒状的“多晶硅”。一般晶圆制造厂，将多晶硅熔化后，再利用“籽晶”慢慢拉出单晶硅棒。经研磨、拋光、切片后，即成为集成电路芯片生产的原料—晶圆片。
（2）光刻
光刻是在光刻胶上经过曝光和显影的工序，把掩模版上的图形转换到光刻胶下面的薄膜层或硅晶上。光刻主要包含了匀胶、烘烤、光罩对准、曝光和显影等工序。由于光学上的需要，这段工序的照明采用偏黄色的可见光，因此俗称此区域为黄光区。
（3）干法刻蚀
在半导体工艺中，刻蚀被用来将某种材质自晶圆表面上除去。干法刻蚀是目前最常用的刻蚀方式，以气体作为主要的刻蚀媒介，并凭借等离子体能量来驱动反应。
（4）化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition，CVD）
化学气相淀积是制造微电子器件时用来淀积出某种薄膜（film）的技术，所淀积出的薄膜可能是介电材料（绝缘体，dielectrics）、导体或半导体。
（5）物理气相淀积（Physical Vapor Deposition，PVD）
物理气相淀积主要包括蒸发和溅射。如其名称所示，物理气相淀积主要是一种物理变化的工艺而非化学工艺。这种技术一般使用氩气等惰性气体，凭借在高真空中將氩离子加速以撞击靶材后，可将靶材原子一个个溅射出来，并使被溅射出来的材质（通常为铝、钛或其合金）淀积在晶圆表面。反应室內部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再通过光刻与刻蚀，来得到所要的导电电路。
（6）氧化
利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续淀积氮化硅薄膜时产生的应力（stre），氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与规晶圆间的应力。
（7）离子注入
离子注入工艺可将掺杂物质以离子形式注入半导体元件的特定区域上，以获得精确的电特性。這些离子必须先被加速至具有足够能量与速度，以穿透薄膜，到达预定的注入深度。离子注入工艺可对注入区內的掺杂浓度加以精密控制。基本上，此掺杂浓度由离子束电流与扫描率来控制，而离子注入的深度则由离子束能量之大小来决定。
（8）化学机械抛光（Chemical Mechanical PolishingCMP）
化学机械抛光兼其有抛光性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利后续薄膜淀积工序的进行。
