重庆邮电大学光电工程学院
认识实习报告
专业：电子科学与技术 班级： 学号： 姓名：
实习时间：2016年06月28日
一、认识实习时间 2016年6月25日
二、实习地点：1101
三、主讲老师：王振
四、实习目的与内容 实习目的：
培养应用型人才基地，要培养德才兼备的大学生，不仅需要通识教育和专业教育，更要理论和实践相结合的正规化培训。实习是大学生必须参与的一项实践教学环节。是学生熟悉多晶硅、单晶硅生产和半导体封装测试等生产过程的一种正规化的培训，以充实理论教学中不能学到的知识和技能。同时，把在理论教学中学到的知识和具体实际工作贯穿起来，做到学以致用，使学生成为既有理论知识，又有实际动手能力的人才。
自摩尔定律提出以来，微电子领域一直如神话般按其所预言的规律不断发展。微电子行业的进步使计算机的计算能力成倍增加，硬件成本大幅度降低，极大地推动了信息产业和工业的发展，是现代信息业和工业的基础。微电子专业主要培养掌握集成电路、微电子系统设计、制造工艺及设计软件系统，能在微电子及相关领域从事科研、教学、工程技术及技术管理等工作的高级专门人才。
本次实习旨在提高学生的综合素质通过本次实习，开阔视野，增长见识，拓宽我们的知识面。了解本专业相关方面的知识，通过实习，启发我们积极向上，努力学习。
实习内容：参观微电子工艺实验室，了解相关仪器。
五、实习收获与体会
本次认识实习时间为1个半小时，在此期间，通过对各实验室的参观， 我学到了很多东西，也对自己将来的学习和研究方向有了一定的规划。这次的参观实习丰富了我的理论知识，增强了我的观察能力，让我收获颇丰。《集成电路设计与制造》课是微电子学与固体电子学专业本科教学中的重要教学实践环节。目的是帮助学生理解课堂上学到的基本原理和知识，了解并掌握集成电路设计与制造的基本方法，提供实际动手能力，以适应社会的需求。
1、认识到《微电子器件实验》课是微电子学与固体电子学专业本科教学中的重要教学实践环节。目的是帮助学生理解课堂上学到的基本原理和知识，并掌握晶体管基本参数的测量方法，提供实际动手能力。
基本原理及课程简介：
微电子器件课程讲述了基本的半导体器件 BJT、JFET、MOSFET 的物理结构和工作原理，它主要针对半导体器件的主要电参数讲述其测量方法和原理。它包含了三个实验：双极晶体管击穿特性测试、双极晶体管直流放大特性测试、晶体管特征频率的测量。
2、了解了基本原理及实验课程的简介：集成电路工艺基础课程讲述了集成电路制造的基本工艺：扩散、离子注入、氧化、光刻、刻蚀、外延、化学汽象沉积、金属化和钝化等，介绍了这些工艺的基本原理及制造过程。的半导体器件BJT、JFET、MOSFET 的物理结构和工作原理，它主要针对半导体器件的主要电参数讲述其测量方法和原理。《集成电路设计与制造实验》包含了四个实验：氧化工艺实验、光刻工艺实验、硼扩散工艺实验和磷扩散工艺实验；并有一周的课程设计：将以上四个工艺实验按集成电路制造工艺流程结合起来，制造出一个集成电路重要的单元---双极晶体管并进行击穿特性测试、双极晶体管直流放大特性测试。
3、其次也了解硼扩散工艺实验过程，其基本实验原理为：扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，各种分离器件和集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散，硼扩散工艺是将一定数量的硼杂质掺入到硅片晶体中，以改变硅片原来的电学性质。硼扩散是属于替位式扩散，采用预扩散和再扩散两步扩散法， 第一步，预扩散硼杂质浓度分布方程为： N(x,t)=Nserfc｛x/2D1t)½｝ 表示恒定表面浓度（杂质在预扩散温度的固溶度），D1为预扩 散温度的扩散系数，x表示由表面算起的垂直距离（cm）,他为扩散时 间。此分布为余误差分布。 第二步，主扩散 硼再扩散为有限表面源扩散，杂质浓度分布方程为： N(x,t)=Qe-x2/4D2t/(πD2t)½，其中 Q 为扩散入硅片杂质总量：杂质分布为高斯分别。
4、了解了CMOS制作步骤如下：
1、双阱工艺；
2、浅槽隔离工艺；
3、多晶硅栅结构工艺；
4、轻掺杂漏（LDD）注入工艺；
5、侧墙的形成；
6、源/漏（S/D）注入工艺；
7、接触孔的形成；
8、局部互连工艺；
9、通孔1和金属塞1的形成；
10、金属1互连的形成；
11、通孔2和金属塞2的形成；
12、金属2互连的形成；
13、制作金属3直到制作压点及合金；
14、参数测试。
浅槽隔离工艺：浅槽隔离（STI）是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。可分为三个主要步骤：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化。槽刻蚀：
1、隔离氧化层；
2、氮化物淀积；
3、第三层掩膜，浅槽隔离；
4、STI槽刻蚀。
STI氧化物填充：
1、沟槽衬垫氧化硅；
2、沟槽CVD氧化物填充。 氧化物平坦化：抛光是最有效的一种平坦化技术，STI氧化层抛光—氮化物去除的基本步骤如下：
1、沟槽氧化物抛光（化学机械抛光）；
2、氮化物去除。
多晶硅栅结构工艺：晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
多晶硅栅结构制作的基本步骤：
1、栅氧化层的生长；
2、多晶硅淀积；
3、第四层掩膜，多晶硅栅；
4、多晶硅栅刻蚀。局部互连工艺:晶体管以及其他钛硅化物之间布金属连接线，所用到的方法称为局部互联（LI）。形成局部互联氧化硅介质的步骤：1.氮化硅化学气相淀积2.掺杂氧化物的化学气相淀积3.氧化层抛光4第九层掩膜，局部互联刻蚀。制作局部互联金属的步骤：1金属钛淀积 （PVD工艺）；2氮化钛淀积；3钨淀积（化学气相淀积工艺平坦化）；4磨抛钨。 大马士革：先淀积一层介质薄膜，接下来是化学机械抛光，刻印，刻蚀和钨金属淀积，最后以金属层抛光结束。最终在硅片表面得到一种类似精致的镶嵌首饰或艺术图案。
六、个人心得体会：
老师的讲解，使我认识和了解了微电子工艺，进一步认识了微电子学科的特点，理论基础的要求，技术指标和发展前景。同时使我更加明确了学习目标，增强了我们对所学专业的热爱。
虽然是短短的半天时间，但我们也学到了很多的东西，微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体（智能化）、网络化和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理和传输这些信息并及时地把有用信息显示出来或用于控制。所有这些都只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标，是微电子技术迅速发展的动力。微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志，微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。
通过实习，我们有了机会去面对着专业性人员，听着他们对专业性的讲解以及亲自看到了许多的大型通信设备，这些都很有助于我们对知识的理解以及与实际相联系，这些都很益于我们在以后的工作。通过实习，让我体会通信在国民经济发展中所处的地位和所起的作用，加深对微电子工艺在生产生活中的感性认识，了解这些企业生产和运营的规律，学习这些企业组织和管理知识，巩固了所学理论，培养了初步的实际工作能力和专业技术能力，增强了我在电子信息方面的学业背景和对本专业的热爱。
我们也明白了德才兼备的大学生不仅需要广泛的通识教育、扎实的专业理论功底，更需要理论与实践相结合的正规化训练。学校和学生个人都有义务和责任将大学生培养成为既有理论知识、又有实际动手能力的综合型人才。实习是绝大多数大学生必须参与的一项实践教学环节，通过或长或短的实习，学生可以更深入地了解本行业各岗位的工作性质，及该领域的发展状况和发展方向，以便能结合自己的能力特点和兴趣爱好，尽早寻找到适合各人的工作定位，为自己制定更长远、更细致的职业规划。另外，学生在实践过程中也更易于懂得如何将理论知识与具体实际相结合，做到学以致用，不断提升自己的创造能力。
此次实习通过各种形式我了解当前产业的发展现状以及美好的前景。感受到了信息科技给今天带来的美好生活，当然以后自己也要立志献身于通信与微电子事业，重点研究新技术。
