济南铁道职业技术学院授课教案附页
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第二章：半导体三极管
*作用：三极管具有放大作用；类型：单极型（晶体三极管）、双极型（场效应管）；内容：三极管及三极管电路的分析。 2．1 双极型三极管
2．1．1 晶体三极管的工作原理
一、结构与符号
1．结构：P29图2．1．1----发射结、集电结（面积大）；发射区（搀杂最重）、基区（搀杂最轻）、集电区。
2．符号：P29图2．1．1----NPN（硅管）、PNP（锗管）的区别。
二、电流放大原理
1．原理图：P30图2．1．3 2．电流放大原理：发射结正偏、集电结反偏
*发射区（搀杂最重）---100个自由电子（1）扩散到---基区（搀杂最轻）---1个空穴复合（1）---99个自由电子（1）漂移到---集电区---形成集电极电流（1=99）。
*发射区（搀杂最重）---200个自由电子（2）扩散到---基区（搀杂最轻）---2个空穴复合（2）---198个自由电子（2）漂移到---集电区---形成集电极电流（2=198）。 说明：基区空穴与发射区扩散过来的电子复合比例是定值，不同三极管具有不同定值。 *电流放大原理----（2 -1）/（2 -1）=β（电流放大系数或交流电流放大系数）----基极电流微小变化引起集电极电流较大变化----基极电流控制集电极电流----三极管是一个电流控制元件 *1 /1==2 /2（直流电流放大系数）；（穿透电流）=（1+β）（集电结反向饱和电流），、反映三极管的质量。
2．1．2 晶体三极管的特性曲线
NPN型三极管共发射极电路P32图2．1．4
一、输入特性曲线：P32图2．1．4----二极管特性曲线----死区电压、导通电压。
二、输出特性曲线：P32图2．1．4----放大区（发射结正偏、集电结反偏，>1V）、饱和区（发射结、集电结正偏，硅管=0．3V、锗管=0．1V）、截止区（发射结、集电结反偏IB=0、IC=）----模拟电路一般工作在放大区，数字电路一般工作在饱和区、截止区。
三、温度对特性曲线的影响：t升高----输入特性曲线左移、输入特性曲线上移 2．1．3 晶体三极管的主要参数
一、电流放大系数
1．共发射极电流放大系数：β=Δic /ΔiB--- P33例2．1．1 2．共基极电流放大系数：电路---P33图2．1．6---
二、极间反向电流：=（1+β）---受温度影响---越小越好---反映管子质量
三、极限参数：P34图2．1．7 1．集电极最大允许电流ICM：β降低或损坏（断路）。 任课教师
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2．集电极最大允许耗散功率PCM：损坏（断路）。
3．反向击穿电压U（BR）CEO、U（BR）CBO、U（BR）EBO：损坏（短路）。
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